海外先行大漲 11%，英諾賽科與安森美攜手，氮化鎵賽道再添強心劑

英諾賽科與模擬芯片製造商安森美半導體宣佈合作，將加速氮化鎵（GaN）功率產品組合全球推廣。這一消息率先點燃海外投資市場熱情，推動安森美昨收盤股價大漲11%；國內投資市場今日迎頭趕上，英諾賽科收盤上漲4.98%，股價漲幅逐步向海外看齊，追趕態勢明顯。

此次合作，不僅是雙方共同加快氮化鎵產品市場供給和普及，更是抓住市場爆發紅利的重要佈局——預計到2030年，氮化鎵功率半導體市場規模將達29億美元，這將為雙方帶來數億美元市場增量。

以此為背景，英諾賽科與安森美將結合雙方的晶圓製造領導力，以及系統集成、驅動和封裝的優勢，將更具成本效益、更節能的解決方案推向市場，加速氮化鎵的普及。對安森美而言，將補齊低壓、中壓氮化鎵功率產品短板；對英諾賽科而言，氮化鎵產品製造規模進一步向全球拓展。據官方信息，2026年上半年新品將啟動送樣。

此次合作，可重點關注——1、 高端市場準入：快速服務汽車與AI及數據中心產業

安森美半導體在新能源汽車、AI數據中心領域客户覆蓋特斯拉、寶馬、大眾、英偉達等全球頂尖企業，對器件生產要求嚴苛，此次藉助英諾賽科領先晶圓製造技術，進一步加快高性能、低成本的氮化鎵產品的研發設計製造，更流暢地服務全球電力應用市場，快速實現市場普及。

2、加快氮化鎵多元產品選擇，擴大全球範圍規模生產

英諾賽科8英寸GaN良率超95%，安森美封裝技術讓器件體積縮小60%且有豐富產品線；雙方聯合，將在豐富氮化鎵中低壓功率器件產品選擇，並快速提高產能，以規模化生產滿足市場快速增長的供給需求，加快氮化鎵功率器件在機器人、新能源汽車、人工智能數據中心等領域全面滲透。

3、突破瓶頸，加快佈局未來更廣闊市場此次雙方合作，致力於實現氮化鎵功率器件綜合成本優化，以拓寬市場邊界。依託英諾賽科的產能，安森美的技術實力，將進一步優化封裝，減少原器件用量，簡化熱管理流程，實現產品小型化，最終降低系統整體成本，為氮化鎵產業全面普及高滲透應用掃清障礙，幫助客户在能源需求日益激增的背景下，實現性能與能效最大化。