存儲芯片「超級周期」持續演繹：三星、SK海力士料將漲價30% 客户開啟囤貨模式

《科創板日報》10月23日訊 AI繁榮背景下，存儲芯片的這波「超級周期」，或比以往更加持久一些。

據《韓國經濟日報》報道，三星電子、SK海力士等主要內存供應商，將在今年第四季度繼續向客户調整報價。幅度上，包括DRAM和NAND在內存儲產品價格將上調高達30%，從而順應AI驅動的存儲芯片需求激增趨勢。

整體而言，本輪漲價幅度略高於預期。早在9月下旬，三星電子便已發出第四季度提價通知，當時的計劃是將部分DRAM價格上調15%至30%，NAND閃存價格上調5%至10%。而回到當下，根據花旗集團和摩根士丹利在其半導體行業分析報告中所預測，第四季度DRAM平均售價將上漲25-26%，比上一季度上漲10%以上，漲價熱潮或進一步加劇。

需要承認，存儲芯片行業正加速邁入「超級周期」幾乎已成為市場不爭的共識。如存儲模組大廠威剛董事長陳立白判斷，第四季度僅僅是存儲嚴重缺貨的起點，明年存儲產業將繼續處於供貨吃緊狀態。

對存儲芯片供應趨緊的預判則進一步加劇了市場的囤貨行為。另據《朝鮮日報》報道，由於擔心DRAM短缺，幾家領先的國際電子和服務器公司正在囤積內存，並與三星和SK海力士洽談簽訂2至3年長期供應協議，與以往按季度或年度簽訂合同的傳統形成鮮明對照。

存儲芯片進入「超級周期」的源頭何在？歸根結底，離不開AI和高性能計算需求的爆發。

正如美光公司首席商務官蘇米特·薩達納（Sumit Sadhana）所言，DRAM價格上漲部分原因是供應緊張，而這一趨勢很大程度上是由HBM需求激增推動的，因為HBM消耗的晶圓容量是標準DRAM的三倍多。而根據摩根士丹利預測，今年包括谷歌、亞馬遜、Meta、微軟在內的科技巨頭，將在人工智能基礎設施上投入4000億美元。

也因此，國內外存儲廠商紛紛將優先佈局HBM相關的先進封測領域作為其經營策略。10月20日消息，三星正在加緊推進HBM4的研發，計劃於10月27日至31日進行發佈，並於今年晚些時候量產。上市公司方面，佰維存儲於10月21日在互動平臺表示，公司的晶圓級先進封測制項目正處於投產準備過程中，公司正加緊惠州封測製造中心的產能擴建。

從價格趨勢來看，TrendForce預測，2025年HBM的平均銷售單價將同比上漲20.8%，達到1.80美元/Gb，盈利能力可觀。另有機構預計明年上市的12層HBM4產品單價將達到500美元，比售價約300美元的12層HBM3e高出60%以上。

不過，隨着人工智能投資從大容量數據訓練轉向推理， DRAM需求增長也有望跑出加速度。根據韓國KB證券研究主管Jeff Kim預計，若當前漲勢持續，明年非HBM內存芯片的盈利能力甚至可能將超越HBM。

展望未來，上海證券研報表示，AI需求旺盛推動存儲需求的增長，同時由於海外原廠產能限制，2025年第四季度存儲漲價趨勢預計持續，看好本輪存儲大周期。也有保守聲音如華邦電董事長焦佑鈞指出，當前DRAM供需不平衡，有可能實際需求並無這麼多，不過如今仍處在供不應求的狀況，致使缺口產生，供給不足下導致價格狂飆。