粵芯252億半導體項目啟動！

（來源：廣東省半導體行業協會）

1月22日，粵芯半導體項目四期啟動建設，這一消息引發市場高度關注。在全球半導體產業競爭日益激烈的當下，各大廠商紛紛佈局晶圓廠建設與產能擴充。

事實上，除了粵芯半導體啟動四期項目建設外，近期，力積電、臺積電、華虹宏力、英特爾等分別在晶圓代工領域披露了新動態，開工、買地、招標等消息時有傳來。這些動作不僅反映了半導體市場的強勁需求，也預示着行業格局的進一步變化。

總投資252億元！粵芯半導體四期項目正式啟動

1月22日，粵芯半導體四期項目在廣州黃埔區正式啟動。

該項目總投資約252億元，規劃建設月產能4萬片的12英寸數模混合特色工藝生產線，工藝技術節點覆蓋65nm至22nm，預計2029年底建成投產，將圍繞「感、傳、算、存、控、顯」六大方向，系統構建具備國際先進水平的數模混合、光電融合等特色工藝平臺。

據瞭解，粵芯四期項目將精準對接AI、端側AI、工業電子、汽車電子等前沿領域爆發性增長對特色工藝的迫切需求。

資料顯示，成立於2017年的粵芯半導體是廣東省自主培養且首家進入量產的12英寸晶圓製造企業，專注於模擬芯片製造，累計出貨已超180萬片。目前粵芯半導體擁有兩座12英寸晶圓廠，分別為第一工廠（粵芯一、二期）和第二工廠（粵芯三期），規劃產能合計爲8萬片/月。

其中，一期項目總投資55億元，於2019年9月建成投產，主要技術節點為180-90nm製程，月產能2萬片。二期項目總投資85億元，將技術節點延伸至180-55nm工藝，新增月產能2萬片。三期總投資162.5億元，採用180-90nm製程技術，規劃新增月產能4萬片，於2024年12月通線投產。

此次啟動的粵芯四期項目為第三工廠，建成后，粵芯半導體規劃產能合計將達到 12 萬片/月。北京大學信息工程學院院長楊玉超教授認為：「粵芯四期項目特色工藝的技術路線兼具先進性與可行性，關鍵工藝達到國際同等水平，是粵芯因應目標市場（產品）技術節點遷移的發展趨勢，持續提升技術先進性並以此持續構建核心競爭力和長遠發展能力的關鍵舉措，精準契合國家對於高端模擬、數模混合、存算一體及光電融合芯片自主可控與創新發展的迫切需求。

力積電重組原有3座12英寸、2座8英寸晶圓廠生產資源

1月17日，晶圓代工大廠力積電宣佈與美光科技簽署獨家合作意向書(LOI)，將銅鑼廠以18億美元現金售予美光。美光將和力積電建立DRAM先進封裝的長期晶圓代工關係，美光也將協助力積電在新竹P3廠精進現有利基型DRAM製程技術。

據科技新報報道，力積電銅鑼廠區土地面積逾11萬平方米，整體廠區規劃可興建三座12英寸晶圓廠，單座月產能約4~5萬片，目前已完成第一座廠房建設，但僅安裝了約8000多片的產能設備。。

力積電董事長黃崇仁表示，未來力積電將瞄準AI供應鏈，重組原有三座12英寸、二座8英寸晶圓廠的生產資源，專注於AI應用所需的3D AI DRAM、WoW（Wafer on Wafer）、硅中介層（Interposer）、硅電容（IPD）、電源管理IC（PMIC）及功率元件（GaN/MOSFET）等高附加價值晶圓代工產品，並逐步減少非AI相關的業務，順勢優化力積電的產品組合以提升長期獲利能力。

針對內部營運調整，力積電總經理朱憲國表示，該公司將在確保生產不中斷及不影響FAB IP業務的前提下，將銅鑼廠的人員、設備及產品線有序遷回新竹廠區。在汰換新竹廠區老舊設備的同時逐步淘汰低毛利產品，以降低對成熟製程代工業務的依賴，強化力積電營運體質。

斥資1.97億美元，臺積電在亞利桑那州鳳凰城買地建廠

1月15日，臺積電董事長魏哲家在第四季法説會上就晶圓廠建設進展及佈局進行了説明。

當前，隨着晶圓代工製程技術日益複雜，臺積電與客户的合作時間已提前至少2–3年。魏哲家預期，未來整體營收成長將由智能手機、高效能運算（HPC）、物聯網（IoT）及車用電子四大成長平臺共同推動。

為應對市場需求增長，臺積電計劃增加產能。據魏哲家透露，臺積電正儘可能提前現有的晶圓廠建置計劃，並提高晶圓廠生產力，產出更多產能，必要時將N5產能轉換以支援N3，並聚焦於各製程節點的產能優化。

在美國晶圓廠建設部分，臺積電已加速亞利桑那州產能擴充並順利執行計劃，首座晶圓廠已於2024年第四季度成功進入高量產階段；第二座晶圓廠建造已完成，工具搬遷與安裝計劃於2026年進行。因應客户強勁需求，亦提前生產排程，預計2027年下半年進入高量產階段；至於第三座晶圓廠已開工建造，臺積電也正申請第四座晶圓廠及首座先進封裝廠的建造許可。

值得一提的是，臺積電於近日發佈公告稱，公司子公司TSMC Arizona斥資1.97億美元，在美國亞利桑那鳳凰城取得土地，將供營運與生產使用。

魏哲家指出，近期完成鄰近的第二塊大面積土地購置，以支持現有擴建計劃，並在面對長期AI強勁需求時提供更多靈活性。此計劃將使臺積電能在亞利桑那州建立獨立的Gigafab集羣，支援智能手機、AI及HPC客户的需求。

此外，臺積電表示，其日本首座晶圓廠已於2024年底開始量產，良率表現優異；第二座晶圓廠建設已啟動，其技術及量產排程將依客户需求與市場條件決定；德國德累斯頓特殊晶圓廠建設進度如期進行，量產排程將依客户需求及市場條件決定。同時，臺積電正在新竹與高雄科學園區規劃多階段2納米晶圓廠。

魏哲家表示，從2025年便觀察到與AI相關的需求十分強勁，而非AI終端市場則趨於平穩，並出現小幅復甦。展望2026年，AI模型在消費、企業及AI領域的採用持續增加，推動對運算能力的需求，支撐了對最先進芯片的強勁需求。

38億元，華虹Fab9B項目開啟招標

據無錫市公共資源交易平臺官網近日披露，華虹Fab9B項目招標已開啟。

招標信息顯示，華虹Fab 9B項目位於無錫市新吳區新洲路30-2號，已由無錫高新區（新吳區）數據局以江蘇省投資項目備案證錫新數投備[2025]1374號批准建設，項目業主為華虹宏力半導體（無錫）有限公司。

據瞭解，該項目利用現有生產和動力廠房，新建潔淨室和動力系統（包括機電、純廢水、化學品、特氣等），並配置相應的工藝設備、量測和輔助設備、自動搬運系統及生產管理系統，堅持自主研發與適當引進的方式構建特色工藝技術平臺，建設一條月產能達到5.5萬片的12英寸特色工藝生產線。

項目招標合同估算價38億元，設計開工日期為2026年2月10日，施工開工日期為2026年2月10日，工程竣工日期為2027年1月31日。

資料顯示，華虹宏力半導體（無錫）有限公司成立於2025年10月30日，註冊資本668萬元。

天眼查信息顯示，該公司由華虹宏力全資持股，經營範圍包括集成電路製造；集成電路芯片及產品製造；集成電路銷售；集成電路芯片及產品銷售；集成電路設計；集成電路芯片設計及服務等。

英特爾俄亥俄州晶圓廠工程啟動？

據外媒Tom’s Hardware報道，英特爾位於美國俄亥俄州的「Ohio One」大型晶圓廠計劃，近期出現實質推進跡象。

報道稱，負責該項目的工程承包商Bechtel Group近日在其網站上發佈了多條與Ohio One相關的工程與技術職位。

據Bechtel Manufacturing and Technology事業部門官網資訊，近期英特爾刊登的多個職位明確標註工作地點位於俄亥俄州新奧爾巴尼（New Albany），而該地點即為英特爾規劃中的「硅谷中心（Silicon Heartland）」所在地。部分招聘信息顯示，Bechtel正負責Ohio One第一階段的設計與建造工程。

Bechtel在職位介紹中透露，Ohio One第一期工程佔地約250萬平方英尺，整體鋼材用量相當於約8座埃菲爾鐵塔。

據悉，英特爾於2022年宣佈，將在美國俄亥俄州新奧爾巴尼市投資280億美元建設兩座先進半導體工廠，分別為Mod 1與Mod 2，整體園區未來最多可擴充至八座晶圓廠。

該項目原計劃於2025年投入運營，不過，由於資金與市場等因素，已兩次延期。最新時程顯示，Mod 1將率先投產啟用，Mod 2則可能在一年后投產，整體投產時間落在2030至2031年間。