「突破了國外管控限制，中國頭部存儲芯片製造商開始加速擴張」

【文/觀察者網 阮佳琪】

當地時間3日，《日經亞洲》援引知情人士消息稱，在全球存儲芯片供應嚴重短缺的背景下，中國兩大頭部存儲芯片製造商——長鑫存儲、長江存儲，正緊抓縮小與市場領導者差距的黃金機遇，啟動史上最大規模的擴張計劃。

據消息人士透露，作為中國最大的動態隨機存取存儲器（DRAM）廠商，長鑫存儲正在上海擴建工廠，新增總產能將達到其合肥總部基地的兩至三倍。

上述人士稱，上海新廠將生產面向服務器、計算機、汽車電子及其他電子產品的DRAM，設備安裝計劃於2026年下半年啟動，2027年正式投產；同時，該公司還在上海擴建高帶寬存儲器（HBM）生產線。HBM是人工智能領域的核心組件。

一位知情人士表示，長鑫存儲在合肥、北京的兩處工廠已處於滿負荷運轉狀態，「本土企業需求極為旺盛，公司希望儘快擴大產能。」

2019年5月15日，長鑫存儲首次亮相國際論壇 長鑫存儲官網

與此同時，總部位於武漢的中國頭部閃存（NAND）廠商長江存儲也在當地建設第三座工廠，計劃於2027年投產。

據消息人士所説，長江存儲已明確新廠產能規劃，除生產NAND外，50%產能將用於DRAM製造；同時還將與本土存儲封裝企業合作，為人工智能計算場景研發生產HBM。

三名消息人士向《日經亞洲》透露，長江存儲已通過採用成熟製程設備生產存儲芯片，在很大程度上突破了外國出口管制對芯片製造設備的限制，且已完成自主DRAM產品的研發工作。

「長江存儲兩年多前就啟動自主DRAM研發，具備紮實的技術基礎和市場支撐，未來量產高品質DRAM與HBM只是時間問題。」一位為長江存儲供貨的消息人士説道。

多名業內高管告訴日媒，中國存儲芯片製造商的擴張將主要服務於國內需求。截至目前，兩家公司暫未對此做出迴應。

綜合美媒報道，1月下旬，英偉達供應商美光科技曾表示，上一季度存儲器芯片短缺問題進一步加劇，受人工智能基礎設施高端半導體需求激增影響，短缺危機將持續至今年以后。

美光運營執行副總裁馬內什·巴蒂亞指出，人工智能加速器所需的HBM佔用了行業大量產能，直接導致手機、個人電腦等傳統領域芯片供應嚴重不足；個人電腦和智能手機制造商已開始排隊預訂2026年之后的存儲芯片訂單，而自動駕駛汽車、人形機器人領域的發展，還將進一步推高需求。

上周，三星、SK 海力士也相繼表示，受人工智能熱潮推動，產品需求快速攀升，企業產能難以匹配，行業供應緊張局面將持續至2027年。SK 海力士直言，人工智能驅動的「爆炸性」需求正造成內存市場「極端」失衡。

日媒分析認為，本輪存儲芯片短缺將持續一段時間，這為中國存儲芯片企業帶來了關鍵發展窗口期。企業可藉此填補手機、汽車等產品所需中端市場的供應空白，在收穫豐厚利潤的同時，加速高端技術領域的趕超步伐。

「當前是中國存儲廠商在全球供應鏈中站穩腳跟的最佳時機，手握存儲芯片者就是贏家。」一家為美光、長鑫存儲、長江存儲供貨的材料企業高管指出，存儲行業的向好前景至少將持續兩年以上。

據法國市場調研機構Yole集團數據，長鑫存儲目前是全球第四大DRAM廠商，僅次於三星、SK 海力士和美光，按產能計算市場份額約 11.1%。Yole集團預計，到2027年這一比例將升至13.9%。

從產品佈局來看，當前計算機、服務器內存條主流標準為DDR4和DDR5；LPDDR作為低功耗版本，主要應用於手機、平板、筆記本等移動端電子產品，主流標準為LPDDR5/5X。

長鑫存儲已成功量產DDR4與LPDDR4，並加速向支撐AI基礎設施升級的關鍵技術方向DDR5迭代，去年年底已官宣量產LPDDR5X；同時，受美國限制措施導致HBM供應中斷影響，該公司正着力滿足國內HBM需求。

加拿大諮詢公司TechInsights曾表示，原本預計長鑫存儲至少要到2025年底或2026年初才能具備量產LPDDR5的能力。作為一家2016年才成立的企業，長鑫存儲起步時中國幾乎沒有自主DRAM生產能力，其技術迭代速度顯著快於行業預期。

TechInsights副主席丹·哈奇森指出，雖然長鑫存儲的全球市場份額仍然相對較小，且主要集中在中國，但其在高度商品化的DRAM領域的快速發展正在產生「滾雪球效應」。

「你獲得的市場份額越大，產量就會越大，收益率就會越高，繼而降低生產成本。而這意味着，你的市場份額將繼續擴大，」哈奇森解釋説，「20世紀80年代和90年代，韓國人正是通過這種方式將日本人擠出了內存領域，而現在，歷史正在重演。」

2025年10月29日，長鑫存儲官宣量產LPDDR5X。

得益於政策驅動的本土供應鏈需求，長江存儲的市場份額也在持續提升。Yole集團預計，到2025年，其晶圓產能份額約為12%，到2028年有望增長至15%。

去年2月，長江存儲曾以一則簡短消息轟動行業：這家歷經多輪斷供考驗的企業，憑藉自主獨創技術，開始向海外巨頭授權關鍵技術專利，實現中國存儲技術的反向輸出。

《長江日報》評價這場「絕地反擊」時寫道：整整23年持續攻關，中國存儲產業每一步突破，都在將「卡脖子」的手一寸寸推開。勇攀世界半導體存儲科技高峰，「卡，是卡不住的。」

如今，長江存儲已在超高層三維閃存工藝上實現全球領跑，市場份額持續提升，穩居世界前五。

「基於我們對供應鏈的調研，中國存儲芯片廠商正擴大產能以應對激增的需求。」Yole集團亞洲區主管Gary Huang表示，全球存儲供應緊張為新興廠商創造了有利環境，使其擁有更健康的財務狀況以支持擴張。

「中國大力推進本地化生產和政府支持也起到了推動作用。這些因素共同促進更多企業採用替代內存供應來源，為本土企業創造了新的商機。」他補充道。

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