殺入存儲賽道？軟銀和英特爾攜手：「低功耗版HBM」將於2029財年前商業化！

財聯社2月3日訊（編輯 黃君芝）人工智能（AI）基礎設施建設正助力掀起一輪存儲「超級周期」，投資巨頭和科技巨頭正在爭先佈局這一賽道。軟銀集團周二表示，其子公司Saimemory已與英特爾公司達成合作，共同開發一種新型存儲芯片技術。

據悉，雙方已於當地時間2月2日簽署合作協議，共同將ZAM（Z-Angle Memory）商業化。ZAM是一種具有高容量、高帶寬和低功耗特性的下一代內存技術。

根據這項合作協議，Saimemory將藉助英特爾的下一代DRAM（動態隨機存取存儲器）組裝技術，並計劃在至少2028年初之前完成原型產品的開發。更具體地説，Saimemory的目標是在2027財年創建原型，並在2029財年實現商業化。

軟銀在一份聲明中表示，該技術的開發旨在用於人工智能數據中心。鑑於運行生成式人工智能模型需要強大的計算能力，高速內存是人工智能數據中心的關鍵組成部分。

「這項名為‘ZAM’的下一代存儲技術，將為數據中心和其他需要大規模AI模型訓練和推理處理的場所帶來高容量、高帶寬的數據處理能力、更高的處理性能以及更低的功耗。」軟銀寫道。

當下，AI大模型訓練算力需求正呈指數級增長，數據中心能耗問題已然成為行業痛點。傳統HBM等高帶寬內存雖可提升數據傳輸效率，但功耗問題始終難以攻克。例如，有數據顯示，在谷歌的AI數據中心里，HBM內存單元的功耗佔比高達35%，散熱成本更是逐年攀升。

而軟銀與英特爾此次聯手研發的新型AI內存芯片也正是瞄準這一行業瓶頸，此次合作也預示着AI硬件領域即將迎來一場能效層面的重大變革。

另據瞭解，Saimemory是軟銀於2024年12月成立的子公司，旨在推動下一代存儲技術的研究與開發，並將其應用於實際應用。在去年有意與英特爾聯手后，該公司在2025年年中進行了更名。它們最初以「Saimemory」為名，旨在打造出性能可與當前主流的HBM相媲美、但功耗卻能降低一半以上的創新產品。

據早些時候的報道，軟銀作為此次合作的關鍵投資者，已決定初期投入30億日元，成為最大的出資方。整個項目的預計總成本高達100億日元（約合7000萬美元）。但值得注意的是，一旦Saimemory的產品成功推向市場，軟銀將享有優先供貨權。

另一方面，從英特爾的角度來看也具有重要意義。這一消息宣佈之際，正值英特爾努力加強其芯片產品線，並試圖在為人工智能領域提供產品方面趕上其競爭對手。

與此同時，這也標誌着英特爾在存儲器領域的一次重大回歸。英特爾在2022年決定退出Optane存儲業務，並將其NAND閃存業務出售給SK海力士，儘管當時仍保留了Optane相關的3D XPoint技術和專利。

分析人士指出，雖然Saimemory專注於DRAM技術，與Optane的非易失性存儲技術路徑不同，但英特爾在先進封裝和芯片堆疊等領域的技術積累，將為Saimemory的研發提供有力支持。