三星或發動HBM價格戰，DRAM等被曝再漲價30%

據Digitimes報道，存儲龍頭三星電子將針對12層HBM3E推出30%的降價策略，以試圖搶佔市場。

「價格戰」背后的邏輯是三星產品良率爬坡速度緩慢導致的市場份額落后。直到今年9月，三星12層HBM3E產品才通過英偉達測試，並正式開始供應，預計今年第四季度出貨量將達到數萬片。

三星HBM3E出貨時間仍然明顯落后於SK海力士、美光等存儲廠商。公開資料顯示，早在2024年，SK海力士便已通過良率測試，並確定向英偉達供應HBM3E產品，今年上半年更是實現了16層HBM3E的量產供貨；另有消息稱，今年6月，美光HBM3E的良率已提高至70%以上，且預計出貨量超過8層HBM3E。

在良率與市場份額明顯落后的局面下，三星於今年7月被傳出將針對部分客户提出HBM3E的降價提案，以促成商用合作。彼時的三星提醒，HBM3E的供應增長速度將超過需求增長速度，預計供需關係將發生變化。短期內市場價格也可能受到影響。

不過，就產品迭代趨勢而言，HBM3E僅僅是高帶寬內存系列中的第五代產品。站在當下時點，高帶寬內存系列第六代產品——HBM4或即將全面推出。

本月消息稱，三星正在加緊推進HBM4的研發，其計劃於10月27日至31日在2025年三星科技展上發佈第六代12層HBM4，並計劃於今年晚些時候量產。其他存儲廠商方面，今年9月，SK海力士表示已完成全球首款HBM4的開發工作，已為量產做好準備。

在HBM4全面接棒老款產品的背后，是英偉達等科技巨頭對AI芯片架構的全面升級。早在去年，黃仁勛就預告推出Blackwell Ultra AI芯片，且將採用HBM4內存。

而據TrendForce集邦諮詢最新調查，近期英偉達積極要求Vera Rubin server rack的關鍵零組件供應商提高產品規格，包括HBM4的Speed per Pin須調升至10Gbps。值此背景，預計SK海力士在HBM4量產初期將維持其最大供應商的優勢。從價格趨勢來看，TrendForce預測，2025年HBM的平均銷售單價將同比上漲20.8%，達到1.80美元/Gb，盈利能力可觀。另有機構預計明年上市的12層HBM4產品單價將達到500美元，比售價約300美元的12層HBM3e高出60%以上。

目前來看，三星發動的HBM價格戰，傳導到DRAM等傳統存儲芯片的概率較低。根據此前韓國KB證券研究主管Jeff Kim預計，若DRAM當前漲勢持續，明年非HBM內存芯片的盈利能力甚至可能將超越HBM。據其估算，三星7-9月期間標準DRAM業務運營利潤率約為40%，HBM業務則達60%。

另據日前消息，三星電子、SK海力士等存儲廠商將在今年第四季度針對傳統內存繼續向客户調整報價，包括DRAM和NAND在內存儲產品價格將上調高達30%，從而順應AI驅動的存儲芯片需求激增趨勢。