天岳先進：12英寸技術破局領跑行業，雙賽道佈局賦能新產業

中宏網訊 第三代半導體產業在全球範圍內快速發展，新能源與人工智能的深度融合推動相關產業變革，碳化硅憑藉耐高温、高功率、低損耗的核心優勢，成為支撐高端製造升級的關鍵核心材料。天岳先進作為碳化硅襯底行業龍頭，受到資本市場高度關注。公司依託全鏈路技術創新突破國際壟斷，聚焦高增長賽道挖掘產業價值，投資價值不斷提升。

全鏈路創新構建核心競爭力

　　技術突破與穩定交付能力，共同夯實天岳先進的行業優勢與技術壁壘。

　　天岳先進已全面掌握原料提純、晶體生長、切割拋光全鏈條核心技術，關鍵環節實現全鏈路突破，自主可控水平為競爭奠定基礎。目前，公司碳化硅襯底專利持有量位居全球前五，12英寸碳化硅襯底、液相法制備8英寸碳化硅襯底等多項技術為國際首創，具備與全球頂尖企業競爭的技術實力。

　　核心生產設備方面，公司自主設計長晶爐並聯合設備廠商定製，擺脫進口依賴，核心參數自主掌控；從原材料到晶體生長、加工、表徵的全生產環節技術均實現自主可控，各環節與上下游企業協同優化，保障產業高效推進。研發端，公司突破大尺寸化等行業技術瓶頸，材料性能達到國際領先水平。

　　12英寸技術突破推動碳化硅襯底進入「大尺寸時代」。碳化硅作為第三代半導體核心材料，襯底尺寸與品質直接影響產業鏈性能上限及成本空間，尺寸越大，單片晶圓芯片產出量越高，降本增效效果越明顯。當前，天岳先進已推出12英寸全產品系列，單片晶圓可用面積較8英寸提升約2.25倍，芯片產出量增加2倍以上，邊緣損耗大幅減少，產出芯片數量提升近90%，可優化下游芯片性能、成本與可靠性；同時實現全球獨有的12英寸N型、P型、半絕緣型全品類量產，良率與缺陷控制指標優於行業水準，為下游高功率、高精度器件研發提供支撐，正推進12英寸碳化硅進一步研發與量產籌備。

　　此外，液相法技術實現革命性突破，依託該技術可製備缺陷更少、電阻率更低、尺寸更大的碳化硅晶錠，已成功產出無宏觀缺陷的8英寸碳化硅襯底，在壓縮生產成本的同時，保障產品核心性能穩定。

　　產能佈局持續完善，為天岳先進交付能力提供了保障。濟南工廠通過技術升級與工藝優化，產能產量穩步提升；上海臨港工廠於2024年年中提前達成30萬片/年導電型襯底產能規劃，當前推進二階段產能提升，設計產能突破100萬片，為滿足下游市場需求提供產能支撐。2024年全年，公司的市場佔有率已經超過22.8%，位列全球第二。

　　聚焦高增長賽道挖掘市場空間

　　憑藉技術實力，天岳先進聚焦新能源與AI光學兩大高增長賽道，實現技術與市場需求的適配，推動碳化硅材料拓展多個應用場景。

　　新能源領域中，碳化硅器件加速替代傳統硅基器件，成為能效升級的重要支撐。天岳先進8英寸襯底已批量出貨，終端客户覆蓋全球前十大功率半導體制造商半數以上，終端應用於新能源汽車、光伏儲能、特高壓輸變電等場景。新能源汽車領域，車規級襯底通過國際頭部企業驗證，支撐碳化硅器件實現耐高温、小體積、強散熱特性，適配800V高壓平臺，助力車輛提升續航、縮短充電時間；在光伏與儲能領域，碳化硅器件可將逆變器轉換效率提升至99%以上，支持1500V光伏直流系統與2000V以上儲能系統，降低線損與能耗，推動儲能變流器效率突破98%，保障新能源消納與電網穩定。

　　AI光學賽道，天岳先進利用碳化硅襯底的高折射率、零缺陷晶體結構，研發出厚度1mm的衍射光波導鏡片，支持AR眼鏡實現120°超大視場，解決了傳統光學器件視場窄、體積大的問題。隨着與國際廠商聯合研發推進，良率提升與成本下降有望推動AR眼鏡從高端市場向大眾消費滲透，碳化硅光學襯底或成為核心標配，為天岳先進拓展更廣闊的市場空間。

　　從技術突破到應用落地，天岳先進在碳化硅產業領域實現穩步發展。后續，隨着12英寸產能擴張與新興應用滲透，有望進一步推動全球碳化硅產業升級，助力新能源與人工智能產業發展。

　　特別聲明：文中提及內容均來源於公開信息，不構成實質性投資建議，據此操作風險自擔。