AI算力飆升引爆存儲牛市，美銀預測周期延續至2027上半年

智通財經APP獲悉，華爾街金融巨頭美國銀行近日發佈的一份主題為「存儲超級周期吞噬全球」的研究報告，無疑大舉強化了近期強勢席捲全球股票市場的「全球存儲系列產品進入史無前例超級周期」這一市場最強交易邏輯之一。從OpenAI已經簽署的接近1.4萬億美元規模AI算力基礎設施累計協議以及「星際之門」AI基建進程來看，這些超級AI基建項目都迫切需要堪稱天量級的數據中心企業級高性能存儲(以HBM存儲系統、企業級SSD/HDD，服務器級別DDR5等存儲產品為核心)，增長推動產品需求與售價以及存儲大廠們股價狂飆式增長。

今年以來，不僅SK海力士、三星電子以及美光科技這三大全球存儲芯片領軍者股價漲幅超三位數，企業級數據存儲產品巨頭們的漲幅則比這三大存儲原廠更加強勁——比如希捷、閃迪和西部數據的股價今年漲幅均超過200%，其中企業級SSD存儲系統領軍者閃迪今年迄今的漲幅高達驚人的500%，這些存儲芯片與產品線巨頭們可謂大幅跑贏美股大盤乃至全球股票市場。

美銀資深分析師們表示，近期對於包括SK海力士以及三星等存儲芯片領軍者的渠道調研顯示，SK海力士在HBM4/4e以及當前的HBM3e上繼續確立領先優勢，併成為英偉達、谷歌、OpenAI等大型AI算力客户們的最優先供應商;美銀預計包括DDR4與DDR5在內的傳統DRAM在2026年需求繼續大幅超供，價格與盈利仍有龐大上行空間(比如，美銀預計今年以來漲幅超100%的某些DRAM合約價，未來半年左右的時間里還有50%+空間)，企業級SSD所主導的NAND長期樂觀情緒，以及HDD企業級硬盤合約定價則持續呈現邊際躍升。

美銀預判這一輪存儲超級周期至少將延續至2027年初期，並且基於這一輪貫穿HBM3e/HBM4/4e、DRAM以及NAND系列高性能存儲產品的史無前例級別景氣度上行周期，美銀大幅看漲海力士和三星兩大龍頭——認為股價屢創新高的這兩大存儲芯片巨頭還能漲至少50%以及40%，並且認為全球存儲板塊正持續進入與超級周期密切相關聯的「估值重估」牛市階段。

當數據中心物理存儲無法滿足企業與消費者們「AI信仰」，存儲「超級周期」已然啟幕

隨着美國科技巨擘谷歌在上周重磅推出Gemini3 AI應用生態之后，這一最前沿AI應用軟件隨即風靡全球，推動谷歌AI算力需求瞬間激增。Gemini3 系列產品一經發布即帶來無比龐大的AI token處理量，進一步驗證了華爾街所高呼的「AI熱潮仍然處於算力基礎設施供不應求的早期建設階段」。華爾街分析師們一致認為美光、SK海力士以及三星等存儲巨頭將是最大贏家勢力。

畢竟無論是谷歌無比龐大的TPU/AI ASIC算力集羣，抑或是谷歌購置的海量英偉達AI GPU算力集羣，均離不開需要全面集成搭載AI芯片的HBM存儲系統，以及當前谷歌加速新建或擴建AI數據中心必須大規模購置服務器級別高性能DDR5存儲設備以及企業級高性能SSD。而美光、SK海力士以及三星正好同時卡在這三塊：HBM、服務器DRAM(包括 DDR5/LPDDR5X)、以及高端數據中心SSD，是「AI內存+存儲棧」里最直接的受益者之一。

此外，SK海力士、三星以及美光將多數產能集中於HBM存儲系統——這類存儲產品需要的產能以及製造、封測複雜度相比於DDR系列以及HDD系列存儲芯片而言複雜得多，因此三大存儲芯片領軍者不斷將產能遷移至HBM，也在很大程度上導致這些硬盤類存儲產品供不應求。

全球兩大存儲巨頭——三星電子與SK海力士，以及西部數據和希捷等存儲巨頭們近期公佈的無比強勁業績，令摩根士丹利、美國銀行以及瑞穗等華爾街大行高呼「存儲超級周期」已至，凸顯出全球持續井噴式擴張的AI訓練/推理算力需求全面帶動DRAM/NAND系列存儲產品需求指數級擴張，尤其是在全球存儲市場中，當前需求最為旺盛的當屬DRAM細分領域HBM存儲系統與服務器級別高性能DDR5;此外，NAND領域的企業級SSD需求也在近日開始呈現激增態勢。

在這輪以AI大模型更新迭代以及AI數據中心擴建/新建為核心的史無前例AI投資周期中，英偉達/博通/AMD等核心AI算力組件廠商們無疑是最大贏家;緊隨其后的，則是以HBM為代表的高端存儲器供應商(SK海力士、三星以及美光等)，以及服務於AI數據中心的企業級高性能存儲廠商(近線HDD 與數據中心SSD)。這兩條鏈路正在構成「AI 算力×數據中心存儲」的雙輪AI投資周期驅動，其中HBM/高端DDR5存儲系統是緊貼AI GPU/AI ASIC算力集羣的第一存儲產品梯隊，而緊隨其后的企業級 HDD/SSD 則是承接AI數據「存儲大洪流」的AI基礎設施建設狂潮的另一個大贏家勢力。

DRAM與NAND迎來無與倫比的景氣度周期！今年以來股價屢創新高的SK海力士與三星漲勢遠未終結

美銀分析師們表示，HBM4/4e將繼續與AI GPU/ASIC一道成為AI 超算時代的「主糧」，SK則海力士繼續拉開代際差距。當前市場聚焦的HBM4 進度方面，HBM4量產與擴產「按計劃推進」，截止4Q已經有實際出貨，並且美銀調研顯示SK海力士向英偉達供應的HBM4確實像市場消息顯示的那樣較上代漲價超50%。

美銀預計SK海力士的HBM4存儲系統在2026年下半年有望實現 「跨越點」——即出貨量佔總HBM銷量的50%+，預計基於更先進1c-node 工藝的HBM4e預計將在 2026年末至2027年初上市。

SK海力士管理層表示，近期確實在加速向AI ASIC大客户們(ASIC典型技術路線就是谷歌TPU) 提供HBM3e/HBM4，並且該公司認為現在所處的行業位置非常有利。美銀自己的渠道調研也指出SK海力士是谷歌/ 博通的「No.1 HBM3e供應商」，預計2026–27年HBM市場份額可達50–60%。

HBM4/4e 不只是容量升級(更大單堆容量)、更是帶寬和能效的階躍——對谷歌TPU、英偉達Blackwell/Rubin架構這類高端AI芯片來説，HBM已經成為性能上限的核心瓶頸。誰先把HBM4量產、良率和成本打下來，誰就牢牢卡在AI算力產業鏈利潤最豐厚的位置之一。美銀這份報告的核心邏輯之一在於：這輪存儲超級周期里，SK海力士將長期是絕對主角。

因此對於SK海力士目標股價，美銀予以80萬韓元目標股價，意味着屢創新高的SK海力士接下來12個月潛在漲幅高達50%;值得注意的是， 美銀予以的3.6x 2026E P/B估值，意味着這個倍數比2018年的那輪「雲計算驅動的存儲超級牛市」頂峰的2x P/B 高了足足50%+，意味着此輪有望持續至2027年上半年的存儲超級周期無論是強度還是時間跨越均有望超上一輪景氣周期。

對於三星電子，美銀分析師們表示，在HBM4量產和1c節點爬坡上，三星「仍顯著落后於SK海力士」，但美銀認為三星在「傳統DRAM+Foundry」組合上的利潤修復空間更強大。美銀予以三星目標價14萬韓元，採用2.1x 2026E P/B級別估值，這個水平同樣超越三星當年的歷史峰值估值區間(2017–18以及2021–22的2.0x估值)且顯著高於長期平均P/B估值(2015–24年約1.4x)。

對於當前市場聚焦的DRAM未來上行預期，美銀預計，今年以來漲幅超100%的DRAM合約價，未來半年左右的時間里還有50%+空間，不過美銀表示，當前DRAM現貨價「異常偏高」，可能會有小幅修正，但合約價仍遠低於現貨價。美銀預計，隨着英偉達AI GPU算力集羣龐大需求帶來的HBM4/4e，DRAM/NAND訂單，加之谷歌新一代TPU上線，DRAM與NAND合約價的誇張漲勢遠未完結。

在傳統通用DRAM上，美銀的基調同樣樂觀，甚至直接用了 「DRAM super-cycle」 這一套話術：美銀預計到2026年底，1c節點(再下一代縮微工藝)預計可佔韓國DRAM產能(剔除HBM)的約 50%，而2025年底只有約20%。美銀調研顯示，DRAM長約型訂單增長無比迅速，但價格仍多為按季度談判——説明買方願意鎖量，但價格還有再上行空間，美銀調研顯示，2026年DRAM需求將繼續遠遠超過供給。

關於NAND，美銀在研報中表示，SK海力士管理層強調不積極擴張NAND晶圓產能，説明本輪存儲芯片巨頭們的主戰場就是HBM/DRAM，而非聚焦於價格更卷的NAND技術路線。但是SK海力士認為與6–12個月前相比，NAND市場情緒全面轉向樂觀，主要受企業級數據中心SSD(eSSD)需求預期提升驅動;但非常關鍵的一點是：SK海力士目前沒有擴大NAND晶圓產能的計劃，美銀分析團隊預計當前需求強勁的「閃迪SanDisk數據中心eSSD」合約價有望繼續大漲。