存儲行業趨勢更新

（來源：老司機駕新車）

存儲行業趨勢更新

一、DRAM與NAND存儲市場供需及價格趨勢分析

市場格局與產能分佈：DRAM市場由三星（41%）、海力士（27%）、美光（26%）主導，國內長鑫存儲佔比約6%；NAND市場三星（31%）、鎧俠（21%）、海力士（19%）居前，長江存儲佔比約4-5%。產能方面，三星DRAM月產能66萬片（12英寸基準），海力士43.5萬片，美光41.8萬片；NAND領域三星月產能60萬片，海力士36.8萬片，美光23萬片。

供需與庫存動態：2024年初DRAM庫存約4個月，當前已降至2.5個月（供需平衡區間2.5-3個月），NAND庫存同步下降，主要得益於原廠控制稼動率（DRAM約82%，NAND約80%）。預計2024年底原廠稼動率將提升至90-92%（接近滿產），但短期仍以控產保價為主。

需求結構：服務器（佔DRAM需求30%）和車載（同比增長30-40%）為主要增長驅動力，手機需求因iPhone 15、華為Mate X等新機及LPDDR5滲透超預期；PC與利基產品需求疲軟但佔比不足30%，對整體拉動有限。

價格趨勢：DRAM現貨價持續回升，DDR4 16GB 3200MHz漲至6.8美金（漲幅12.5%），服務器RDIMM 16GB達90美金；NAND方面，1TB TLC晶圓現貨價5.5-6.2美金，SSD合約價與現貨價倒掛（256GB PCIe3.0合約價13.8美金，現貨價22.5美金）。預計2024年底DRAM價格漲幅12-13%，NAND漲幅10%；2025年Q1 DRAM續漲8%，NAND漲6%。

二、CF方與CBA技術解析

CBA技術（Crossbar Array）：通過將存儲陣列與外圍電路分離為兩片晶圓，採用Hybrid Bonding鍵合，解決存儲陣列高温高壓制程對外圍電路良率的影響。典型案例為長鑫存儲將邏輯陣列交由金和（28nm工藝）代工，再通過鍵合整合。

CF方技術：採用3D立體結構，將晶體管、外圍電路與存儲陣列垂直堆疊，顯著提升存儲密度。其核心是通過單元結構優化（從6F²向4F²演進）實現立體集成，為后續3D DRAM奠定基礎。

技術差距：國際原廠（三星、海力士、美光）已進入D1 Beta（12nm）工藝，海力士進度領先約2個月；國內長鑫存儲當前為D1Z（15.8nm），正在開發D1 Alpha（10-14nm），技術差距約1.5-2代。

三、HBM需求、產能、技術及競爭格局分析

需求驅動：HBM需求與AI服務器高度綁定，當前AI服務器佔全球服務器15%，單台AI服務器HBM用量320-640GB，多模態AI模型（如GPT-4）進一步推升需求。2023年HBM對應GPU板卡400萬張，2025年預計達1200萬張。

產能擴張：2023年HBM產能10萬片/月（三星4萬片、海力士5萬片、美光1萬片），2025年計劃擴至（更多實時紀要加微信：aileesir）32.6萬片（三星14萬片、海力士15萬片、美光3.6萬片），2025年Q2擬再擴15萬片（三星/海力士各4萬片、美光7萬片），對應板卡1800-1900萬張。

核心技術：HBM集成TSV（硅通孔）、micro bumping（微凸點）、Hybrid Bonding等先進封裝工藝，需經歷通孔刻蝕（應用材料、中微半導體）、絕緣層沉積（拓晶）、電鍍銅（上海新陽（維權））等關鍵環節。主流工藝分為海力士MR-MAP（效率高、精度低）與三星/美光TC-SF（精度高、效率低），長期均向Hybrid Bonding演進。

競爭格局：當前海力士市佔率領先（2023年50%），三星（40%）、美光（10%）追趕。2026年Q2預計格局優化為海力士42%、三星40%、美光18%，主要因美光HBM3e性能優勢及三星與GPU廠商（英偉達、AMD）的代工合作（先進製程替代臺積電需求）。

四、存儲周期控價策略與稼動率提升風險探討

控價邏輯：原廠通過控制稼動率（當前DRAM約82%、NAND約80%）消耗庫存，2024年初DRAM庫存4個月，當前降至2.5個月（供需平衡點2.5-3個月）。計劃2024年底稼動率提升至90-92%（接近滿產），但擴產產能（2025年Q3釋放）仍難覆蓋供需缺口（預計2025年DRAM/NAND各缺口30萬片/月）。

價格支撐：庫存低位（2.5個月）疊加AI、車載等需求增長，短期價格下行風險較低。長期需關注2025年Q3后擴產釋放節奏，若產能集中釋放或引發價格壓力。

五、CF方/CBA技術對競爭格局及產業鏈合作的影響

產業鏈重構：CF方/CBA技術推動存儲與邏輯代工廠合作（如長鑫與金和、海力士與臺積電），外圍電路代工使邏輯廠商分走部分利潤，但加速存儲製程向10nm以下迭代。

競爭壁壘：技術迭代要求存儲廠商與設備、材料廠商深度協同（如TSV刻蝕、鍵合材料），頭部原廠（三星、海力士）憑藉設備與生態優勢進一步鞏固地位，國內廠商需突破設備國產化瓶頸（如中微半導體刻蝕機、拓晶沉積設備）。

六、eSSD在AI服務器的滲透率、應用前景及市場規模測算

滲透率與規模：eSSD當前僅用於AI服務器（滲透率15%），佔整體存儲市場3-4%。其產能依賴NAND晶圓分bin（挑選高良率晶圓），當前單片NAND晶圓約30%可用於eSSD，對應全球NAND產能（220萬片/月）下eSSD最大產能66萬片/月。

應用前景：短期受益於AI服務器需求（單台AI服務器eSSD用量18-19TB），長期隨NAND製程升級（從V8 232層向V9 296層演進），良率提升（單片晶圓eSSD佔比或從30%升至40%）、成本下降，有望滲透至通用服務器（當前HDD與SSD佔比55:45，預計未來70:30）。

七、HBM工藝選擇對國內廠商進展的影響分析

國內廠商路徑：長鑫存儲選擇TC-SF工藝（熱壓焊）開發HBM，已量產HBM2e（基於D1Z工藝），但產能較低（2000-3000片/月），原計劃3萬片/月擴產計劃因技術瓶頸調整。封裝環節與通富微電、深科技（佩頓科技）合作，中后道工藝落后於長電、通富微電。

核心挑戰：需突破D1 Alpha（10-14nm）製程及Hybrid Bonding技術，當前與國際原廠（HBM3e量產）差距約2-3年，設備依賴進口（如TSV刻蝕機、鍵合設備）。

Q&A

Q1: 存儲周期中，原廠在稼動率相對低位時主動漲價的原因是什麼？稼動率提升后，價格是否存在因提前透支而回落的潛在風險？

A1: 原廠在稼動率低位時主動漲價，主要基於上一輪周期經驗調整策略。上一輪周期（2022-2023年）因庫存高企（4-5個月），漲價后價格急劇下滑。本輪周期庫存處於低位（2.5個月，為正常供需關係下限），且原廠通過控產能（DRAM稼動率82%、NAND稼動率80%，均低於正常水平80-85%）消耗庫存，疊加需求端服務器、車載、手機等領域增長（合計佔比超60%），推動價格上行。 關於稼動率提升后的價格風險，當前供需缺口顯著：預計明年DRAM和NAND供需缺口各30萬片，而原廠擴產產能（三星、海力士、美光合計擴產15萬片）需至2025年Q3后釋放。同時，當前庫存低位（2.5個月）與上一輪高庫存周期（4-5個月）形成對比，且需求端AI服務器、HBM等長期驅動明確，因此價格回落風險較低。

Q2: CF方技術對存儲行業競爭格局有何影響？存儲與邏輯代工廠採用分離代工模式的優劣勢及對代工廠的要求是什麼？

A2: CF方（含CBA）技術通過分離存儲陣列與外圍電路陣列，對競爭格局產生結構性影響：一是消除存儲陣列生產（高温高壓）對外圍電路的良率干擾，二是允許外圍電路採用更先進製程（如28nm），提升性能。該技術推動行業從傳統IDM模式向「存儲原廠+邏輯代工廠」合作模式轉型，例如長興存儲與金和合作、海力士與臺積電/格羅方德合作。 合作模式的優勢在於結合邏輯代工廠先進製程能力，加速存儲技術迭代（如10nm以下工藝）；劣勢是存儲原廠利潤需與代工廠分享。對邏輯代工廠的要求包括：具備先進納米制程（如28nm及以下）、高良率封裝工藝（如hybrid bonding）及與存儲原廠的協同開發能力。

Q3: eSSD在AI服務器市場的滲透率如何？其是否可能滲透至通用服務器領域？單台AI服務器eSSD的用量、容量及市場規模如何測算？

A3: eSSD目前在AI服務器市場滲透率約3%-4%（AI服務器佔存儲市場30%，eSSD佔AI服務器存儲的10%-13%）。其產能受限於NAND Flash晶圓分bin（挑選高良率晶圓），當前單片晶圓eSSD產出率約30%，對應全球產能約66萬片/月（基於NAND總產能220萬片/月）。 未來eSSD有望滲透至通用服務器：隨着NAND技術迭代（從V8 232層向V9 296層升級），單片晶圓eSSD產出率可從30%提升至40%，成本下降后（當前價格較普通SSD高30%，目標降至溢價10%以內），將具備通用服務器經濟性。 單台AI服務器eSSD用量為18-19TB，對應2-3條模組；市場規模測算（更多實時紀要加微信：aileesir）可基於NAND產能（66萬片/月）及單瓦價值（如1TB eSSD價格約5.5-6.2美金），預計2025年市場規模超百億美元。

Q4: eSSD在AI服務器上的用量和容量中長期增長幅度如何？

A4: eSSD在AI服務器的用量和容量中長期有望翻倍，從當前單台18-19TB增至36-37TB。驅動因素包括：一是端側AI推理需求爆發，帶動存儲密度提升；二是數據中心HDD向SSD遷移（當前HDD佔比55%，目標2025年降至30%），釋放eSSD替代空間；三是NAND技術升級（如V9 296層）提升單片晶圓eSSD產出率（從30%至40%），降低單位容量成本。

Q5: HBM技術工藝（MR-MAP與TC-SF）選擇對其發展進展有何影響？國內廠商HBM當前進展如何？

A5: HBM技術工藝中，MR-MAP（海力士）與TC-SF（三星、美光）各有優劣：MR-MAP採用批量回流焊，效率高但精度低（易振動偏移）；TC-SF採用逐層熱壓焊，精度高但效率低。長期來看，兩者均需轉向hybrid bonding技術以滿足I/O接口數量增加、間距縮小的需求，因此工藝選擇對長期進展影響有限，短期影響良率與產能爬坡速度。 國內廠商進展：長興存儲採用TC-SF工藝，已量產HBM2e（基於D1Z 15.8nm工藝），產能約2000-3000片/月，計劃2025年Q1升級至HBM3（D1阿爾法10-14nm工藝）；武漢新芯計劃2025年Q1量產HBM2e，初期（更多實時紀要加微信：aileesir）產能2000-3000片/月；福建晉華跳過HBM2e直接開發HBM3，預計2025年下半年推出產品。