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2026-02-04 15:18
近日,英特爾CEO陳立武在思科會議上表示,他與兩位內存領域的關鍵人物溝通后得知,內存芯片短缺問題很可能會持續至少兩年,供應緊張至少到2028年之前不會緩解。這一時間節點較此前市場普遍認為的2025-2026年見頂延后2-3年,意味着本輪"超級周期"的持續性可能被嚴重低估。陳立武更是直言:「據我所知,目前還沒有任何緩解措施。」
當前,內存芯片價格持續飆升,其核心驅動因素是AI算力革命引發的結構性供需失衡。AI技術的飛速發展,對數據處理和存儲能力提出了前所未有的高要求,內存芯片的需求呈爆發式增長。與此同時,供給端卻面臨產能轉移與擴張滯后、庫存低位與資本支出紀律收緊等多重困境。產能的調整和擴張並非一蹴而就,需要大量的資金投入和較長的建設周期,而庫存低位和謹慎的資本支出策略又進一步限制了短期內的供應能力。這些因素形成共振效應,推動DRAM漲幅超60%、NAND漲近40%。
內存芯片行業是半導體產業的核心支柱之一,廣泛應用於服務器、個人電腦、智能手機及數據中心等領域,是現代數字系統不可或缺的重要組成部分。
內存芯片漲價的影響迅速蔓延至眾多消費電子品類,其中PC和手機行業遭受的衝擊最為顯著。不少業內大佬紛紛表示,成本壓力實在太大。內存芯片作為PC和手機的重要組成部分,其價格上漲直接增加了產品的生產成本,壓縮了企業的利潤空間,給行業發展帶來了巨大挑戰。
此外,存儲芯片行業是典型的技術、資金雙密集型產業,構築了極高的准入壁壘。產品設計周期長、工藝複雜、資金投入高,對研發能力和技術積累要求苛刻,這使得全球市場長期呈現高度壟斷格局。
全球市場份額長期被三星、SK海力士和美光科技三大巨頭壟斷。早在2021年,這三家企業就佔據DRAM市場94.14%的份額,其中三星獨佔43.03%,SK海力士佔28.38%,美光佔22.73%。在NAND Flash市場,三星、鎧俠、西部數據、SK海力士、美光、英特爾六家企業的合計份額更是高達97%。
這種寡頭格局意味着,當行業景氣度上升時,上游供應商擁有絕對話語權,能夠主導市場價格和供應節奏。而當供應鏈出現擾動時,下游廠商幾乎沒有任何議價能力,只能被動接受價格上漲和供應短缺的現實。
作為內存芯片行業下游的重要領域,智能手機市場深受內存芯片短缺和漲價之苦。不久前,Counterpoint Research表示,智能手機市場不太可能在2027年之前實現復甦,正常化預計要到2027下半年乃至2028年初。爲了應對這一持續性困境和存儲芯片技術迭代、需求提升帶來的成本壓力,智能手機行業短期內將在成本、性能、創新之間尋求平衡。
1月27日,全球EDA和半導體IP領域的龍頭企業新思科技(Synopsys)首席執行官薩西尼·加齊在接受採訪時也表示,芯片「短缺」現象將在2026年和2027年持續下去。加齊指出,目前全球頂尖廠商的大部分內存芯片「直接流向了人工智能基礎設施,但許多其他產品也需要內存,所以如今這些其他市場因產能不足而陷入困境」。三星、SK海力士和美光作為全球最大的內存公司,雖然正致力於擴大生產,但要實現擴產目標,需要至少兩年的時間,這也是此次短缺將持續下去的原因之一。
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