「超級周期」已至！眾多行業人士預測：存儲短缺或至少持續兩到三年

隨着人工智能基礎設施建設轟轟烈烈，人們越來越感受到，存儲芯片供應緊張狀況可能會比預期持續更長時間。那麼，這一供應短缺情況究竟會持續多久？

多位半導體行業資深人士作出了相似的判斷：很可能還會至少持續兩到三年。

內存短缺或延續至明年

近年來，隨着鉅額資金繼續投入到數據中心基礎設施建設中，市場對內存芯片的需求也達到了前所未有的水平，半導體的價格也因此出現了前所未有的上漲，這種上漲趨勢今年還將持續。

全球EDA和半導體IP領域的龍頭企業新思科技（ Synopsys） 的首席執行官薩西尼·加齊（Sassine Ghazi）在接受採訪時表示，芯片「短缺」現象將在2026年和2027年持續下去。

加齊表示，目前，全球頂尖廠商的大部分內存芯片「直接流向了人工智能基礎設施，但許多其他產品也需要內存，所以如今這些其他市場因產能不足而陷入困境。」

他指出，三星、SK 海力士和美光作為全球最大的內存公司，雖然正致力於擴大生產，但要實現擴產目標，需要「至少」兩年的時間，這也是此次短缺將持續下去的原因之一。

「現在對於內存公司來説是一個黃金時期，」加齊説道。他還補充稱，內存價格的上漲意味着消費電子公司可能不得不考慮提價，而這一趨勢目前「已經在發生」。

我們正處於「超級周期」

通常來説，內存價格會經歷供應短缺或供應過剩的周期，這種周期決定了這些組件的價格。然而，越來越多行業人士和分析師感受到，當前的內存正處於「超級周期」——換言之，供應短缺的情況將持續比過去更長的時間，內存的漲價潮將會比過去持續更久、範圍更大。

事實上，美光科技在去年底發佈2026財年第一季度業績報告時就曾做出過這樣的預測。

美光表示，持續的行業需求加上供應限制，導致存儲市場供應緊張，預計這種情況將持續到2026年以后。這意味着市場上行周期至少會持續三年，甚至可能更久。

推動這一趨勢的主要因素是HBM芯片的強勁需求。美光預測，到2028年，HBM總潛在市場將以約40%的複合年增長率增長，從2025年的約350億美元增長到2028年的約1000億美元。

而與此同時，NAND的需求往往會跟隨HBM上漲，這表明當前的存儲上升周期可能會從2024年持續到2028年。

布魯姆斯伯里情報與安全研究所（The Bloomsbury Intelligence and Security Institute）則指出：

「全球內存市場正經歷一場結構性危機，其原因是製造商將晶圓產能從DRAM重新分配到用於HBM芯片上。因此，DRAM價格同比上漲了171%，而DDR5現貨價格自2025年9月以來已經翻了兩番。」

這種情況會持續多久？存儲器價格可能在2027-2028年期間保持高位，只有當新的製造設施實現量產時，價格纔有可能部分恢復正常；如果隨着產能的擴張，人工智能需求放緩，那麼可能到2028-2029年纔會出現供應過剩的情況。

行業分析公司IDC也強調了半導體「超級周期」已經到來。他們表示：「在經歷了2023年的調整和2024年的復甦之后，2024年至2028年的長期半導體收入增長仍有望實現兩位數的複合年增長率。」

華爾街投行做出類似預測

在華爾街，高盛和野村等投資機構也已經也做出類似判斷。

高盛在近期的調查報告中指出，自新年伊始，DDR5現貨價格已出現大幅上漲，而 DDR4現貨價格自2024年9月開始上漲，目前仍呈上升趨勢。這意味着DRAM合約價格近期上漲動力強勁，原因是DDR5/DDR4 現貨價格已經相較於合約價格產生了巨大溢價。

高盛還預測，全球存儲巨頭三星今年的DRAM芯片平均定價將會每個季度環比增長，尤其是一季度增幅預計可達50%。

高盛：三星今年DRAM芯片定價預計持續增長

而野村在近期的報告中指出，全球存儲器市場正在經歷前所未有的「三重超級周期」，預計在2026年，DRAM、NAND和HBM的需求將同時激增。

野村還判斷稱，在強勁的需求增長和有限的供應擴張影響下，這一超級周期將持續到2027年。