傳存儲芯片製造商長鑫存儲計劃登陸上海股市，估值達420億美元

　　兩位知情消息人士透露，中國存儲芯片製造商長鑫存儲技術有限公司（ChangXin Memory Technologies，簡稱 CXMT）計劃最早於明年第一季度在上海啟動首次公開募股（IPO），目標估值最高達 3000 億元人民幣（約合 421.2 億美元）。

　　長鑫存儲成立於 2016 年，背后有政府支持，是中國在全球 DRAM（動態隨機存取存儲器）市場搶佔一席之地的核心力量 —— 該市場長期以來一直由日本、韓國和美國企業主導。

　　兩位消息人士表示，作為中國領先的 DRAM 製造商，長鑫存儲此次 IPO 計劃募資 200 億至 400 億元人民幣。

　　第三位消息人士補充稱，公司目標募資額約為 300 億元人民幣，最早可能在 11 月向投資者披露招股説明書。

　　由於該計劃尚未公開，上述消息人士均要求匿名。他們同時提醒，IPO 的具體細節（如時間安排、募資規模、估值等）可能會根據市場需求發生變化。

　　長鑫存儲啟動 IPO 計劃之際，恰逢中國半導體板塊股價大幅上漲 —— 截至目前，基準的中證半導體指數（CSI CN semiconductor index）今年以來已累計上漲約 49%。

　　今年 7 月，長鑫存儲的母公司已啟動 IPO 「輔導程序」（企業上市前接受券商指導規範的流程），並聘請了國有投行中國國際金融股份有限公司（中金公司）和中信建投證券擔任承銷商。

　　不過，當時的披露信息並未提及公司將在何地、何時上市。

　　截至發稿，長鑫存儲尚未迴應置評請求。

　　其中兩位消息人士表示，預計長鑫存儲的 IPO 將吸引國內投資者的強勁需求 —— 這些投資者希望通過投資支持中國在半導體領域實現 「自給自足」 的目標。

　　為追趕韓國 SK 海力士（SK Hynix）、三星（Samsung）等市場龍頭，長鑫存儲正投入重金，尤其在高帶寬存儲器（HBM）領域加大研發與產能建設力度。

　　HBM 是一種特殊類型的 DRAM，對研發先進處理器至關重要（例如英偉達用於生成式人工智能的圖形處理器）。

美國實施限止后，長鑫存儲的進展對中國至關重要

　　2024 年 12 月，美國為阻礙中國人工智能產業發展，限止長鑫存儲獲取 HBM 芯片。此后，長鑫存儲的技術突破與產能擴張，對中國而言變得愈發關鍵。

　　長鑫存儲選擇此時推進 IPO，也正值全球存儲市場發生重大變化之際：

　　路透社上周報道，美國存儲芯片製造商美光科技（Micron Technology）計劃退出中國服務器芯片業務 —— 兩年前，中國政府以安全為由，禁止美光產品進入關鍵信息基礎設施領域。

　　此外，全球範圍內對人工智能芯片的生產熱潮，正導致智能手機、計算機、服務器所用存儲芯片的供應趨緊，這為存儲芯片製造商帶來了意外的增長動力。

　　加拿大研究公司 TechInsights 的數據顯示，2023 年和 2024 年，長鑫存儲的資本支出（capex）預計在 60 億至 70 億美元之間；若美國不進一步施加限止，2025 年其資本支出預計將增長 5%。

　　目前，長鑫存儲正在上海（中國商業中心）建設一座 HBM 后端封裝工廠，目標是在明年年底前投產。

　　第三位和第四位知情消息人士透露，該工廠 HBM 晶圓的初始月產能約為 3 萬片，略低於韓國 SK 海力士產能的五分之一。

　　兩位消息人士表示，長鑫存儲計劃在 2026 年實現第四代高帶寬存儲器（即 HBM3 芯片）的生產。