半導體大廠，加速擴產

本文來自格隆匯專欄：半導體行業觀察 作者：L晨光

近期，在AI浪潮席捲、汽車電子滲透率飆升，存儲市場引領趨勢下，半導體行業正迎來需求與技術雙輪驅動的發展熱潮。根據SEMI最新預測，2025年全球半導體產能將實現15%的同比增幅，創下歷史新高。

在此背景下，從晶圓製造到先進封裝，從AI芯片到存儲器市場，半導體大廠相繼釋放明確的擴產信號，新一輪產能佈局的帷幕已然拉開。

全球半導體巨頭擴產圖景

SK海力士：AI超級周期的最大贏家

在全球AI內存需求爆發的推動下，存儲芯片巨頭SK海力士啟動大規模產能擴張，以「雙線並進」為核心戰略：在鞏固高附加值HBM市場絕對領先優勢的同時，積極擴充包括1c DRAM在內的通用型DRAM產能，形成「高端突破+通用補位」的戰略佈局。

作為第六代10納米DRAM（1c DRAM）的核心玩家，SK海力士計劃大幅提升該尖端通用DRAM產能。據韓國經濟日報報道，其1c DRAM月產能將從當前約2萬片300mm晶圓，於2026年提升至16-19萬片，增幅達8-9倍，屆時該產能將佔其DRAM總產能的三分之一以上。

韓國利川工廠是此次擴產的核心引擎，通過現有產線工藝升級，該工廠1c DRAM月產量將先實現從2萬片到14萬片的增幅，部分業內人士透露實際產能或向17萬片衝刺。擴產的1c DRAM將重點用於生產GDDR7圖形內存模組和低功耗SOCAMM2內存模塊，直接對接英偉達、AMD等科技巨頭及雲服務提供商的訂單需求。

在HBM領域，SK海力士已佔據全球超過60%的市場份額，幾乎壟斷英偉達的HBM訂單。為延續優勢，SK海力士針對英偉達HBM4的產能擴張正穩步推進，其位於韓國忠清北道清州園區的M15X工廠將於2025年四季度投產，配備1b DRAM生產線，月均進料量為6萬片晶圓，主要用於生產HBM4核心芯片。目前，SK海力士HBM4已實現漲價超50%，單顆價格突破500美元，且2026年產能已全部售罄，預計將搭載於英偉達2025年下半年發佈的Rubin芯片。

另一方面，受HBM產能擠壓，全球標準型DRAM供應持續短缺，波及PC、筆記本電腦、智能手機及通用服務器市場。對此，SK海力士計劃2026年標準型DRAM供應量較2025年增加超過一成：一是提升M16晶圓廠產能利用率；二是對M15晶圓廠進行產線轉換，將部分代工業務或CMOS圖像傳感器生產線，重新配置為DRAM生產線。

SK海力士明確表示，儘管HBM增長迅猛，但標準型DRAM市場規模遠大於HBM，在鞏固AI內存領先地位的同時，滿足標準型DRAM需求是公司戰略重心之一，需要通過優化現有資產來保障供應，防止因過度傾向HBM而導致傳統市場出現供應缺口。這也是其爭奪DRAM全球市佔率第一的關鍵支撐。

大規模擴產背后是密集的資本投入，SK海力士通過優化現有基地、佈局新集羣，為產能釋放提供保障，2025年設施投資額預計約25萬億韓元，2026年將輕松超過30萬億韓元。

除利川工廠1c DRAM產線升級外，清州M15X工廠作為HBM產能核心載體已啟動1b DRAM試驗生產線，計劃四季度舉行落成典禮，初始月產量目標1萬片晶圓，逐步提升至6萬片。同時，SK海力士將利川、清州工廠的有限生產設備向新集羣遷移，最大化現有基地產能效率。

此外，作為規劃至2050年的長期項目，龍仁半導體集羣是SK海力士未來產能擴張的核心支點。該集羣近期獲得龍仁特別市規劃調整，SK海力士用地（A15）容積率從350%上調至490%，建築物最高高度從120米放寬至150米，使得潔淨室面積較原計劃擴大50%。

根據規劃，SK海力士將在該集羣建設4座晶圓廠，單座規模與清州M15X工廠的6座晶圓廠相當。據此估算，4座晶圓廠全部完工后總投資至少達480萬億韓元，而SK會長崔泰元透露，該集羣總體投資預計將達約600萬億韓元，差異主要源於長期規劃中的物價上漲及開發成本增加因素。目前，龍仁首座工廠於2025年動工，預計於2027年投產。

總結來説，SK海力士的擴產計劃展現了一家行業龍頭在技術十字路口的精準判斷，以利潤豐厚的HBM為矛，積極搶佔AI時代的技術制高點；同時以規模龐大的通用DRAM為盾，確保基本盤的穩定與增長。

據瞭解，SK海力士已在2025年一季度以36.7%的市場份額首度登頂全球DRAM市場第一，終結三星四十多年的壟斷地位。此次擴產將進一步鞏固其優勢，同時在HBM領域通過技術壁壘築牢盈利護城河。

三星：存儲芯片加碼對決，2nm代工破局突圍

面對SK海力士的強勁攻勢，三星電子正以更大規模的擴產計劃發起反擊，同步推進存儲芯片與先進製程代工兩大領域的激進擴產：一方面以1c DRAM為核心衝刺高階存儲產能，重啟關鍵工廠並佈局長期生產基地，力圖穩固DRAM市場主導權；另一方面加速2nm代工產能落地，斬獲多家客户訂單，打破臺積電在先進製程領域的壟斷格局。

在存儲芯片領域，三星主攻高階，1c DRAM成其產能競賽核心。據悉，面對AI服務器對高帶寬、低功耗內存的爆發性需求，三星將第六代10納米級DRAM作為擴產核心，同步配套HBM產能升級與工廠佈局優化，形成短期產能釋放+中長期基地建設的雙線策略。

為奪回並鞏固DRAM市場領導地位，三星敲定明確的1c DRAM擴產時間表，規模創公司歷史紀錄。據TrendForce報道，三星採用「三步走」分階段推進策略：

• 2025年第四季度先實現月產6萬片；

• 2026年第二季度再新增8萬片；

• 2026年第四季度追加6萬片，最終於2026年底達成月產20萬片的目標。

這一產能規模極具衝擊力，當前三星整體DRAM月產能約65-70萬片，20萬片的1c DRAM產能將佔其總產能的三分之一左右，不僅遠超2022年半導體繁榮期13萬片的DRAM擴產力度，更與競爭對手SK海力士形成直接對壘。據悉，目前其1c DRAM良率已從早期的不足30%大幅提升至50%-70%，並正向80%-90%的目標邁進。

三星計劃通過兩大路徑保障產能落地：一是對現有DRAM生產線進行工藝轉換，快速釋放部分產能；二是追加對平澤第4工廠（P4）的投資，其4條生產線中3條已投入運營或即將投產，未來將專門負責1c DRAM與HBM4的量產工作。

在HBM領域，三星已憑藉HBM3E出貨量激增實現市場反彈。據CFM數據統計，2025年第三季度三星HBM位單元出貨量環比激增85%，核心得益於向NVIDIA交付第五代HBM3E，這也成為其當季DRAM銷售額環比增長29.6%、重回全球市場第一（份額34.8%）的關鍵推手。近期，三星還重組了內存業務部門，將HBM團隊重新整合進DRAM設計部門，以加速HBM4及更下一代產品的開發，這顯示了其技術路線的信心。

同時，為夯實中長期競爭力，三星近期重啟了擱置兩年的京畿道平澤工廠第二園區5號線（P5）項目，該項目耗資超60萬億韓元，計劃2028年投產，將成為同時生產下一代HBM與1c DRAM的混合型工廠，未來還可能根據市場情況搭建晶圓代工生產線。

從更長遠規劃來看，三星正推動平澤第一園區（P1-P4）與第二園區（P5-P6）整合，打造總面積達87萬坪的全球最大半導體生產據點。此外，三星還計劃投資360萬億韓元，在龍仁半導體國家產業園區集羣建設6座晶圓廠，2031年前全部完工，首期1號晶圓廠將於2026年底前開工、2030年投產，全部完工后三星將擁有12座運營中的晶圓廠。

另一邊，在先進製程晶圓代工領域，三星借臺積電產能滿載的窗口期加速突圍，2nm工藝成為其攻堅核心，目前已實現客户突破與產能初步佈局。

據韓國媒體報道，由於臺積電2nm產能緊張，多家中國挖礦芯片企業已將訂單轉向三星，兩家企業每月晶圓交付量約為2000片12吋晶圓，佔三星2nm總產能的10%。以每片晶圓約2萬美元計算，這一訂單預計為三星帶來年銷售額4.8億美元，約佔其2024年晶圓代工營收的4%。除挖礦芯片企業外，三星2nm客户已覆蓋多元領域，包括自身系統LSI部門及汽車巨頭特斯拉，而臺積電的2nm客户則聚焦蘋果、高通、AMD等傳統頭部廠商，兩者客户結構形成差異化競爭。產能方面，三星計劃到2026年底將2nm月產能提升至約2.1萬片，較2024年底的目標增長約163%。

三星將2nm代工產能佈局納入母公司未來五年韓國450萬億韓元投資計劃，依託平澤工廠產能拓展實現落地，與存儲芯片擴產形成協同效應，凸顯其「存儲+代工」雙輪驅動的戰略意圖。

此次擴產的背后，是三星對強烈市場需求和內部戰略的取捨。

• AI需求驅動：生成式AI爆發導致高性能DRAM和HBM供不應求，為三星擴產提供了明確的市場信號；

• 利潤導向的內部決策：一個值得關注的動態是，三星內存部門為確保利潤最大化，已拒絕為自家手機部門提供長期固定價格的DRAM供應。這凸顯了在AI需求旺盛的背景下，三星優先將先進產能和高利潤產品導向外部的戰略選擇。

總而言之，三星的擴產計劃是一場多戰線、高技術難度的全面競賽。在內存領域，以1c DRAM為槓桿，試圖在HBM4技術上實現后發先至；代工領域則通過綁定大客户、加速美國本土產能落地來追趕臺積電。

不過，其成敗關鍵在於1c DRAM和HBM4的良率能否穩定提升至商業成功水平，以及2nm製程能否如期獲得更多頂級客户訂單。

美光：新建HBM專用產線，突破韓系壟斷格局

在全球AI驅動的HBM需求爆發期，美光科技近期也正加速產能擴張，核心聚焦日本廣島HBM專屬工廠建設，同步推進先進DRAM工藝落地，意圖突破韓系廠商在HBM市場的壟斷格局，搶佔AI存儲供應鏈核心位置。

據日經新聞消息，美光近期宣佈投資約96億美元在廣島現有廠區內新建一座專用HBM生產設施，旨在應對全球HBM供需失衡、提升市場份額。

從推進節奏來看，新工廠預計於2026年5月啟動施工，2028年左右實現量產出貨。工廠達產后預計將實現月產10萬片12英寸晶圓，主要聚焦HBM3E及下一代HBM4系列產品生產，預計將貢獻全球HBM產能的15%左右。

政策支持上，日本經濟產業省預計為該項目提供高達5000億日元的專項補貼，覆蓋項目初期投資的27%，不過目前美光與日本經濟產業省均未正式證實補貼細節。

美光在日本廣島的擴產並非孤立佈局，而是依託既有產能升級與技術突破形成協同效應，為HBM擴產提供支撐。早在去年，美光已宣佈在廣島同一園區引入基於EUV工藝的DRAM生產線，項目投入5000億日元自有資金，並獲得日本政府近2000億日元補貼。技術落地層面，今年5月，該產線首批採用1γ工藝生產的LPDDR5X產品已進入樣品測試階段。

1γ工藝作為美光先進DRAM核心技術，採用EUV光刻工藝，相比前代實現速度提升15%、功耗降低20%，不僅支撐LPDDR5X量產，更為HBM產品的良率提升與成本控制奠定基礎。目前美光HBM3E產品已採用相關技術，良率已提升至60%以上，與行業龍頭SK海力士的差距逐漸縮小，並已批量供應英偉達H200、GB300及AMD MI350等高端AI芯片平臺。

在技術迭代方面，美光正加速推進HBM4研發，重點攻克混合鍵合工藝與高堆疊層數技術，計劃2026年推出HBM4樣品，2027年實現量產，與日本HBM工廠2028年出貨的節奏形成銜接，確保產能釋放后可直接對接下一代AI芯片需求。

總而言之，美光在日本廣島的96億美元投資，是其面對AI內存超級周期的一場關鍵戰略押注。這不僅關乎其自身能否在HBM市場更進一步，也是觀察全球半導體供應鏈如何在技術競賽與地緣政治雙重影響下重構的一個重要案例。

值得注意的是，美光擴產也為行業釋放明確信號：HBM已進入「技術研發+產能規模+供應鏈協同」的系統競爭階段，具備全鏈條能力的企業將在AI存儲賽道佔據主導地位。而對國內存儲產業而言，美光與日本的「企業技術+政府支持+產業鏈協同」模式，也為國內存儲企業突破HBM核心技術、實現國產替代提供了可借鑑的路徑。

臺積電：3nm/2nm攻堅+CoWoS加碼

受AI芯片需求激增驅動，臺積電正加速先進製程與先進封裝產能擴充，核心聚焦3nm、2nm及CoWoS三大領域，同步推進全球產能佈局，以應對客户訂單缺口。

因英偉達、AMD、特斯拉等客户爭搶產能，臺積電3nm供應短缺，已啟動緊急擴產。據摩根士丹利報告預估，2025年底前3nm月產能將額外擴增2萬片，達11-12萬片；2026年將進一步提升至14-15萬片，新增產能主要來自美國亞利桑那州二期廠房（約2萬片/月）及中國臺灣現有4、5nm產線轉換（約1萬片/月）。不過擴產受無塵室空間限制，部分區域已轉用於2nm製程，只能依賴現有廠區挖潛。目前臺積電正為特斯拉AI5芯片提供3nm製程設計與生產服務，3nm產能利用率已達100%。

與此同時，臺積電2nm製程已於2025年下半年啟動量產，需求遠超預期。臺積電計劃將2nm晶圓廠數量從7座擴充至10座，新增3座落地臺南市南部科學園區，與新竹（2座）、高雄（5座）現有工廠形成互補，總投資預估9000億新臺幣，最早2026年動工，建成后月產能將超10萬片。預計2026年底2nm月產能將從當前4萬片提升至8-9萬片，2028年達產能峰值。蘋果已鎖定其A20/A20 Pro芯片超半數初始供貨量，特斯拉未來AI6芯片也將採用2nm製程，預計年貢獻約20億美元代工收入。

針對AI芯片封裝需求，臺積電重啟CoWoS產能加速擴充計劃，2026年月產量預計將從目前的7萬片提升至12萬片以上，新增產能主要來自友達光電原AP8工廠改造。目前臺積電已將2025年CoWoS產能提升至兩年前的三倍，嘉義AP7先進封裝樞紐正穩步建設，美國亞利桑那工廠附近兩座先進封裝廠也將於2026年上半年動工，2028年底實現SoIC和CoWoS生產。

擴產背后，臺積電大幅提升其資本支出，2025年資本支出區間為400-420億美元，70%用於先進製程。摩根士丹利預測，臺積電2026年資本支出將升至480-500億美元，70%-80%投向2nm、A16等先進製程，剩余資金用於先進封裝。臺積電在中國臺灣、美國加速擴產，日本、德國工廠進展相對緩慢，全球範圍內同步建設10座工廠，以匹配未來五年穩定的客户訂單需求。

總而言之，臺積電的擴產是一場圍繞製程領先、封裝協同和全球佈局的全面競賽。其目標不僅是滿足當前訂單，更是爲了構築一道涵蓋技術、產能、供應鏈的綜合性壁壘，以鎖定未來AI時代最核心的製造主導權。

格羅方德：歐洲半導體主權的守護者

面對全球半導體供應鏈重構及歐洲本土芯片需求激增，格羅方德（GlobalFoundries）近期敲定核心擴產計劃——聚焦德國德累斯頓工廠啟動「SPRINT」擴建項目，以強化歐洲半導體制造能力，搶佔差異化技術賽道。該計劃已獲德國政府高度認可，且有望納入《歐洲芯片法案》支持框架，成為歐洲提升供應鏈韌性的關鍵落子。

格羅方德宣佈，計劃投資11億歐元擴大德國德累斯頓工廠產能。該擴建計劃分階段推進，第一階段預計2028年完成，屆時工廠年產能將提升10%，達到每年110萬片晶圓，遠超初期每年超100萬片的目標，使其成為歐洲同類芯片工廠中規模最大的製造基地。

作為項目核心，德累斯頓工廠將同步進行設施升級，重點搭建端到端的歐洲本地流程與數據流體系，以滿足汽車、國防等關鍵領域對半導體的安全要求。格羅方德歐洲晶圓廠總經理Manfred Horstmann博士明確表示，此次擴產不僅是為滿足短期需求，更核心是保障歐洲工業基礎的未來競爭力，確保本地獲得關鍵芯片技術。

據悉，該擴產計劃深度契合歐洲半導體戰略，已獲得德國聯邦政府與薩克森州的明確支持，預計今年晚些時候將通過歐盟審批，納入《歐洲芯片法案》補貼框架。

此次擴產背后，是格羅方德針對市場需求與戰略佈局的雙重考量。從客户需求來看，全球芯片供應鏈脆弱性日益凸顯，尤其是汽車行業多次因芯片短缺陷入動盪，歐洲主要客户對供應鏈多元化的訴求持續升級。格羅方德CEO Tim Breen表示，客户明確「需要非中國大陸、非中國臺灣的供應渠道」以降低地緣政治風險，這一需求自新冠疫情期間芯片短缺后愈發強烈。

從行業趨勢來看，各行各業都正加速向人工智能轉型，對低功耗、嵌入式安全內存、無線連接等差異化技術芯片需求激增。格羅方德此次新增產能將重點聚焦這些領域，同時為下一代計算架構及量子技術創新提供支撐，鞏固其在定製芯片領域的優勢。此外，歐洲當前全球先進芯片生產市場份額僅8.1%，遠低於其2030年20%的目標，格羅方德的擴產也被視為助力歐洲填補產能缺口的關鍵舉措。

總體來看，格羅方德此次擴產，既是對歐洲芯片本土化需求的精準響應，也是其依託政策紅利、深耕差異化賽道的戰略佈局。隨着項目推進，不僅將提升格羅方德在歐洲市場的影響力，更有望推動歐洲半導體供應鏈韌性提升，為全球芯片供應鏈區域化重構注入新動力。

日月光加碼先進封測，搶攻AI時代商機

近日，全球封測龍頭日月光投資控股也正加速擴產。

日月光全資子公司日月光半導體董事會正式通過兩項重大擴產決議，分別聚焦桃園中壢與高雄楠梓兩大基地，通過產權收購與合建開發雙模式擴充產能，凸顯公司搶佔全球先進封裝市場的戰略決心。

此次擴產基於雙基地同步發力，圍繞「北整合、南新建」思路展開，兩項決議均與關係企業宏璟建設合作，既保障擴產效率，又優化資金配置。

一方面，日月光半導體以新臺幣42.31億元，向宏璟建設購入桃園市中壢區第二園區新建廠房72.15%的產權。該廠房為雙方此前合建項目，日月光原本已持有27.85%產權，此次收購后將實現100%控股。日月光強調，中壢基地是其北臺灣先進封裝與測試的核心據點，此次產權整合將為高階CoWoS封裝測試支援、AI客户導線、SiP封裝等產能佈局提供關鍵支撐，有效緩解當前先進封裝產能緊張的局面。

另一方面，日月光與宏璟建設採用「合建分屋」模式，合作開發高雄楠梓科技產業園區第三園區第一期項目。項目建成后將導入先進封裝測試設備，打造南臺灣新一波高階封裝基地。日月光指出，楠梓第三園區將成為其南臺灣封測戰略的重要樞紐，助力完善AI、高性能計算及車用半導體的封測全流程佈局，與中壢基地形成南北協同效應。

此次密集擴產背后，是AI產業爆發帶來的先進封裝需求井噴。日月光明確表示，擴產核心目的是應對AI帶動的芯片應用增長，以及客户對先進封裝測試產能的迫切需求。供應鏈業者透露，日月光10月剛宣佈高雄K18B廠動土，短短一個月再推兩項擴產案，側面印證AI與HPC領域的長期需求趨勢，且CoWoS等先進封裝訂單能見度已延伸至2027年。

數據顯示，日月光先進封裝產能利用率已達100%，2025年前七個月合併營收同比增長7.95%，創歷史同期新高，公司全年目標實現先進封裝與測試業務營收較2024年增加10億美元。

因此，日月光此次雙基地擴產是搶進AI世代封測商機的關鍵行動。中壢基地的產權整合可快速釋放高階封裝產能，滿足短期客户需求；楠梓新基地的建設則着眼長期，進一步強化南臺灣封測產業集羣效應——此前日月光已在高雄佈局K18、K28等廠區，覆蓋晶圓凸塊、覆晶封裝、CoWoS等全鏈條，此次新增產能將助力其形成更完整的先進封裝產業生態，抓住AI芯片帶來的增長機遇。

德州儀器：「雙線並舉」，模擬芯片的產能巨擘

作為全球模擬與嵌入式處理芯片的巨頭，德州儀器（TI）近期的擴產計劃清晰地展現了一條與爭奪最先進製程不同的戰略路徑，通過在亞洲和美國兩線進行投資——馬來西亞馬六甲第二座封裝測試工廠TIEM2投產，以及美國德州、猶他州七座晶圓廠建設，形成「后段封裝強化+前段晶圓攻堅」的全鏈條產能升級，既保障全球供應鏈韌性，又響應美國本土芯片製造迴歸戰略。

近期，德州儀器宣佈其位於馬來西亞馬六甲的第二座封裝和測試工廠TIEM2正式投入使用，這是其深耕馬來西亞半個世紀后的重要產能補充。該工廠總潛在投資額約11.98億美元，與現有馬六甲封裝測試工廠無縫銜接，形成規模化生產集羣。

TIEM2配備先進自動化生產設備，聚焦模擬與嵌入式芯片的凸點、探針、組裝及測試全后段製程，預計每年可封裝測試數十億顆芯片，廣泛應用於汽車、智能手機、數據中心等核心電子系統，將進一步緩解全球電子產業對關鍵封裝產能的需求壓力。

德州儀器自1972年在馬來西亞雪蘭莪州開設第一家工廠以來，已在當地佈局馬六甲、吉隆坡兩大封裝測試基地，此次TIEM2投產進一步鞏固其在東南亞的后段製造樞紐地位，與全球15個製造基地形成協同，強化供應鏈區域化佈局的靈活性。

2025年6月，德州儀器還宣佈一項創美國成熟芯片生產紀錄的投資計劃——斥資超600億美元在德州、猶他州建設七座晶圓廠，預計創造超6萬個工作崗位，聚焦300毫米模擬與嵌入式芯片產能提升，呼應美國政府半導體制造業迴歸戰略。

據證券時報報道，該投資中460億美元投向德州大本營，150億美元落子猶他州，分佈在三個核心製造基地：

• 德克薩斯州謝爾曼：首座新晶圓廠SM1於2025年啟動初步生產，距破土動工僅三年；第二座SM2外部結構已完工，后續還計劃增建SM3、SM4兩座晶圓廠，應對長期需求；

• 德克薩斯州理查森：第二座晶圓廠RFAB2持續提升產量，延續2011年全球首個300毫米模擬晶圓廠RFAB1的技術路線，形成雙廠協同；

• 猶他州利哈伊：首座300毫米晶圓廠LFAB1加速建設，相連的LFAB2建設進展順利，未來將形成規模化300毫米產能集羣。

德州儀器總裁兼首席執行官Haviv Ilan表示，此次投資旨在打造可靠、低成本的大規模300毫米晶圓產能，蘋果、福特、美敦力、英偉達、SpaceX等美國領軍企業均依賴其技術與製造能力。美國商務部長也強調，該合作將為美國芯片製造業提供未來數十年的支撐，強化本土供應鏈安全。

目前該項目推進順利，Ilan在2025年4月透露，公司已完成約70%的資本投資階段，進入最后攻堅期，待猶他州廠升級與謝爾曼園區建設完成后，將逐步減少資本支出，恢復股利、庫藏股等股東現金回饋。

綜合來看，此次密集擴產源於雙重驅動：一方面，全球電子產業對模擬、嵌入式芯片的需求持續攀升，AI、汽車電動化、數據中心建設進一步放大產能缺口，TIEM2投產與美國晶圓廠建設形成后段-前段產能匹配；另一方面，美國《芯片法案》政策導向及客户對本土供應鏈的需求，推動其加大美國產能佈局，英偉達、SpaceX等客户已明確依賴其美國製造芯片保障供應鏈安全。

值得注意的是，高資本支出曾引發部分投資人擔憂，擔心壓縮短期回報。疊加近年來毛利率下滑，德州儀器近期傳出擬對部分產品線漲價，被視為守住利潤率的關鍵舉措。

與臺積電、三星等巨頭聚焦於追趕摩爾定律的路徑截然不同，德州儀器選擇在特定芯片領域，通過製造規模來構築護城河，近期擴產進一步打造了「東南亞封裝+美國晶圓」的雙核心格局。這種佈局既平衡了全球供應鏈的區域韌性，又抓住了美國本土製造的政策與市場機遇，為其在模擬芯片賽道的龍頭地位築牢產能根基。

半導體產業鏈擴產熱潮不斷

與半導體制造大廠的產能競賽同步，上游的材料與設備廠商也正在加速投資，為核心製造環節的擴張提供關鍵的「彈藥」支撐。

其中，日本材料廠商正憑藉其在光刻膠領域的技術優勢，進行密集的全球化產能佈局，以鎖定未來2納米及更先進製程的市場。

東京應化計劃投資200億日元在韓國建設光刻膠工廠，預計2030年投產，投產后其在韓國的光刻膠產能將提升3-4倍，產品主要供應半導體封裝及存儲領域；同時另投120億日元在韓國新建高純化學品工廠，完善半導體材料配套供應。

JSR則發力韓國市場，計劃建設MOR生產基地，2026年底前投產，進一步強化其在先進光刻膠領域的全球領先地位。

富士膠片規劃未來三年投資1000億日元擴大半導體材料產能，佈局覆蓋日本、美國、歐洲及韓國市場，以應對全球AI產業帶來的材料需求激增。

德國默克電子近日宣佈，其位於臺灣高雄、投資5億歐元的全球最大半導體材料及電子業務生產基地已啟動資質認證，計劃2026年量產，主要生產先進芯片製造所需的薄膜、配方材料和特種氣體等，其中關鍵的薄膜材料可助力實現先進芯片架構；該工廠投產后將滿足當地約80%的薄膜材料需求及超50%的總體材料需求，提升本地自給率並更好服務亞太地區，這是公司踐行多年「本地化戰略」、增強供應鏈韌性的重要舉措，進一步服務檯積電等全球主要芯片製造商，適配3納米及更先進芯片的生產需求。

三星電機也正加碼AI相關半導體封裝基板擴產，其FC-BGA基板產能利用率持續提升，第三季度已達72%並接近峰值，且該基板庫存預計2027年前基本售罄；計劃進一步擴大FC-BGA供應範圍，從亞馬遜、AMD等現有客户拓展至谷歌、博通等新客户，目標明年實現該業務兩位數銷售增長，同時優化業務結構，從專注IT產品轉向人工智能和汽車應用領域，憑藉高附加值產品搶佔AI及高性能計算服務器相關基板市場，鞏固其韓國唯一大規模生產服務器用FC-BGA芯片公司的地位。

在另一條技術賽道上，為解決AI芯片日益嚴峻的熱管理瓶頸，歐洲金剛石晶圓項目獲得重大推進。美國公司Diamond Foundry位於西班牙特魯希略的工廠，累計獲得約27.7億美元投資，其中西班牙政府最新追加了7.53億歐元，目標是建成全球最大的半導體級單晶金剛石晶圓生產基地，最終年產能目標達1000萬克拉。

金剛石是目前已知導熱率最高的材料，能將芯片熱量快速導出，是突破下一代高功耗芯片散熱瓶頸的關鍵。該項目從技術研發（已能生產4英寸金剛石晶圓）到規模製造，標誌着超高熱導率材料正從實驗室走向產業化。

與此同時，SEMI近期發佈的《全球半導體設備市場統計報告》，進一步從設備端印證了行業目前如火如荼的擴產趨勢。報告表示，2025年第三季度全球半導體設備出貨量同比增長11%，達到336.6億美元。2025年第三季度出貨量環比增長2%，營收增長主要得益於對先進技術的強勁投資，尤其是在人工智能計算領域領先的邏輯芯片、DRAM 和封裝解決方案。此外，對中國地區的設備出貨量也顯著增長，進一步推動了整體的增長勢頭。

「今年迄今為止，全球半導體設備出貨量已接近1000億美元，創下前三個季度的歷史新高，這反映了該行業持續強勁的發展勢頭以及對技術創新投資的堅定承諾，」SEMI總裁兼首席執行官Ajit Manocha表示。「人工智能的強勁需求持續推動着先進邏輯和存儲器領域的支出，以及面向節能封裝應用領域的支出。這一積極的發展趨勢凸顯了半導體在構建一個更智能、更互聯的世界中發揮的關鍵作用，而這個世界正是下一代數字解決方案的基石。」

總而言之，當前的半導體擴產浪潮是全產業鏈的共振。在製造端大幅增加產能的同時，上游材料和設備端的巨頭們正通過前瞻性技術投資和貼近客户的全球化佈局，為這場競賽夯實基礎，確保「彈藥」供應，共同爭奪AI時代的技術與市場主導權。

半導體「擴產潮」背后的邏輯

當前全球半導體行業的擴產浪潮，並非一次簡單的增產，而是一場由AI革命驅動、供應鏈安全需求倒逼、廠商戰略理性權衡交織下的全方位產業重構。

本輪擴產潮是多重因素共振的結果：

• AI需求的超級周期：AI從訓練擴展到推理，不僅引爆了HBM需求，也帶動了用於AI推理的先進通用DRAM，導致全品類內存價格飆升。OpenAI、英偉達等巨頭直接鎖定鉅額產能，扭曲了傳統市場供應。

• 地緣政治下的供應鏈重構：全球各國將半導體視為戰略資產。美國的《芯片法案》、日本的復興計劃、歐盟的《芯片法案》等都通過鉅額補貼，引導產能本土化，這已深刻改變了廠商的選址邏輯。

• 廠商自身的戰略考量：本輪擴產並非盲目。主要廠商在經歷了過去幾年的行業周期性波動后，表現出更強的戰略定力。經歷過嚴重過剩周期的內存巨頭們，此次擴產極具紀律性，優先通過提升現有產線利用率、轉換產品線來增加供應，而非盲目建新廠，以防止未來市場反轉。此外，臺積電在先進製程上的擴張也表現出戰略聚焦而非全面鋪開。

在覈心領域，AI內存與先進製程賽道的贏家通吃效應持續凸顯，頭部企業展開激烈角逐，既有三星全力追趕SK海力士爭奪HBM市場優勢，也有臺積電憑藉產能規模與技術壁壘構建競爭護城河。

與此同時，全產業鏈成本壓力逐步傳導，鉅額建廠投資、設備緊缺及原材料價格暴漲共同推高芯片成本，最終通過AI服務器等中間環節間接影響消費電子市場。產業競爭模式已實現迭代升級，從單一製程節點的比拼，延伸至「先進製造+先進封裝+高端內存」的系統性能力較量，而成熟製程領域則圍繞地域安全與特色工藝，呈現差異化競爭加劇的態勢。

全球主要半導體企業均在主動重構產能佈局，這場由AI驅動的產能競賽，不僅引發短期價格波動，更將推動行業長期技術迭代與產業格局深度變革。

寫在最后

站在AI技術爆發的時代關口，半導體行業的擴產競賽早已超越單純的產能比拼，成為關乎未來十年全球算力基礎設施主導權的戰略博弈。

從韓國存儲雙雄的HBM話語權爭奪，到晶圓代工與封測龍頭的技術壁壘構建，再到歐美國際廠商的區域化產能佈局，全球半導體產業的競爭邊界不斷拓展，新的生態格局加速成型。成本傳導帶來的短期挑戰固然存在，但更值得關注的是，這場競賽正倒逼行業實現技術創新與供應鏈韌性的雙重提升。

未來，隨着產能佈局的逐步落地與技術路線的持續迭代，全球半導體產業將邁入更具彈性卻也更趨複雜的發展階段。這場競賽的最終結果，不僅將決定全球算力版圖的核心架構，更將深刻影響下游諸多產業的發展走向，其深遠意義仍待時間印證，而這場由AI驅動的產業變革，纔剛剛拉開序幕。