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2025-10-30 12:46
來源:大D談芯
近日,上海超硅半導體股份有限公司更新了招股説明書,募集資金超49億元。
01 募集資金
本次募集資金49.65億元,將投資於「集成電路用300毫米薄層硅外延片擴產項目」「高端半導體硅材料研發項目」和「補充流動資金」。其中29.65億元將投入集成電路用300毫米薄層硅外延片擴產項目中。
02 公司簡介
上海超硅半導體股份有限公司 成立於2008年,主要300mm和200mm半導體硅片的研發、生產、銷售,同時公司還從事包括硅片再生以及硅棒后道加工等受託加工業務。
公司擁有設計產能80萬片/月的300mm半導體硅片生產線以及設計產能40萬片/月的200mm半導體硅片生產線。公司產品已量產應用於先進製程芯片,包括NAND Flash/DRAM(含HBM)/Nor Flash等存儲芯片、邏輯芯片等。
公司產品已經銷售給位於中國大陸、臺灣、歐洲、美國、日本、新加坡等全球主要的晶圓廠,已與全球前20大集成電路企業中的18家建立了批量供應的合作關係,在行業內擁有了較高知名度。
03 營收情況
報告期各期,公司主營業務收入金額分別為9.095億元、9.230億元、13.221億元和7.530億元。歸屬於母公司所有者的淨利潤分別為-8.029億元、-10.436億元、-12.992億元和-7.365億元,累計虧損超38億元。
04 主要產品
半導體硅片是生產集成電路、分立器件、傳感器等半導體產品的關鍵材料,
根據尺寸不同劃分,主要可分為6英寸(直徑150mm)及以下、8英寸(直徑200mm)、12 英寸(直徑300mm)半導體硅片;
根據製造工藝劃分,主要可分為拋光片、外延片、退火片、SOI硅片等(其中外延片、退火片和SOI硅片是對拋光片的二次加工);
根據摻雜劑種類不同,分為P型硅片(摻雜劑主要為硼)和N型硅片(摻雜劑主要為磷/紅磷/砷/銻);
根據摻雜濃度不同劃分,主要可分為輕摻硅片、重摻硅片;根據具體用途不同劃分,主要可分為正片、測試片及控擋片等。
公司的主要產品包括300mm、200mm半導體硅片,以市場需求較大的P型硅片產品為主,也包括少量摻磷的N型硅片。其中,300mm半導體硅片產品包括拋光片和外延片,200mm 半導體硅片產品包括拋光片、外延片、氬氣退火片以及SOI 硅片。公司主要產品的具體情況如下:
1)300mm 半導體硅片
公司300mm半導體硅片產品包括拋光片和外延片:
300mm拋光片廣泛用於NOR Flash、NAND Flash、DRAM(含HBM)、DDIC、BCD器件等,可滿足先進製程的要求,尤其是,HBM對半導體硅片的要求極高,公司已經和全球HBM頭部公司客户D展開合作;
300mm外延片為薄層外延片,其對於硅片表面缺陷率、外延均勻性等指標的要求較高,產品主要應用於CMOS邏輯電路、Flash存儲器件、CIS器件等,少量用於Power MOSFET產品。公司從2022年第四季度開始量產300mm外延片,目前多家境內外知名半導體企業已批量使用或正在認證公司的300mm外延片產品。
2)200mm半導體硅片
公司200mm半導體硅片產品包括拋光片、外延片、氬氣退火片和SOI硅片:
200mm拋光片以Low-COP和COP-Free拋光片為主,廣泛用於各類CMOS 邏輯電路、BCD產品、模擬電路及PMIC產品等;
200mm外延片產品主要用於CMOS邏輯電路、Flash 存儲器件、Power MOSFET、CIS 器件的生產;
200mm氬氣退火片產品主要用於各類CMOS 邏輯電路、Flash 存儲器件、DDIC 模擬電路等,目前已通過眾多客户的技術評價和質量驗證並實現穩定量產供應。公司是目前全球少數穩定供應200mm 氬氣退火片的硅片製造企業之一;
200mm SOI硅片產品主要用於MEMS、功率器件、壓力傳感器和CMOS邏輯電路等產品的生產。
3)受託加工業務
公司受託加工業務主要包括硅片再生以及硅棒后道加工業務。
硅片再生
再生硅片又稱返拋硅片,是針對表面膜層、表面圖形等方面存在一定缺陷的硅片,經過去膜、腐蝕、拋光、清洗、檢測等工序進一步加工后的產品。公司下游半導體企業的芯片製造工藝複雜,對生產環境的要求較為嚴苛,在眾多製造工藝流程中,需要使用控片監控機臺的穩定性和重複性,使用擋片保持工藝的穩定性和均一性。下游半導體企業為縮減成本通常會將使用過的控片、擋片委託公司進行再生加工,通過去除晶圓表面的雜質和缺陷,使處理后的控片、擋片在曲正度和表面的顆粒數量上都達到新片的標準,實現其循環再利用。
硅片再生業務是公司大尺寸硅片產品業務的有效補充,滿足了客户的硅片重複利用需求,有利於公司為客户提供綜合一體化服務,有效增強客户粘性。
硅棒后道加工
硅棒后道加工業務中,由客户提供其生產的單晶硅棒作為原材料,公司接受客户委託完成切片、研磨、拋光等后道加工工序並將最終產出半導體硅片交付客户,由客户向公司支付委託加工費用。
報告期各期,公司主營業務收入構成情況如下:
05 主要工藝流程
半導體硅拋光片的工藝流程主要可分為晶體生長工藝流程和后道加工工藝流程。爲了滿足特定領域產品的特殊要求,部分產品會在拋光片的基礎上進行外延加工、退火加工、氫離子注入、鍵合、剝離等處理。
1)晶體生長工藝流程
目前在半導體晶體生長工藝中,最常使用的是直拉法,多晶硅作為原材料放入石英坩堝中,並在石墨加熱器的加熱下熔化成熔融態硅熔液,然后將單晶硅籽晶插入硅熔體中進行熔接,通過轉動籽晶和坩堝,經過引晶、放肩和轉肩、等徑生長、收尾等步驟形成單晶硅棒。晶體生長工藝流程如下:
晶體生長過程需要在單晶生長爐中實現,公司的高純半導體單晶生長爐自主設計與集成技術為公司的晶體生長設備提供了技術基礎。而公司的高成晶率單晶直拉生長自動控制技術通過控制晶體等徑生長等過程,保障單晶硅棒的生長。
2)后道加工工藝流程
多晶硅拉制成半導體拋光片用硅單晶棒后,經過晶棒加工、硅片加工、拋光、清洗與檢測等工序,形成半導體拋光片。后道加工工藝流程如下:
公司掌握的高精度低損耗半導體硅片加工技術應用於晶體生長之后的后道加工工藝環節,包括切割、研磨、倒角、化學腐蝕、拋光、清洗以及檢測等,實現了對公司拋光片產品質量參數的有效控制。
3)外延加工工藝流程
在拋光片的基礎上製造外延片的工藝流程如下:
公司掌握的超高一致性外延生長技術主要應用於外延生長這一關鍵環節,實現在拋光片的基礎上生長出新的硅外延層。
4)氬氣退火工藝流程
在拋光片的基礎上製造氬氣退火片的工藝流程如下:
公司掌握的氬氣均降温退火處理技術主要應用於氬氣退火這一關鍵環節,實現拋光片在氬氣保護下進行升溫和降温的過程,有效降低硅片中COP 的尺寸和數量,同時達到提高硅片正表面的無缺陷層深度、降低硅片翹曲與滑移的目的。
5)SOI 加工工藝流程
在拋光片的基礎上製造SOI 硅片的工藝流程如下:
公司掌握的氫離子注入剝離技術主要應用於氫離子注入、剝離這兩個關鍵環節,使硅片在氫離子聚集區域進行分離,並控制剝離后SOI 硅片的表面缺陷、厚度均勻性等指標。
06 員工情況
報告期各期末,公司及子公司正式員工合計人數分別為1323人、1233人、1599人和1657人。
截至2025年6月末,公司及其控股子公司正式員工專業構成情況如下:行政管理人員137人,佔比8.27%;研發人員217人,佔比13.10%;生產人員1257人,佔比75.86%;銷售人員46人,佔比2.78%。
截至2025年6月末,公司及其控股子公司正式員工學歷構成情況如下:博士及以上17人,佔比1.03%;碩士83人,佔比5.01%;本科593人,佔比35.79%;大專及以下964人,佔比58.18%。
截至2025年6月末,公司及其控股子公司正式員工年齡構成情況如下:51歲及以上47人,佔比2.84%;41-50歲169人,佔比10.20%;31-40歲639人,佔比38.56%;30歲及以下802人,佔比48.40%。
07 發展關鍵事件
2008年
公司成立;
2011年
05月成為臺積電戰略合作伙伴,
12月通過臺積電200mm再生硅片產品認證;
2012年
榮獲臺積電【傑出供應商表現獎】
2014年
發起成立重慶超硅半導體有限公司
2016年
研製成功200mm、300mm晶棒,200mm硅片產品下線
2017年
200mm硅片首次正式發貨出廠
2018年
300mm硅片(中試線)首次正式發貨出廠;上海松江300mm硅片全自動智能化產線項目(BigFab)奠基,該項目連續多年被列為上海市重大工程。
2020年
完成A輪融資;BigFab建成通線;300mm硅片(BigFab)首次正式發貨出廠;全資控股重慶超硅,完成A+輪融資
2021年
完成股改,更名為上海超硅半導體股份有限公司,註冊資本34.5億元人民幣
2022年
完成B輪和B+輪融資
2023年
【超硅半導體300mm集成電路硅片全自動智能化生產線】【上海超硅生產研發及配套設施建設項目】列入上海市重大工程;獲得上海市重點企業服務包;列入上海市首批創新性企業總部
2024年
超硅綜合研究院掛牌;完成C輪融資
2025年
列入2025年上海市重大工程、高新技術企業、上海市制造業單項冠軍企業和上海市企業技術中心
公司設立以來主要產品的演變情況如下:
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責任編輯:楊賜