三星完成HBM4芯片開發，開始大規模生產準備：報告

據AJU新聞報道，三星電子（OTCPK：SSNLF）已完成第六代高帶寬存儲器（HBM 4）芯片的開發，並正在進入大規模生產的準備階段。

這家韓國科技巨頭目前正在將HBM 4原型發送到Nvidia（NVDA）進行質量測試。據谷歌翻譯的新聞報道稱，三星的目標是在今年年底前完成HBM 4開發，並且在經過Nvidia的質量測試后，可能能夠立即開始大規模生產。據報道，三星還正在建立批量生產體系，以立即批量生產。

三星沒有立即迴應Seeking Alpha的置評請求。

英偉達發言人在發給Seeking Alpha的電子郵件中拒絕發表評論。

三星完成了HBM 4的生產準備批准（TRA）階段。報告指出，TRA是半導體開發過程中的第六步，也是批量生產批准前的最后一步。

自6月份成功開發10納米級第六代RAM「D1 c」以來，該公司的HBM 4開發步伐加快。報告稱，三星計劃使用領先競爭對手一代的D1 c，通過更高性能的HBM 4重新獲得競爭優勢。

三星在第三季度財報中表示，HBM 4樣本正在運送給主要客户。此外，該公司表示，展望2026年，內存業務將專注於批量生產具有差異化性能的HBM 4產品。

9月，三星的競爭對手SK hynix（OTCPK：HXSC.F）表示，已完成對人工智能工作至關重要的下一代存儲產品HBM 4的開發和大規模生產準備。SK hynix是Nvidia HBM芯片的主要供應商。美光科技（MU）在較小程度上也是這兩家韓國公司在該領域的競爭對手。