聯電推出55nm BCD特色工藝平臺

（來源：SEMI）

據報道，日前，中國臺灣地區晶圓代工企業聯華電子宣佈推出55nm BCD (Bipolar-CMOS-DMOS) 工藝平臺。

據悉，聯電的55nm BCD平臺包含非外延/磊晶 (Non-EPI)、外延/磊晶 (EPI)、絕緣層上硅 (SOI) 三類製程，同時整合了UTM超厚金屬層、eFLASH嵌入式閃存、RRAM憶阻器等技術。

這一特色製程能在單一芯片上集成模擬、數字與電力元件，廣泛應用於電源管理與混合信號集成電路，可提升移動設備、消費電子、汽車工業應用產品的能效表現，並提供更小芯片面積與卓越抗噪聲表現。