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半導體設備廠商,賣爆了

2026-02-04 09:42

本文來自格隆匯專欄:半導體行業觀察;作者:L晨光

近日,日本半導體制造裝置協會 (SEAJ) 最新統計數據顯示,2025年日本製芯片設備銷售額年增14%至5.59萬億日元,連續2年呈現增長且年銷售額首度衝破5萬億日元大關,遠超2024年的4.44萬億日元。

作為僅次於美國的第二大半導體設備市場,日本全球市佔率達30%左右,其市場的高速增長不僅彰顯了自身的強勁勢頭,更折射出全球半導體設備行業的蓬勃生機。

近期,ASML、泛林集團(Lam Research)、科磊(KLA)、DISCO等多家半導體設備廠商陸續發佈財報。作為半導體產業鏈上游環節,AI淘金熱中最確定的「賣鏟人」,從這些設備廠商的財報數據和言論中,是否能洞察到行業的發展脈絡、未來趨勢以及當前值得關注的核心話題。

AI與存儲,雙管齊下


無論是光刻、刻蝕、檢測還是切割研磨,半導體設備的需求背后,始終是下游芯片產品的技術迭代與產能擴張。當前,推動設備市場增長的兩大核心動力清晰可見:AI芯片的爆發與存儲超級周期的復甦。

AI浪潮席捲,「賣鏟人」盆滿缽滿

首先,在這波增長浪潮中,AI技術的爆發式發展成為核心引擎,尤其是AI芯片對算力的極致追求,而芯片性能的提升,主要依賴於兩大技術路徑:一是向更先進的製程工藝(如3nm、2nm)演進,以在單位面積內集成更多晶體管;二是採用更復雜的先進封裝技術(如CoWoS),將多個芯片模塊高效集成,突破單晶片的物理限制。

這兩大技術路徑的演進,共同指向了對上游半導體設備更復雜、更精密、且價值量更高的需求。可以説,設備訂單的厚度,丈量着AI未來的深度。

當前,臺積電、英特爾、三星等行業巨頭圍繞2nm、18A等先進節點的博弈已全面展開,這種製程競賽正轉化為對高端半導體設備的剛性需求,成為本次設備需求爆發的核心驅動力。

ASML總裁兼首席執行官傅恪禮(Christophe Fouquet)在財報電話會議中明確指出:「基於對人工智能相關需求可持續性的更強預期,許多客户顯著上調了中期產能計劃,推動新增訂單創下歷史新高。」 這一觀點得到了財報數據的強力支撐。2025年第四季度,ASML實現淨銷售額97.2億歐元,同比增長4.92%,其中邏輯類訂單達58億歐元,環比增量30億,符合邏輯芯片製程升級帶來的季節性需求波動。

ASML財報數據

從全年表現來看,邏輯芯片業務貢獻了ASML系統收入的66%,這一佔比充分反映出臺積電、三星、英特爾等大廠在先進製程節點上的激烈競爭,已直接轉化為對核心設備的大規模採購。

泛林集團(Lam Research)同樣感受到了強勁的市場需求。其CEO Tim Archer將2025年定義為「創紀錄的一年」,公司全年營收高達206億美元,同比增長27%,連續十個季度實現增長,營收達到53.4億美元,毛利率和運營利潤率雙雙突破指引上限,其中全年毛利率達到49.9%,創下2012年合併以來的最高紀錄。

泛林集團財報數據

泛林集團的業績爆發,很大程度上得益於其在AI芯片先進製程領域的技術佈局——新產品Aqara導體蝕刻系統在過去一年裝機量翻了一番,在先進代工邏輯的EUV及高縱橫比蝕刻應用中贏得量產工具記錄,成為支撐公司增長的核心動力。

Archer進一步預測,受AI技術轉型推動,2026年全球晶圓製造設備(WFE)市場規模將從2025年的1100億美元躍升至1350億美元,其中先進封裝業務增速預計將超過40%,彰顯出AI驅動下邏輯芯片設備需求的強勁韌性。

在芯片製程向2nm及以下節點邁進的過程中,核心設備的技術門檻持續提升,光刻、刻蝕、檢測等細分領域的龍頭廠商憑藉技術迭代,精準捕捉了市場需求,其財報數據與技術進展共同印證了行業趨勢。

從設備出貨類型來看,ASML的EUV(極紫外光)系統已成為絕對增長引擎,2025年其EUV銷售額同比增長39%至116億歐元,佔系統銷售總額的48%。第四季度的新增訂單金額為132億歐元,其中74億歐元為EUV光刻機訂單,佔比56%,環比增長49億。值得注意的是,兩臺High-NA(高數值孔徑)EUV系統已正式計入營收,標誌着2nm及以下製程工藝的商用化又邁進了重要一步。

儘管目前臺積電初期的2nm和英特爾的18A製程仍以原有的Low-NA EUV為主,以保證良率穩定性,但採購的High-NA EUV設備已開始用於下一代製程的研發和試產,預示着ASML的High-NA EUV設備出貨高峰將在2026年之后到來。

從出貨量來看,ASML第四季度EUV出貨14台,環比明顯回升,而ArFi光刻系統作為當前出貨量最多的設備(本季度出貨37台),其主要客户來自中國大陸地區,背后正是邏輯芯片廠商對先進製程設備的迫切需求。

刻蝕設備領域,泛林集團的技術突破與市場拓展形成了良性循環。Aqara導體蝕刻系統之所以能實現裝機量翻倍,核心在於其「在蝕刻最小尺寸和非常高的縱橫比方面具有無與倫比的能力,同時保持輪廓控制並減少整個晶圓的變異性」,這種性能優勢恰好匹配了芯片工藝向GAA等複雜架構演進的需求。

泛林集團透露,在下一代環繞柵極器件中,使用Aqara的應用數量將增長約兩倍,包括關鍵前端硅蝕刻應用的勝出,這意味着隨着邏輯芯片製程的持續升級,刻蝕設備的需求將進一步擴大。泛林集團在2025年已實現約210個基點的市場份額提升,並預計2026年繼續擴大份額,其背后正是芯片廠商對高端刻蝕設備的偏好性選擇。

此外,檢測設備作為保障先進製程良率的關鍵環節,同樣受益於邏輯芯片的製程競賽。科磊(KLA)2026財年第二財季財報顯示,公司實現營收33億美元,調整后每股收益8.85美元,均超出市場預期。

科磊(KLA)財報數據

科磊首席執行官Rick Wallace表示:「科磊在2025年全年營收、非GAAP營業利潤和自由現金流方面均創下歷史新高,這得益於我們差異化的產品組合以及公司在晶圓代工和存儲器領域的前沿工藝。」 儘管科磊股價因第三財季指引呈現「穩健爬坡」態勢而出現短期波動,但業績本身已充分印證了市場需求——AI大模型的爆發迫使臺積電、三星等晶圓廠瘋狂採購檢測設備,以確保AI芯片先進製程的良率穩定,這一剛性需求構成了科磊業績增長的核心支撐。

后道設備領域,日本晶圓切割機大廠DISCO的表現同樣亮眼。受AI先進封裝(CoWoS)需求增長帶動,DISCO 2025財年第三季度(2025年10-12月)營收同比增長16.8%至1092.91億日元,創單季營收歷史次高記錄,反映客户投資意願的出貨額同比增長3%至1136億日元,創下歷史新高。

DISCO財報數據

作為AI先進封裝及邏輯芯片后道加工的核心設備商,DISCO憑藉近九十年技術沉澱及70%-80%的市場壟斷地位,精準把握了邏輯芯片封裝環節的設備需求。其出貨額的大幅增長,背后是全球晶圓廠AI芯片產線擴產需求,尤其是臺積電CoWoS擴容帶來的高精度切磨設備需求激增,印證了邏輯芯片全產業鏈的設備需求爆發。

從各家設備廠商的財報指引與高管表態來看,AI驅動下的邏輯芯片設備需求並非短期脈衝,而是進入了可持續的增長周期。這種可持續性既源於AI基礎設施建設的長期屬性,也來自於芯片製程升級的不可逆趨勢。

存儲超級周期,半導體設備需求猛增

與邏輯芯片領域的製程競賽相呼應,存儲芯片行業正經歷一場兼具需求爆發力與技術變革深度的「超級周期」。

這場周期不僅源於AI服務器對HBM、先進DRAM、NAND閃存的剛性渴求,更來自DRAM架構向4F²演進、NAND堆疊層數突破300層的技術迭代,二者共同將半導體設備需求推向新高度。當前,存儲領域的影響深度與持續周期遠超以往傳統存儲周期。

存儲需求的爆發首先體現在設備廠商訂單結構的顛覆性變化上,AI驅動下的存儲剛需正重塑行業需求格局。ASML 2025年第四季度財報顯示,公司新增訂單金額達132億歐元,環比激增77億歐元,較摩根士丹利此前72.7億歐元的「激進預期」仍高出80%,連續兩個季度同比接近翻倍。其中最關鍵的變化是存儲類訂單佔比從47%躍升至56%,首次超過邏輯類訂單,這一結構性轉變標誌着存儲已成為設備需求的核心驅動力。

這一變化的核心邏輯,在於AI服務器對HBM的極致依賴。HBM作為AI算力的數據通道,其製造需依賴EUV多次曝光工藝,技術壁壘極高,單顆HBM芯片的晶圓消耗量是傳統DRAM的3倍以上,且良率控制難度更大,直接決定了HBM擴產對設備的剛性需求。

ASML總裁傅恪禮在財報電話會議中明確指出:「存儲器客户報告HBM和DDR產品需求極為強勁,供應至少到2026年都將保持緊張,他們正加速推進1b和1c節點的產能爬坡。」而財報中EUV訂單增速顯著高於其他產品(74億歐元EUV訂單佔新增訂單56%),更印證了HBM4等高端產品的市場需求仍未完全釋放。

從周期持續性來看,行業普遍形成共識:本輪存儲超級周期至少將維持至2027年,不會出現明顯轉向。即便未來存儲行業出現周期性波動,HBM擴產對設備的需求仍具備強剛性:一方面,AI大模型從訓練走向推理、AI智能體普及將持續催生HBM需求;另一方面,HBM的技術壁壘決定了存儲廠商難以快速擴產,設備採購節奏將保持穩定。

這種「需求剛性+擴產緩慢」的格局,為設備廠商提供了長期穩定的增長支撐。

與此同時,存儲芯片對設備需求的拉動,遠不止於多買幾臺機器的產能擴充,其核心還在於技術路徑的升級,也正進一步放大對高端設備的需求強度。

隨着DRAM的架構升級與工藝迭代,傳統DUV向EUV的遷移節奏顯著加快。當前DRAM行業正從6F²架構向4F²架構演進,市場曾擔憂這一轉型可能導致EUV設備需求斷崖式下跌,但ASML與泛林集團的財報數據及高管表態均駁斥了這一觀點——4F²架構的結構複雜度更高,反而需要更先進的光刻與刻蝕技術,推動設備需求從量增轉向「價升+量增」雙重驅動。

從光刻環節來看,EUV正成為DRAM製程升級的核心工具。傳統6F² DRAM製造依賴DUV多重曝光技術,需多次曝光才能實現所需分辨率,不僅工藝複雜、成本高昂,還難以控制良率;而EUV可將多次DUV曝光簡化為單次曝光,既縮短工藝流程、提升產能,又能降低良率損耗。

ASML財報顯示,2025年DRAM客户在1b、1c節點上採用的EUV層數顯著增加,存儲領域收入佔比從2024年的32%升至34%,其中EUV貢獻了主要增量。傅恪禮進一步解釋:「客户厭惡技術懸崖,他們更願意在多個節點上優化工藝,而EUV正是簡化流程、騰出晶圓廠空間的關鍵,使用EUV越多,客户越能感受到其價值。」

在刻蝕環節,泛林集團的Aqara導體蝕刻系統成為技術轉型的直接受益者。該系統憑藉蝕刻最小尺寸與高縱橫比時的輪廓控制能力,過去一年裝機量翻番,在先進DRAM的1C節點贏得量產訂單,並計劃於2026年啟動量產;泛林CEO Tim Archer透露,隨着后續1D節點推進,Aqara的應用場景將擴展近三倍,涵蓋關鍵前端硅蝕刻應用。

更值得關注的是,三星已計劃將4F²工藝的樣品驗證節奏前移至2027年下半年,較原計劃提前約半年,這意味着刻蝕設備的需求高峰將提前到來,泛林、東京電子等刻蝕設備廠商將直接受益。

另一方面,NAND閃存的垂直堆疊技術升級,也為刻蝕、薄膜沉積等設備開闢了全新增量市場,設備價值量佔比隨層數提升持續上升。當前主流3D NAND堆疊層數已突破300層,且正朝着500層、1000層演進,每增加一層都意味着刻蝕次數的增加與深寬比要求的提升——深寬比90:1的刻蝕技術已成為行業標配,部分先進產線甚至達到100:1,直接推動刻蝕設備在NAND產線中的價值量佔比從傳統20%提升至30%以上。

泛林集團在財報中明確表示,NAND升級速度比預期更快,此前提出的「幾年內400億美元NAND升級機會」正加速落地。2026年NAND設備需求將以技術升級為主、少量新增產能為輔,其中ALD(原子層沉積)設備、高深寬比刻蝕設備成為核心需求。

據透露,泛林的ALD鉬(Moly)產品已在NAND領域實現突破,所有承諾採用鉬金屬化技術的NAND客户均選擇其設備——鉬金屬化技術可提升NAND芯片的性能與可靠性,是300層以上NAND的關鍵技術之一,且該技術后續還將向晶圓代工、DRAM領域延伸,進一步打開市場空間。

泛林CFO Doug Bettinger在財報電話會議中指出:「內存廠商會將DRAM優先於NAND一點,因為盈利能力稍好,但NAND的需求增長明確,2026年將是增長的一年,且升級投資的落地速度比我們想象的更快。」這種升級、擴產的雙輪驅動,將確保NAND設備需求在中長期內保持增長韌性。

綜合來看,存儲芯片超級周期對半導體設備的拉動,已從單純的產能擴張轉向需求爆發+技術變革雙輪驅動。在HBM、4F² DRAM、高堆疊NAND的推動下,EUV、刻蝕、沉積等設備需求將持續高增,而High-NA等新技術的落地將進一步延長增長周期。

對於設備廠商而言,能否在技術迭代中保持領先、在產能緊張時快速交付,將成為把握本輪超級周期的關鍵。

晶圓廠與存儲廠齊擴產,

設備端持續受益


除了AI與存儲的技術變革驅動,晶圓代工廠與存儲芯片大廠的大規模投資擴產,成為半導體設備需求的新增長引擎。

下游廠商為搶佔AI與高端存儲市場份額,紛紛加碼資本開支,將直接轉化為設備採購訂單。晶圓代工廠與存儲大廠的資本開支力度,直接決定了半導體設備市場的需求體量。2026年,全球核心廠商的投資規模再創新高,形成邏輯與存儲齊擴產的格局,為設備行業注入持續增長動力。

從晶圓代工廠來看,臺積電的動作極具風向標意義。其2026年資本開支大幅提升至520-560億美元,同比增長28%-37%,核心投向2nm先進製程與CoWoS先進封裝產能——這兩類產能均處於供不應求狀態,而每一條先進製程產線的建設,都需要採購上百台核心設備,從ASML的EUV光刻機到泛林的刻蝕設備,再到科磊的檢測設備,將全面受益。

ASML CEO傅恪禮直言,臺積電等代工廠的擴產計劃,是推動公司設備需求增長的關鍵因素,尤其是2nm以下製程對High-NA EUV的需求,將打開長期增長空間。

行業大廠投資擴產規劃

(圖源:DoiphinResearch)

存儲大廠的資本開支增速更為迅猛。美光將2026年資本開支從180億美元上調至200億美元,2027年還將進一步提高,重點投向HBM與先進DRAM產線;SK海力士明確存儲資本支出將大幅增長,同步推進HBM3e認證與HBM4送樣;三星存儲業務2026年資本開支預計達345億美元,較2025年的245億美元大幅提升,同時計劃擴充3條HBM新產線,2025年已採購ASML EUV設備8台、應用材料沉積設備25台。

綜合行業數據,2026年邏輯類廠商資本開支增速預計達18%,而存儲類廠商增速接近40%,這種存儲領跑、邏輯跟進的擴產節奏,將全面覆蓋光刻、刻蝕、沉積、檢測等各類設備需求。

日本半導體制造裝置協會的預測也印證了這一趨勢:2025年度日本芯片設備銷售額上修至4.91萬億日元,同比增長3.0%;2026年度進一步上修至5.5萬億日元,同比增長12.0%,首度衝破5萬億日元大關。SEAJ明確指出,臺積電2nm製程投資與HBM相關DRAM投資,是推動設備銷售額增長的核心動力,反映出下游擴產已直接傳導至設備端。

下游擴產潮已轉化為設備廠商的實實在在的業績與訂單,從訂單金額、排產周期到交付節奏,均呈現出「需求超預期、供給偏緊張」的行業特徵。

訂單層面,設備廠商的未交付訂單金額持續攀升。ASML截至2025年底的未交付訂單高達388億歐元,完全能覆蓋其2026年340-390億歐元的營收預期,其中2025年第四季度新增訂單132億歐元,創歷史新高,遠超市場預期的68億歐元。

ASML未來業績預期

泛林集團的訂單能見度同樣極高,公司透露2026年3月季度末將基本訂滿當年產能,已開始接收2027年的新訂單——這一現象極為罕見,要知道泛林傳統交期僅3-4個月,如今跨年排產的變化,充分説明需求強度與供給能力的錯配,也印證了下游擴產的迫切性。

交付與排產層面,設備廠商的產能緊張態勢持續加劇。ASML正逐季提升EUV產能,過去幾年已完成廠房、設備等長周期基礎設施投資,具備年產90台EUV設備的潛力,2027年EUV出貨量預計將達80-85台(蔡司半導體同步擴產EUV光學系統,同比提升20-25%)。泛林集團過去四年已將近製造能力翻倍,在馬來西亞、韓國、中國臺灣地區的製造/供應體系具備快速爬坡能力,以承接跨年排產的訂單。日本DISCO的排產同樣樂觀,預計2026年1-3月出貨額同比增長26%至1169億日元,將繼續刷新歷史紀錄,背后正是存儲芯片與先進封裝對切磨設備的旺盛需求。

從設備廠商的財報指引與行業趨勢來看,半導體設備市場的高景氣度將持續,技術迭代與需求韌性將共同拉長增長周期,2026年乃至2027年仍將是行業的黃金增長期。

短期來看,2026年設備市場將呈現「下半年更強」的增長態勢。受潔淨室空間短缺這一行業最大瓶頸影響,下游晶圓廠的基建與設備安裝進度將集中在下半年,泛林集團、ASML均明確表示下半年交付與裝機節奏將顯著快於上半年。

SEAJ預測2026年日本芯片設備銷售額同比增長12%,ASML預計全年營收增長4-19%(市場主流機構預期增速超20%),泛林集團則預測2026年全球WFE市場規模將從2025年的1100億美元躍升至1350億美元,同比增長22.7%,這些指引均指向行業短期增長的確定性。

中期看,技術迭代將成為設備需求的核心增長極。ASML的High-NA EUV設備已開始交付,2026年將進入批量交付階段,單台單價達4億歐元,是傳統EUV的兩倍,隨着2nm以下製程量產,2027年后將進入出貨高峰,成為ASML業績增長的新引擎。泛林集團的Aqara蝕刻系統、ALD鉬產品將持續受益於DRAM 4F²工藝與NAND高堆疊技術升級,公司預計2026年先進封裝業務增速超40%,WFE市場份額將從2025年的11.9%提升至2026年的12.9%,2027年進一步升至14.5%-15%。科磊、DISCO等廠商也將在檢測、后道加工設備領域,持續受益於先進製程與高端存儲的技術升級。

展望長期願景,AI算力競賽與存儲技術革新的持續性,將支撐設備行業進入「超級周期」。ASML CEO傅恪禮重申2030年願景:年營收有望達到440-600億歐元,毛利率提升至56%-60%,這一目標的核心支撐正是AI驅動的半導體需求持續增長,以及先進製程光刻強度的不斷提升。泛林集團將當前階段定義為「AI驅動的WFE上行階段」,認為工藝複雜度提升與單片資本強度上行的趨勢不會因短期價格波動而改變,2027年WFE市場仍將繼續增長。

需要注意的是,行業短期仍面臨潔淨室短缺、供應鏈協調等挑戰,但這些瓶頸反而拉長了設備需求的釋放周期,避免了行業快速進入周期下行。同時,設備廠商自身也在加速擴產,ASML、泛林、蔡司等均在提升產能,以應對下游持續的設備採購需求。

整體而言,半導體設備行業正處於AI+存儲技術驅動與下游擴產需求拉動的雙重利好周期中。下游晶圓代工廠與存儲大廠的資本開支落地,為設備廠商帶來確定性的訂單與業績增長;而High-NA EUV、先進刻蝕等技術迭代,將打開長期增長空間。

寫在最后


縱觀全球半導體設備行業近期的財報與高管論調,一個超越傳統周期波動的全新增長圖景已然清晰。

這場由AI算力革命與存儲技術範式遷移共同點燃的產業盛宴,其強度與長度均遠超預期。然而,在繁榮的共識之下,市場區域的重構則為行業增添了新的增長維度。

中國大陸市場的韌性在財報中呈現出鮮明對比:ASML在2025年第四季度有36% 的收入來自中國大陸,主要得益於客户對成熟製程所需的ArFi光刻機等設備的大力拉貨,這顯示出中國芯片製造業在既定規則下依然保持着強大的產能建設和升級需求。

ASML財報信息

泛林集團同期在華收入佔比也達到35%。然而,這種強勁的當前收入與面向未來的「訂單結構」之間存在温差。ASML管理層透露,其訂單中中國大陸佔比約為25%,預示着未來收入貢獻可能逐步調整。泛林集團亦對2026年中國晶圓廠設備支出持謹慎態度。這種現實強於預期,但未來趨於謹慎的態勢,成為當前行業必須面對的關鍵變量。

而另一方面,美國市場的崛起成為新趨勢。ASML美國地區收入佔比從上一季度的6%大幅躍升至17%,這一跳躍直觀地反映了《芯片與科學法案》激勵下,美國本土製造產能開支開始實質性落地。臺積電、英特爾、美光等巨頭的亞利桑那州、俄亥俄州工廠建設,正從投資計劃轉化為設備訂單。這不僅為設備商貢獻了增量市場,更通過客户基地的多元化,增強了其抵禦單一區域市場波動的能力。

當然,行業發展並非毫無挑戰。地緣政治的不確定性、技術壁壘的高企,仍可能給市場帶來短期波動,但這並未動搖行業的長期邏輯。ASML 2030年440-600億歐元營收的願景、泛林集團1350億美元WFE市場的預測,以及其他設備廠商的亮眼業績與未來預測,均基於一個核心判斷:AI驅動的算力需求與存儲技術的持續革新,將推動半導體設備行業進入「長坡厚雪」的發展階段。

歸根結底,半導體設備行業已成為全球科技競爭的「基石賽道」。在這場由AI引領的產業革命中,設備廠商既是「賣鏟人」,更是技術創新的先行者。只要算力競賽不停歇、技術迭代不中斷,半導體設備行業的黃金時代就將持續延伸,而那些能夠抓住技術機遇、適應區域格局變化、產能充足、交付能力強的設備廠商,終將在全球市場的重構中佔據核心地位,為半導體產業的持續進化提供堅實支撐。

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