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2025-11-12 17:17
(來源:SEMI)
當地時間11月10日,GlobalFoundries 格羅方德(GF、格芯)宣佈與臺積電就650V和80V氮化鎵(GaN)技術達成技術許可協議。這一合作標誌着臺積電在退出GaN代工業務前,通過技術授權模式完成戰略轉型,而格羅方德藉此加速佈局第三代半導體核心賽道。
根據協議,GlobalFoundries將在其佛蒙特州伯靈頓工廠部署該技術,利用該工廠在高壓硅基氮化鎵技術方面的專業知識,為尋求下一代功率器件的客户加快量產速度。開發時間定於2026年初,生產將於同年晚些時候開始。該廠此前已通過美國CHIPS法案獲得超1.2億美元專項資金,用於GaN專用產線的設備改造。
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