GaN，生變

本文來自格隆匯專欄：半導體行業觀察 作者：L晨光

在半導體市場，氮化鎵（GaN）作為第三代半導體的核心材料，憑藉寬禁帶特性、高電子遷移率以及卓越的耐高温、耐高壓性能，近年來被視作通信、新能源、消費電子等眾多領域的終極解決方案，引得全球半導體巨頭紛紛重兵佈局，展開了一場激烈的軍備競賽。

不過，近段時間以來，GaN行業卻頻現關鍵轉折，彷彿一夜之間，風向突變。

恩智浦毅然決定關閉美國亞利桑那州6英寸ECHO晶圓廠，全面退出基於GaN的5G功率放大器(PA)市場；代工巨頭臺積電也在早些時候宣佈在2027年7月前內逐步退出GaN代工業務，就連Wolfspeed也將旗下GaN業務打包出售...，這些國際巨頭的接連撤退，無疑給火熱的GaN市場澆下一盆冷水，不安的市場情緒持續蔓延。

但從另一方面來看，在上述巨頭們收縮戰線的同時，英飛凌、德州儀器、安森美、意法半導體、瑞薩電子等國外大廠，以及英諾賽科、三安、士蘭微、芯聯集成等國內相關企業，仍在迅猛擴張，相繼加大在GaN領域的投入，投資項目與規劃層出不窮。

一邊是巨頭相繼退場，一邊是企業積極佈局，GaN市場正上演一場極具戲劇性的「冰與火之歌」。

這種鮮明反差與雙重敍事的表象之下，實則是市場需求、商業邏輯、技術路線與成本控制的深層博弈。而巨頭的集體退場究竟釋放出怎樣的行業信號？GaN賽道是否已開啟差異化競爭新格局？代工模式與IDM路線的博弈又將走向何方？行業加速洗牌下，如何探尋GaN賽道未來發展路徑？...

這一切，都需從這場「冰與火交織」的動態中尋找答案。

巨頭退場釋放哪些信號？

表面上的撤退，實則是產業內在邏輯發生深刻轉變的外在體現。

5G基站退潮，恩智浦離場

退場的關鍵原因，是前期被寄予厚望的市場需求未能如期爆發。

以恩智浦聚焦的5G基站射頻市場為例，其位於美國亞利桑那州錢德勒的ECHO晶圓廠，於2020年9月投產，彼時正值全球5G部署的熱潮。恩智浦將其定位為當時最先進的同類工廠，專為生產高效率、高功率密度的GaN PA芯片而建，試圖以GaN技術延續其4G時代的優勢，取代傳統LDMOS技術成為5G基站的新「黃金標準」。

然而，僅僅5年多后，這座曾承載雄心的晶圓廠宣佈將在2027年第一季度完成最后一片晶圓的生產。恩智浦坦言，做出這一艱難決定的核心原因在於「5G市場持續低迷」——全球移動運營商因投資回報率偏低，大幅放緩了5G基站建設節奏，實際部署數量遠低於最初預期。

據Omdia數據顯示，5G設備收入已從2022年的450億美元連續兩年下滑，2023年和2024年各減少50億美元。需求疲軟直接對產業鏈上游帶來明顯衝擊，愛立信與諾基亞近年來裁員超數萬人，而恩智浦的通信基礎設施相關業務營收也在2023年下滑近20%，2024年前三季度再跌25%。

此外，技術策略滯后、未能及時跟上5G大規模MIMO和高頻趨勢，也是恩智浦在此落敗的重要因素，市場被競爭對手逐漸蠶食。

此次退場是恩智浦的戰略改變，將資源轉向汽車電子、物聯網安全等增長領域。這也意味着這家老牌廠商徹底告別了射頻功率這一曾經的核心優勢領域。

不過，恩智浦的退出或將給5G供應鏈帶來衝擊。其全面停產后，愛立信、諾基亞等設備商的元器件選擇範圍收窄，供應鏈多樣性受損。有行業專家警告，使用恩智浦芯片的廠商需立即啟動替代方案評估，短期內PA芯片或面臨供應緊張與價格上漲。

臺積電：GaN代工，不夠賺錢

臺積電宣佈將於2027年關閉GaN代工產線時，整個行業為之震驚。

實際上，早在2020年，臺積電就宣佈，要與意法半導體合作加速GaN製程的開發。通過此次合作，意法半導體採用了臺積電的GaN製程來生產其GaN產品；臺積電還與納微半導體合作，納微半導體專有的GaN工藝設計套件（PDK）就是基於臺積電的硅基GaN平臺開發的；羅姆也將其650V耐壓產品全面委託臺積電代工生產。

在GaN產能方面，2023年臺積電已佔據全球GaN晶圓代工40%的市場份額，與德國X-Fab、中國臺灣漢磊形成「一超兩強」的格局，成為硅基GaN技術路線產業化的關鍵推動者。

在市場廣闊、訂單豐富的情況下，臺積電取消GaN生產線的決策似乎是一個令人費解的決策。然而，深入探究便會發現，這一決策背后是臺積電對毛利率的嚴苛要求。

衆所周知，臺積電向來以追求高利潤著稱，其商業模式建立在先進製程技術和高附加值產品之上，低於50%的毛利率業務很難契合其戰略定位。在GaN芯片製造領域，儘管市場需求不斷攀升，但GaN代工訂單規模小、利潤薄；再加上大陸廠商憑藉低成本優勢，迅速在市場中崛起，以低價策略吸引了大量對價格敏感的客户，使得臺積電的高價產品在市場競爭中逐漸失去優勢。

在這種激烈的市場競爭環境下，臺積電難以維持其期望的高毛利率。因此，面對有限的產能資源，臺積電爲了追求更高的利潤回報，選擇將寶貴的產能轉移至AI芯片、先進製程等需求更為旺盛，利潤更為豐厚的領域。

從這個角度來看，臺積電關閉GaN代工產線，是其基於自身戰略和經濟利益考量，對產能資源進行的一次高效配置，確保公司在半導體市場的持續領先地位和盈利能力。

臺積電的「退場」，讓眾多依賴其代工的GaN廠商陷入了窘境。其中，納微半導體作為重要的GaN芯片企業，爲了確保自身業務的連續性和穩定性，迅速宣佈與力積電達成了戰略合作協議。

意法半導體則是本身具備一定的IDM能力，擁有自己的芯片製造工廠。面對此次變局，意法半導體一方面可能會加大自身工廠在GaN生產方面的投入，提升內部產能；另一方面，也不排除與其他外部代工合作伙伴建立新的合作關係，以確保產品供應的穩定性。

羅姆選擇加強與現有合作伙伴的深度協作，共同優化現有代工流程，提升產能效率。同時也在積極探索新的代工資源。

Wolfspeed：賣掉GaN，All in SiC

Wolfspeed以1.25億美元的低價出售GaN射頻業務，這一交易背后折射出其在複雜市場環境下的艱難抉擇和戰略考量。

近年來，SiC市場競爭異常激烈，中國廠商憑藉成本優勢迅速崛起，使得Wolfspeed在SiC襯底領域的市佔率大幅下滑，從2022年的62%暴跌至2024年的33.7%。與此同時，全球電動車市場需求出現疲軟態勢，這對專注於為電動車提供SiC功率器件的Wolfspeed來説，無疑是雪上加霜。

在這種嚴峻的市場形勢下，Wolfspeed意識到必須集中所有資源和精力，全力投入到SiC主業中，才能在激烈的市場競爭中求得生存和發展機會。而GaN射頻業務雖然具有一定的技術優勢和市場基礎，但與其核心業務SiC相比，重要性和發展潛力相對較弱。

因此，爲了給SiC業務輸血，Wolfspeed果斷做出了出售GaN射頻業務的決策，將所有賭注都押在了SiC這一未來增長引擎上。不過，這種「孤注一擲」的策略也伴隨着巨大風險，若SiC市場需求不及預期，或技術路線出現替代，Wolfspeed可能陷入更加被動的局面。

GaN，市場格局生變

GaN市場的競爭焦點，已從單純的技術先進性比拼，轉向對高潛力市場的精準判斷、強大的工程化能力與盈利模式的綜合考驗。

然而，市場的寒意並未蔓延至所有領域，在巨頭們紛紛退場的同時，仍有許多企業堅定地看好GaN市場的發展前景，選擇在這片充滿挑戰與機遇的領域中繼續深耕，它們的佈局思路和發展策略各不相同，共同構成了GaN市場多元化、差異化的競爭格局。

IDM巨頭：差異化進擊，加碼中國市場

英飛凌、意法半導體、安森美、德州儀器、瑞薩電子等IDM行業大廠，憑藉着深厚的技術積累、完善的產業鏈佈局和強大的市場渠道，在GaN領域展開了差異化競爭，紛紛加大研發投入，不斷推出高性能、高可靠性的GaN產品，搶佔高端市場份額。

例如，英飛凌憑藉其強大的IDM模式，正在推進其在300毫米（12英寸）晶圓上的可擴展GaN生產，首批客户樣品計劃於今年第四季度發貨。據悉，英飛凌是業內首家在其現有量產基礎設施內成功開發300毫米GaN功率晶圓技術的半導體制造商。在300毫米晶圓上生產芯片在技術上比在200毫米晶圓上生產芯片更先進，且效率更高。此外，英飛凌通過收購GaN Systems，迅速整合其技術和市場資源，在GaN功率器件領域取得了顯著進展，產品廣泛應用於新能源汽車、工業電源等領域。

2025年，英飛凌還投資了50億歐元的居林第三工廠啟動擴建，重點生產8英寸GaN和SiC晶圓，試圖確立「硅+碳化硅+氮化鎵」的全能霸權，在AI數據中心急需的鈦金級電源市場構築防線。

瑞薩電子則放棄SiC業務、投身GaN，通過收購Transphorm快速強化GaN佈局。目前已推出第4.5代650V GaN器件，先以30mΩ規格切入2kW-7.5kW大功率市場（數據中心、儲能、電動車充電等），后續將推出22mΩ適配AI服務器電源，並規劃第5、6代技術平臺；同時佈局65V-150V低壓E-mode系列，瞄準服務器DC-DC電路，兼顧小功率市場需求。同時，瑞薩積極推進晶圓產線從6英寸向8英寸升級，與美國Polar Semi合作車規級8英寸製造，結合多地點外延生產，提升產能與成本競爭力，致力於構建「GaN+IC」系統級方案，整合嵌入式處理、驅動、控制器等產品，提供從AC-DC到DC-DC的全鏈路解決方案，精準覆蓋高壓、低壓多場景需求。

在技術研發方面，這些巨頭持續投入，不斷優化 GaN 器件的性能，提高其效率、可靠性和穩定性，以保持技術領先地位。例如，德州儀器造在2024年就在日本會津工廠量產GaN器件，並利用達拉斯總部12英寸產線進行GaN試點，一旦成功導入，將使成本呈指數級下降，從而在市場競爭中佔據有利地位。

同時，這些海外巨頭也敏鋭地察覺到了中國市場的巨大潛力，紛紛加強與中國企業的合作。

近日，安森美宣佈與英諾賽科達成深度合作，雙方將依託英諾賽科領先的8英寸硅基GaN工藝平臺，聯合開發下一代高效功率器件，進一步提升在全球GaN市場的影響力和競爭力。

意法半導體則在今年3月就已與英諾賽科簽署了全球GaN技術聯合開發與製造協議，雙方將充分發揮各自優勢，旨在未來幾年內共同推動該技術在消費電子、數據中心、汽車、工業電源系統等領域得到廣泛應用，提升GaN功率解決方案的競爭力和供應鏈韌性。協議還約定，英諾賽科可藉助意法半導體在中國以外地區的前端製造產能生產其GaN晶圓，而意法半導體也可藉助英諾賽科在中國的前端製造產能生產其自有的GaN晶圓，實現產能互補。

不難理解，中國作為全球最大的半導體消費市場，在數據中心、新能源汽車、5G通信、消費電子等領域都有着龐大的市場需求，為GaN技術的應用提供了廣闊的空間。通過與中國企業合作，海外IDM巨頭們不僅能夠更好地滿足中國市場的需求，還能夠藉助中國企業的本土優勢，降低成本、提高效率，進一步提升其產品在全球市場的競爭力。

此外，GlobalFoundries、X-FAB 、Vanguard等海外廠商也在積極擴充GaN產能。與此同時，三星也計劃於2026年發佈GaN產品。隨着產業發展，全球廠商紛紛加快佈局，力求在下一階段的GaN競爭中搶佔先機。

中國GaN，加速突圍

在GaN市場的競爭中，中國廠商也展現出了強大的實力和獨特的發展路徑。

目前，英諾賽科是全球最大的8英寸GaN IDM廠商，現有晶圓產能為1.3萬片/月，預計到2027年將達到每月7.2萬片，且累計出貨已突破15億顆，良率超95%。據相關數據統計，英諾賽科在全球氮化鎵功率半導體市場份額排名第一，市佔率達42.4%。同時，英諾賽科還通過與寧德時代、英偉達、安森美等行業巨頭的緊密合作，不僅確保了產品的市場需求，還在技術研發和應用創新方面取得了顯著進展，加速產品的產業化進程。

除此之外，三安光電、華潤微、士蘭微、聞泰科技、能華半導體等一眾本土IDM廠商，同樣在GaN賽道持續加碼、深度佈局。這些企業依託垂直整合優勢，一邊推進產線迭代升級——從6英寸規模化量產穩步向8英寸產線突破，不斷提升外延生長良率與芯片製造效率；一邊聚焦技術攻堅，在襯底材料優化、高壓大功率器件設計、車規級可靠性驗證等核心環節持續投入，陸續實現消費電子快充、工業電源、新能源汽車輔助駕駛等多場景產品落地。

同時，國內IDM廠商還通過產能擴張、供應鏈協同與下游客户深度綁定，持續完善從材料、芯片到封裝測試的全產業鏈佈局，成為推動國內GaN產業規模化發展、加速國產替代進程的核心力量。

除了IDM企業，Fabless與代工廠的協同創新模式也是國內GaN領域的重要一環。

例如，元芯半導體、潤新微、氮矽科技等企業則專注於技術差異化競爭，通過不斷創新，突破集成化GaN功率芯片、驅動芯片、D-Mode技術等關鍵技術瓶頸，更主動與代工廠開展 需求前置、聯合研發，推動工藝參數優化與產線適配，讓技術創新能夠快速落地為量產產品。

代工方面，芯聯集成、華虹、賽微電子、士蘭微、新微半導體等依託各自優勢平臺和製造經驗，形成互補性工藝矩陣，在GaN技術研發、產品質量和市場拓展方面取得了重要突破。

值得關注的是，臺積電退出GaN代工賽道后，國內代工廠不僅迅速承接部分溢出訂單，更藉機加速工藝迭代與產線升級——與Fabless廠商形成工藝共建、產能互保的良性循環，通過產線優化、良率提升降低製造成本，反哺Fabless產品的性價比優勢。與此同時，格芯、力積電等國際代工廠承接的部分溢出訂單，也通過與國內Fabless的合作，進一步完善了全球供應鏈的穩定性。

綜合來看，這種「前端創新+后端製造」的深度協同，讓國內GaN產業在規模擴張與成本控制上形成了獨特優勢，即Fabless專注核心技術與市場開拓，代工廠聚焦工藝升級與產能保障，二者協同推動國產GaN器件從消費電子快充向車規級、工業級、儲能級等高端場景滲透。

如今，國內已構建起從芯片設計、晶圓代工到封裝測試的完整協同生態，不僅支撐了國產GaN產業的持續迭代，更在全球供應鏈重構中搶佔了關鍵位置，成為驅動全球GaN產業高質量發展的重要力量。

射頻GaN式微？

功率GaN迎來「黃金時代」

仔細觀察巨頭退場和企業加碼的領域，我們會發現一個有趣的現象：巨頭們退場的多是射頻GaN領域，而持續加碼的則大部分集中在功率GaN市場。

這背后有着深刻的市場原因和產業驅動力，恩智浦的戰略決策則為此提供了有力佐證。

上文提到，隨着5G基站建設的放緩，射頻GaN在通信領域的需求受挫。而在通信領域之外，射頻GaN的應用場景相對有限，難以形成大規模的市場需求，導致企業在該領域的投資回報不佳。

同時，射頻GaN技術的研發和生產成本較高，市場競爭激烈，盈利能力不足，使得投資者對這一領域的熱情逐漸降温，缺少投資動力。

與此形成鮮明對比的是，功率GaN市場則迎來了「黃金時代」。新能源汽車、數據中心、人形機器人等新興產業的快速發展，對高效、高功率密度的電源管理解決方案提出了迫切需求，而功率GaN正好能夠滿足這些需求。

在新能源汽車領域，GaN功率器件可應用於車載充電器（OBC）、DC-DC轉換器和電機驅動系統等，能夠顯著提高系統效率、減輕重量、縮小體積；在數據中心，GaN功率器件可用於服務器電源、不間斷電源等，有助於降低能源消耗、提高數據中心的運營效率；在人形機器人領域，GaN功率器件可用於關節驅動、電源管理等，能夠提升機器人的性能和響應速度。

這些新興產業的蓬勃發展，為功率GaN市場帶來了巨大的發展機遇，推動了GaN從通信領域向功率電子遷移。

Yole Group在Power GaN 2025報告中指出，功率GaN器件市場正以驚人的速度增長，從2024年的3.55億美元增長到2030年的約30億美元，複合年增長率高達42%，未來六年將實現六倍增長。

在這種市場需求轉移的背景下，企業紛紛調整戰略，順應市場變化。恩智浦在退出GaN 5G PA業務后，將資源集中於汽車電子領域，加大對汽車用GaN功率器件的研發和生產；臺積電在關閉GaN代工產線的同時，也在積極探索將GaN技術應用於AI芯片配套電源，以滿足人工智能領域對高效電源的需求。

這種市場導向下的產業資源再分配，進一步促進了功率GaN市場的發展，使其成為GaN行業未來發展的重要方向。巨頭的調整，本質上是企業戰略層面的聚焦與取捨。對於恩智浦、臺積電這樣的半導體巨頭而言，退出的根本邏輯在於資源的優化配置，當某項業務在其龐大體系內貢獻佔比小、增長受限且面臨激烈競爭時，將資源從增長放緩的舊場景，向這些爆發在即的新場景進行重新配置就成為集中資源的理性選擇。巨頭的戰略收縮，客觀上也為其他專注者騰出了市場空間和機遇。

這場退與進的博弈，清晰地勾勒出了GaN產業格局重塑的軌跡。

代工與IDM路線之爭？

長期以來，代工（Fabless+Foundry）與IDM兩種模式在GaN產業的發展進程中共存，各自展現出獨特的優勢和挑戰，引發了業界對於未來發展路線的深入思考。

尤其在當前GaN行業的重塑過程中，其「代工模式」與「IDM模式」的技術路線之爭又再次重新搬到臺前。

代工模式下，Fabless廠商專注於芯片設計與應用創新，將製造環節外包給專業的代工廠，這種分工模式使得企業能夠快速進入市場，降低了前期的資本投入門檻。以納微半導體為代表的Fabless企業，藉助臺積電、力積電等代工廠的先進製程和規模生產能力，能夠高效地將研發成果轉化為產品推向市場，快速響應市場需求變化。

然而，這種模式也存在明顯的弊端。代工廠往往同時服務眾多客户，工藝的通用性導致難以針對特定客户需求進行深度定製，使得Fabless廠商在產品差異化競爭上受限。而且，一旦代工廠的產能、工藝或戰略發生變動，如臺積電退出GaN代工業務，Fabless廠商將面臨供應鏈中斷、轉單成本高昂等風險，嚴重影響企業的穩定發展。

相比之下，IDM模式集設計、製造、封裝測試等全產業鏈環節於一身，具有更強的垂直整合能力。以英飛凌、英諾賽科為代表的IDM企業，能夠對產品從設計到生產的每一個環節進行嚴格把控，實現工藝與器件設計的深度協同優化，從而提升產品性能和可靠性。同時，IDM 模式在大規模量產時能夠更好地控制成本，通過內部資源的高效調配，實現規模經濟。

不過，IDM模式的建立需要鉅額的資金投入和長期的技術積累，建設和維護一條完整的產業鏈對企業的資金、技術和管理能力都提出了極高的要求，這也限制了許多中小企業進入該領域。

英諾賽科董事長駱薇薇對此表示，GaN晶圓並不適合代工模式，傳統的半導體功率器件結構相對簡單，並沒有太多代工需求，這種模式無法提供足夠的投資回報率，並且與客户之間缺乏足夠的共享和合作。GaN器件需要與設計、應用深度協同，通過IDM模式直接對接市場，能夠更好地滿足市場需求，實現技術與市場的緊密結合。

而臺積電作為專業的晶圓代工廠商，其代工模式在GaN產業中面臨着諸多挑戰，難以充分發揮其優勢。另一方面，該領域對成本極其敏感，而代工模式在追求極致成本控制方面往往不及IDM模式靈活。

臺積電的退出，再次突顯了傳統晶圓代工模式在進軍GaN功率半導體領域時面臨的挑戰。

對於技術路線未來走勢展望，有行業專家認為，隨着GaN技術在各領域的應用不斷深化，對產品性能、成本和定製化服務的要求將越來越高。從目前的發展趨勢來看，IDM模式憑藉其在技術創新、成本控制和供應鏈穩定性方面的優勢，更有可能在激烈的市場競爭中脫穎而出，成為GaN產業發展的主流模式。但這並不意味着代工模式會被完全淘汰，在一些細分市場和新興應用領域，代工模式仍將憑藉其靈活性和高效性發揮重要作用。尤其是對於一些專注於設計的小型Fabless企業，代工模式仍然是其實現產品產業化的重要途徑。

行業洗牌與重塑下，

透視GaN未來路徑

近期，恩智浦、臺積電、Wolfspeed等巨頭的業務調整，為GaN產業拉響了警報。

然而，這並不是技術的退場，而是一場深刻的產業重構。行業正從早期的技術狂熱與盲目擴張中冷靜下來，在技術、成本與市場的三角博弈中，走向一場以精準聚焦和商業務實為核心的重塑。

早期，巨頭們曾試圖在射頻、功率器件、代工等領域進行全方位卡位。但市場教育的現實表明，GaN的商用成功高度依賴與特定場景的深度綁定。

傳統IDM廠商紮根高壁壘市場，依託其設計與製造協同的優勢，深耕車規級、工業級等高可靠性、長驗證周期的領域，構築護城河。新興Fabless公司則避開巨頭鋒芒，憑藉靈活性，專注於數據中心電源、射頻等高頻高功率密度的細分需求，憑藉靈活響應能力實現差異化突圍，實現單點突破。

結合市場需求的轉移促使企業戰略全面調整，推動行業資源加速向數據中心、新能源汽車、人形機器人等高增長場景聚集，形成市場導向的資源再分配格局。

在這個過程中，成本成為GaN市場競爭的關鍵勝負手，一場圍繞規模效應與性價比的較量全面展開。中國大陸廠商率先採用「以量換價」策略，通過大規模建設6英寸產線實現量產，顯著降低單位成本，以極具競爭力的價格搶佔中低端市場，倒逼追求高毛利的國際巨頭調整市場佈局。面對成本壓力，國際廠商紛紛探索破局之道，加速推進GaN產線從6英寸向8英寸，甚至12英寸升級，憑藉更大尺寸晶圓的產能優勢，試圖將GaN芯片成本快速降低。

這場競爭推動產業發展邏輯從技術驅動向成本與效率驅動轉型，企業需在技術研發、生產製造、供應鏈管理全鏈條優化，才能在成本與性能的平衡中立足。

在明確的邏輯驅動下，GaN產業的未來格局日漸清晰：

• 產業集中度提升，中小廠商面臨淘汰賽。巨頭退場加速行業整合，市場份額正向具備核心競爭力的企業集中，產業集中度顯著提升。缺乏規模效應與技術儲備的中小廠商處境艱難，行業併購整合或將加劇，要麼被頭部企業收購，要麼剝離非核心業務收縮戰線。未來，行業整合將持續深化，具備成本優勢、技術壁壘與場景綁定能力的企業將成為市場贏家。

• 材料與設備瓶頸待破。儘管GaN技術不斷進步，但材料與設備領域的瓶頸仍制約着產業規模化發展，直接影響器件性能、可靠性與生產成本。尤其在設備方面，國內仍依賴進口，不僅推高生產成本，更制約產業自主可控發展。突破材料與設備瓶頸，實現核心設備國產化與高端材料量產，已成為GaN產業向上突破的關鍵命題。

• 全球化與區域化並存，競合格局日益複雜。一方面，美國芯片法案、歐盟ESMC項目、中國強化產業鏈自主等措施，都在推動GaN產能的 本土化佈局，以保障供應鏈安全。與此同時，技術合作並未停止。例如英諾賽科與安森美、ST的合作，便是全球資源的互補。未來產業將長期處於「競合交織」的狀態，在市場和標準上競爭，在特定技術環節和供應鏈上合作。在地緣政治與供應鏈安全需求雙重驅動下，GaN產業呈現全球化分工與區域化佈局並存的特徵。

寫在最后

行業的調整，預示着GaN產業正告別草莽生長時期，宣告了單純依靠技術故事驅動的階段已然過去。技術、成本與市場的三角博弈成為推動產業格局持續優化的核心邏輯。

而在這個鐵三角架構下，那些能夠穿越周期、紮根場景並構建起可持續商業模式的企業，將在這場產業重構中脫穎而出，開啟GaN應用的新增長曲線。