存儲行業景氣周期及技術演進路線

（來源：老司機駕新車）

存儲行業景氣周期及技術演進路線

一、存儲行業景氣周期分析

當前存儲行業處於上行周期，此輪行情自2025年9月啟動，核心驅動力為AI服務器需求超預期。美國OpenAI等客户不僅鎖定第四季度產能，更提前下達2026年訂單，導致供需關係快速失衡1。與歷史周期相比，本輪上行周期的核心差異在於需求端由AI服務器這一新興亮點推動，而疫情后傳統消費電子（手機、PC）需求疲軟，此前周期多由產能調劑（減產）驅動，持續性較弱。 

回顧周期演變，疫情前存儲行業周期規律相對清晰（1-1.5年），疫情期間（2020-2022年）因居家辦公需求延長上漲周期至2年以上，隨后陷入1年多的下跌周期；2024年周期縮短為「上半年漲、下半年跌」。當前周期預計持續性較強，不僅第四季度價格上漲，2026年或延續上行趨勢，因HBM等高利潤產品需求旺盛且原廠產能聚焦。 

二、上游原廠產能、競爭格局與產品側重

（一）DRAM領域

產能與競爭格局：三星以月產能超20萬片晶圓、35%市佔率居首，海力士（20%）、美光（15%）緊隨其后，三大原廠合計佔比近70%，疊加長鑫存儲后整體市佔率超90%。 

產品與資本支出：原廠資本支出優先投向HBM，三星、海力士年DRAM資本支出約140-150億美元，美光約100億美元，主要用於HBM產能擴張；標準型DRAM（DDR3/DDR4）僅維持正常迭代（如1αnm向1βnm過渡），無大規模擴產。 

（二）NAND領域

產能與競爭格局：三星市佔率20-23%，鎧俠+閃迪合計25%（各佔12-13%），海力士（15%）、美光（10%）、長江存儲（8-10%，持續提升）分列其后。 

產品與資本支出：NAND資本支出低於DRAM，三星年支出約100億美元，其他廠商多為20-30億美元，（更多實時紀要加微信：aileesir）資源優先投向3D堆疊技術（200層以上）及QLC產品；因HBM利潤更高，原廠普遍將重心放在DRAM而非NAND。 

（三）競爭差異

DRAM市場集中度更高（4家廠商），價格易受操控；NAND廠商達6家，擴產與減產策略分化，價格漲幅較DRAM平緩。 

三、下游主要應用領域需求狀況

存儲下游需求以服務器、手機、PC為核心，合計佔比超70%： 

服務器：AI服務器佔比約10%，但需求爆發力強；傳統服務器需求穩定增長（年增速10%），為存儲第一大應用領域，其利潤水平（40%）高於消費電子。 

手機與PC：均處「高原期」，手機年出貨量約12億部，PC約2-3億台，需求疲軟但單位存儲容量持續提升（如手機高端機型從256GB向512GB升級），消費級存儲利潤水平較低（原廠20-25%，模組廠10-15%）。 

四、存儲技術演進路線（DRAM/NAND）

（一）DRAM技術

發展瓶頸：受HBM資源排擠，DRAM技術迭代放緩，仍停留在2D製程（10nm左右，如1α/1βnm），3D轉型需鉅額資本投入，短期難突破，標準型DRAM或在10nm附近停滯。 

HBM主導：HBM為當前核心增長點，利潤水平高達50-70%，三大原廠均優先擴產HBM，其產能消耗為標準型DRAM的3倍。 

（二）NAND技術

3D堆疊持續突破：已進入200層以上技術節點，2026年將邁向300層，堆疊速度快於DRAM，但300層后良率與風險提升，增速或放緩。 

QLC成為趨勢：QLC價格較TLC低10-20%，壽命約為TLC的50%，但消費級需求對壽命敏感度低，當前佔比約20%，未來3-5年有望升至50%，成為NAND主流。 

五、手機細分市場存儲需求與供應格局

（一）需求結構

按存儲容量分為高端（512GB+，佔30%）、中階（128-256GB，佔30%）、中低階（≤64GB，佔40%），中低階機型在新興市場（非洲、東南亞）佔比最高。 

（二）供應格局

原廠與模組廠分工：70%存儲需求由原廠滿足（三星40%、海力士20%、美光10%），30%由國內模組廠（江波龍、百維、長鑫、長江存儲等）供應，形成「7:3」格局。 

國產化趨勢：長鑫、長江存儲受益於國產化政策與補貼，市佔率逐步提升，但短期內難以與三星等原廠競爭。

六、國內存儲主控技術發展狀況

全球存儲主控市場由羣聯（臺灣）、慧榮（美國）主導（近70%份額），國內廠商處於追趕階段： 

消費級主控：聯芸（光雲科技）為國內領先者，聚焦消費級SSD，受益於國產化浪潮及長尾品牌需求，在淘寶、京東等平臺佔據一定份額。 

企業級主控：國內廠商（如大普微）份額極低，企業級SSD主控仍以原廠自研為主，技術壁壘高（需長期研發積累與規模效應）。 

競爭梯隊：聯芸為第一梯隊，英韌、得一微等為第二梯隊，整體與國際龍頭差距顯著。

七、核心市場動態與展望

價格趨勢：第四季度存儲價格大幅上漲，企業級存儲漲幅30-50%，消費級更高（50%+），因庫存低位（模組廠僅2個月庫存，正常水平為4個月）及產能優先供給AI服務器。 

HBM風險：HBM存在泡沫成分（AI應用尚未明確盈利模式），但短期需求旺盛，至少維持至2026年第二季度。 

技術替代：QLC將逐步替代TLC，2026年佔比或達50%；HDD因長壽命優勢（10-20年），與SSD形成互補（7:3），不會完全被替代。

Q&A

Q1: 當前三大存儲原廠的產能利用率水平如何？上一輪周期原廠的產能利用率大概在什麼位置？

A1: 本輪周期在9月份上漲前，三大原廠的產能利用率約為80%；目前因市場極度缺貨，已開始規劃將產能利用率提升至90%甚至100%。上一輪周期中，原廠產能利用率通常在70%左右，且因上漲周期較短（1-2個季度），利用率難以衝得太高，隨后需求下滑時又會回落至70%左右。

Q2: 展望2026年，HBM的供需是否會出現供應過剩？是否會對其他領域產生連鎖反應？

A2: HBM存在一定泡沫成分，因當前需求預測過於樂觀，且AI服務器尚未形成明確的盈利模式。但泡沫短（更多實時紀要加微信：aileesir）期內不會破裂，至少可維持至2026年第二季度，2026年下半年風險可能升高。若泡沫破裂，可能對標準型DRAM等領域產生連鎖反應，因HBM消耗大量DRAM產能，其需求下滑可能緩解標準型DRAM的供應緊張，但短期內HBM仍是拉動行業增長的核心動力。

Q3: 從產能消耗角度，HBM與標準型DRAM、QLC與TLC相比，先進產品對產能的消耗是否更多？

A3: 從產能消耗看，HBM和QLC/TLC呈現不同特徵。HBM方面，當前需求已佔DRAM總產能消耗的近一半，且製造一批次HBM消耗的原材料是標準型DRAM的三倍，對產能消耗顯著更高。NAND Flash方面，QLC目前佔比約20%，其與TLC處於技術轉換期，因3D NAND向300層演進帶動成本下降，QLC佔比未來將逐步提升，但當前產能消耗仍低於TLC；長期看，QLC將成為主流，產能消耗佔比會持續上升。

Q4: 在HDD原廠不擴產的情況下，AI應用發展是否會加速HDD被替代？QLC/TLC壽命較短是否會影響其對企業級SSD的替代前景？

A4: AI應用將加速HDD的替代進程，但HDD不會完全消失。AI服務器100%使用SSD以滿足運算速度需求，傳統服務器因HDD缺貨也在加速向SSD遷移；但HDD憑藉15-20年的存儲壽命優勢，在冷數據存儲領域不可替代，長期可能形成70% SSD+30% HDD的平衡點，替代周期長達5-10年。QLC/TLC壽命（5-10年）雖短於HDD，但符合消費級和部分企業級的使用周期，且SSD廠商通過固件優化提升穩定性，對企業級SSD替代前景影響有限，企業級SSD仍以原廠主控為主，穩定性有保障。

Q5: 企業級存儲顆粒供應緊張，模組廠能否順利獲取企業級顆粒？其囤貨中企業級顆粒的存貨佔比如何？

A5: 當前模組廠獲取企業級顆粒難度較大，存貨佔比極低。因AI服務器和HBM需求超預期，疊加行業自3月起持續漲價，市場普遍庫存偏低（模組廠和客户庫存均不到2個月，正常水平為4個月），上游原廠優先供應HBM和服務器級存儲，企業級SSD/DRAM的滿足率不足50%，模組廠難以大量囤貨，企業級顆粒存貨佔比遠低於正常水平。

Q6: 展望第四季度及明年，企業級與消費級存儲的漲價幅度如何？企業級是否會虹吸消費級產能導致消費級漲幅超預期？

A6: 第四季度企業級存儲漲幅預計為30%-50%，消費級漲幅更高可能達50%。企業級因需求穩定、客户重要性高，漲幅相對可控；消費級因優先級低、供應緊張，漲幅更顯著。明年第一季度，企業級漲幅可能持續，因服務器和AI基礎設施需求仍在擴張；消費級漲幅受終端吸收能力限制，若終端廠商或消費者無法承擔漲價，可能出現需求下修或降規，漲幅或趨緩。企業級對消費級產能的虹吸效應已顯現，消費級產能被擠壓是其漲幅超預期的重要原因。

Q7: 手機存儲漲價前后，其佔手機BOM成本的比例有何變化？

A7: 漲價前，存儲佔手機BOM成本的比例約為25%（1/4）；漲價后，因存儲價格大幅上漲，其佔比進一步提升。不同定位手機的存儲容量差異較大（高階512GB、中階128-256GB、低階16-64GB），但整體來看，存儲已成為手機BOM成本中的關鍵部件，標準型手機存儲佔比穩定在1/4左右，漲價后佔比隨存儲成本上升而增加。

Q8: AI服務器（如英偉達、ASIC）的DRAM配置容量大概是多少？

A8: AI服務器的DRAM配置容量因產品類型和定製化需求差異較大。ASIC芯片的DRAM容量通常不大，主要用於優化運算順暢性，其配置隨市場行情波動（缺貨時降規、過剩時升規），雖利潤較高但用量有限。英偉達H系列等AI服務器的DRAM配置相對明確，內存條容量多為16GB或32GB，SSD容量約18GB或20GB，具體因客户定製化需求有所調整，但整體處於該區間。

Q9: 英偉達H系列服務器的內存條容量是多少？升級后容量有何變化？

A9: 英偉達H系列服務器的內存條容量通常配置為16GB或32GB。升級后（如Back view版本），因服務器定製化程度高，容量變化主要取決於客户需求，整體仍以16GB或32GB為主，部分場景可能根據運算需求小幅調整，但未出現顯著的容量躍升，核心仍匹配AI運算對高密度存儲的需求。

Q10: 當前存儲市場的庫存水平有何變化？

A10: 當前存儲市場庫存處於歷史低位。正常情況下，模組廠庫存約4個月，供過於求時可達10-12個月；但目前受AI需求超預期及前期保守備貨影響，模組廠庫存僅2個月，客户（終端廠商）庫存亦不到2個月，均遠低於正常水平。低庫存導致市場供需矛盾加劇，價格快速上漲，且短期內補貨難度大，庫存水平難以快速回升。

Q11: 利基型存儲（DDR4、DDR3、LPDDR）今年的漲幅如何？后續漲幅及持續性怎樣？

A11: 利基型存儲今年漲幅顯著，后續仍將持續上漲但幅度放緩。年初因DDR4/LPDDR4產能EOL（停產），帶動至少兩個季度上漲，漲幅翻倍，甚至出現DDR4價格高於DDR5的倒掛；AI需求爆發后，DDR5價格回升，DDR4隨DDR5聯動上漲。DDR3因需求穩定（客户羣體固定），價格波動較小。后續看，DDR4預計第四季度隨DDR5上漲25%-30%，DDR3保持穩定；持續性方面，DDR4/DDR5將呈現正相關波動，直至DDR5漲幅趨緩，DDR3因剛需維持穩定。

Q12: 當前8GB DDR4的價格大概是多少？DDR4與DDR5價格倒掛的情況如何？

A12: 當前8GB DDR4顆粒價格約7元，DDR5顆粒約8.5元，價格倒掛已緩解。年初因DDR4產能減少，出現DDR4價格高於DDR5的倒掛；AI需求爆發后，DDR5價格快速回升，迴歸DDR5高於DDR4的正常狀態（價差約1.5元）。目前市場報價混亂且多停止報價，實際成交價可能因缺貨進一步波動，但倒掛狀態已結束，未來DDR4與DDR5價格將正相關聯動。

Q13: Nor flash的漲價趨勢能持續多久？

A13: Nor flash漲價趨勢預計持續至2026年上半年，季度漲幅約20%。漲價主因是小容量NAND Flash產能向大容量切換，導致替代需求轉向Nor flash，且年初DDR4/Nor flash產能減少進一步推升價格。當前Nor flash漲幅已翻倍，后續隨小容量NAND Flash持續減產及3D NAND技術迭代，Nor flash佔比將逐步提升，漲價趨勢至少維持至2026年上半年，與小容量NAND Flash供需變化正相關。

Q14: 三星HBM3e降價30%對HBM4E市場格局有何影響？其與高等級DDR5的毛利率是否接近？高通3D堆疊芯片是否會衝擊HBM需求？

A14: 三星HBM3e降價對HBM4E格局影響有限，HBM與DDR5毛利率仍差距顯著，高通3D堆疊芯片短期內難以衝擊HBM需求。三星HBM需先通過英偉達驗證，降價主要影響自身利潤率（從70%降至約40%），但難以大幅提升份額，因海力士、美光技術領先且不會跟隨降價；HBM毛利率（40%-70%）仍遠高於DDR5（企業級約40%），原廠優先保障HBM產能。高通3D堆疊芯片尚處技術探索階段，商業化落地需數年，且當前存儲市場極度缺貨，短期無法對HBM需求構成衝擊。

Q15: DDR4向DDR5的轉換速度是否較快？不同製程下能否直接轉換？

A15: DDR4向DDR5的轉換速度較慢，受主芯片支持及客户驗證限制，無法直接快速轉換。轉換需滿足（更多實時紀要加微信：aileesir）主芯片兼容性及終端客户（如工業、標案）的驗證要求，流程複雜；但今年客户已被迫推進DDR5方案，約50%客户具備DDR4/DDR5雙方案能力，當前價差驅動下切換相對容易（DDR5漲價時可轉回DDR4）。長期看，若無極端價差（如DDR5溢價50%），DDR4向DDR5的轉換趨勢不變，因DDR5技術更先進且客户驗證逐步完成。