AI推理霸權戰升級！微軟「自研Maia 200芯+15座數據中心」放大招，港股算力概念股「聞風起舞」

微軟的多方佈局，正引爆AI算力霸權戰。

今日（1月28日），韓國股市全線大漲，總市值達到3.25萬億美元，超過德國。其中，SK海力士繼續大漲，目前漲幅超過5%，總市值突破600萬億韓元。值得注意的是，SK海力士股價近日連續大漲，昨日股價飆漲近9%。

據最新消息，微軟在威斯康星獲批新建15個數據中心。此次批准將助力微軟擴充數據中心容量，以支持其提升算力、加速人工智能佈局的雄心。此外，新增的數據中心容量，還將使微軟能夠鎖定其從OpenAI及其他客户那里獲得的收入。

另外，當地時間周一，微軟正式發佈新一代高性能AI推理芯片Maia 200。隨后，市場傳出，SK海力士成為這款芯片的先進內存獨家供應商。有分析師預計，2026年，全球DRAM和NAND芯片的價格漲幅將超出市場預期。

港股相關板塊也應聲跟漲，半導體股納芯微漲超10%，兆易創新漲超8%，華虹半導體漲超3%，中芯國際漲超2%；光通訊板塊長飛光纖光纜漲超13%，匯聚科技漲超5%，鴻騰精密漲近2%，劍橋科技微漲；AI應用概念股商湯-W、快手-W、嗶哩嗶哩-W均漲超3%，金山雲、騰訊控股漲超2%。

微軟獲批新建15個數據中心

最新消息傳出，微軟在威斯康星州Mount Pleasant新建15個數據中心的計劃獲得了當地政府批准，該數據中心位於微軟正在擴建的現有數據中心附近。

CNBC報道稱，新增的數據中心容量將使微軟能夠鎖定其從OpenAI及其他客户那里獲得的收入。目前，亞馬遜、谷歌和甲骨文正與微軟展開競爭，爭相建設配備英偉達芯片、用於訓練和運行生成式人工智能模型的數據中心。

報道稱，這些數據中心的選址工作頗具挑戰性，因為電力公司往往無法提供所需的電力供應。而且，越來越多居住在潛在數據中心選址附近的人們正在發起反對活動。不過，Mount Pleasant的居民和官員們總體上對微軟在該鎮的擴張表示歡迎。

微軟位於威斯康星州的上述新項目被劃分爲兩個區域，均位於微軟現有廠區的西北方向。其中較大的一塊地，微軟分別於2023年和2024年從村政府和私人業主手中購得。根據存檔文件，該項目擬建近900萬平方英尺的建築面積，並計劃建設三個變電站。相關文件顯示，擬建開發項目的應税價值合計超過130億美元。

新一代高性能AI推理芯片

當地時間1月26日，微軟正式發佈新款芯片Maia 200，同時推出配套軟件工具。微軟稱，這款芯片是為AI推理規模化部署打造的高性能核心算力芯片。

微軟表示，相比2023年推出的Maia 100，Maia 200在技術上實現了升級，能夠以更快的速度、更高的能效運行高性能AI模型。這款芯片集成超1000億個晶體管，4比特精度下的算力可達10 petaflops以上，8比特精度算力約5 petaflops，相較上一代產品實現大幅提升。

微軟稱：「作為AI推理領域的性能猛獸，Maia 200採用臺積電3納米制程，配備原生FP8/FP4張量核心，擁有重新設計的內存系統：搭載216GB HBM3e內存，帶寬達7TB/s，片上集成272MB SRAM，並配有數據搬運引擎，可確保大型模型持續獲得高速、高效的數據供給。這使得Maia 200成為所有超大規模雲廠商中性能最強的自研芯片，其FP4性能是亞馬遜第三代Trainium的三倍，FP8性能也高於谷歌第七代TPU。同時，它也是微軟部署過的最高效的推理系統，每美元性能比當前機隊中的最新一代硬件提升30%。」

微軟表示，Maia 200屬於公司的異構AI基礎設施的一部分，可服務多種模型，包括來自OpenAI的最新GPT-5.2系列，為Microsoft Foundry和Microsoft 365 Copilot帶來性能優勢。微軟超級智能團隊將使用Maia 200進行合成數據生成和強化學習，以改進下一代自研模型。在合成數據流水線場景中，Maia 200的獨特設計可加快生成和篩選高質量、特定領域數據的速度，為下游訓練提供更新、更精準的信號。

據悉，Maia 200已部署在愛荷華州得梅因附近的美國中部數據中心區域，接下來將擴展至亞利桑那州鳳凰城附近的美國西部3區，並計劃在未來覆蓋更多區域。

周二，有外媒報道稱，SK海力士成為微軟新款人工智能芯片Maia 200的先進內存獨家供應商。受此消息刺激，SK海力士股價當天大漲8.7%，創出歷史新高。

得益於早年與英偉達公司達成的供貨協議，SK海力士搭上了人工智能的東風，其股價在約三年內暴漲十倍。與此同時，傳統存儲芯片的定價也開始回升，在該公司本周四發佈業績報告之前，進一步提振了市場對其業績的樂觀預期。

另一大利好因素來自花旗集團，該機構日前將SK海力士的目標股價上調56%至每股140萬韓元，創下券商目標價新高。同時，花旗集團維持SK海力士的「買入」評級，並對該股啟動為期30天的上漲催化觀察。分析師預計，2026年全球DRAM（動態隨機存取存儲器）和NAND（閃存）芯片的價格漲幅將顯著超出市場預期。