上銀基金一周早知道丨科技板塊當前該如何佈局？

（來源：上銀基金管理有限公司）

秦尉峰

上銀基金權益投研部助理研究員

本科畢業於南開大學，碩士畢業於康奈爾大學。擅長自上而下跟蹤科技產業趨勢，並結合行業周期進行比較研判，目前主要研究方向為電子、通信等行業。

市場概況

上周A股市場在外部貿易政策等多重因素影響下表現不佳，主要寬基指數集體收跌，銀行、煤炭等紅利板塊由於防禦屬性和前期滯漲而相對抗跌，前期熱門的科技成長板塊則調整明顯。從寬基指數看，本周上證指數下跌1.47%，創業板指下跌5.71%，滬深300下跌2.22%，中證500下跌5.17%，中證A50下跌2.21%，科創50下跌6.16%。風格上，金融、穩定表現相對較好，成長、周期表現較差。從申萬一級行業看，表現相對靠前的是銀行（4.89%）、煤炭（4.17%）、食品飲料（0.86%）、交通運輸（0.37%）、紡織服飾（-0.31%）；表現相對靠后的是電子（-7.14%）、傳媒（-6.27%）、汽車（-5.99%）、通信（-5.92%）、機械設備（-5.84%）。從Wind熱門概念板塊來看，表現相對靠前的是銀行（5.41%）、保險（5.13%）、央企銀行（4.72%）、央企煤炭（4.64%）、海南自貿港（4.54%）；表現相對靠后的是化學原料（-9.42%）、消費電子代工（-9.08%）、炒股軟件（-8.85%）、HBM（-8.84%）、半導體設備（-8.66%）。

現階段A股市場略有震盪，因此行業配置而言，紅利資產與科技成長的啞鈴型配置仍然適配當前市場，短期在市場交易避險情緒和政策預期下，紅利品種佔優。但隨着市場經過一定風格再平衡、政策帶動風險偏好提升，疊加交易自主可控和貿易政策緩和邏輯下，科技主線邏輯有望繼續演繹，半導體、機器人、創新葯和稀土板塊行情或將得到延續。

熱點聚焦

1、科技板塊整體研判：短期承壓與長期機遇並存

近期對外貿易政策引發市場避險情緒，科技板塊出現階段性回調，板塊波動幅度較三季度明顯擴大。但從產業基本面看，全球數字化轉型與人工智能技術迭代的核心趨勢未發生本質變化，短期下跌反而為長期投資者創造了佈局高性價比資產的窗口期。

估值安全邊際凸顯：當前科技板塊核心指數動態市盈率處於近五年曆史分位數的35%以下，顯著低於2021年科技周期高點時的水平。其中，海外算力鏈相關標的估值已回落至歷史低位，部分龍頭企業的遠期動態市盈率進入15-20倍區間，估值水平已充分反映市場對短期地緣風險的擔憂，具備較高的安全邊際。

產業趨勢持續強化：全球AI算力需求正以指數級速度增長，中國在全球智能算力市場的佔比持續提升，國內科技巨頭的AI基建投資進入加速期。例如，頭部雲廠商已明確表示將持續追加AI算力投入，並提出遠期數據中心性能提升目標，這一動作標誌着國產算力產業鏈從「線性增長」進入「非線性突破」階段，產業紅利將逐步向硬件、軟件、服務全鏈條傳導。

政策催化預期升溫：國內對科技創新的支持政策持續加碼，半導體設備、材料等關鍵領域的國產替代進程加速。近期國內存儲領域啟動大規模設備招標，疊加部分核心企業IPO輔導進程取得關鍵進展，進一步強化了自主可控邏輯。從資金面看，北向資金在科技板塊回調期間呈現逆勢增持態勢，顯示外資對科技賽道的長期價值認可。

投資策略建議：

建議採取「分批佈局+精選賽道」的穩健策略，避免短期博弈。當前階段可等待板塊估值進一步回落至歷史低位區間（對應核心指數市盈率約25倍以下）時逐步建倉，重點配置兩類標的：一是海外算力鏈中業績確定性強、三季報有望超預期的細分領域龍頭；二是國內算力自主可控進程中，技術突破明確、訂單能見度高的核心企業。

2、各個細分賽道優劣分析：業績確定性主導投資排序

在板塊輪動加劇的背景下，需放棄「追漲殺跌」的短期操作，聚焦具備業績支撐與估值性價比的高景氣賽道。結合三季報披露節奏、產業周期及估值水平，建議按以下優先級佈局：

海外算力鏈

三季報業績最具確定性的主線海外算力鏈是當前A股中業績兑現能力最強的板塊，核心邏輯源於北美頭部雲廠商的AI基建投資持續加碼。從產業跟蹤看，海外雲廠商的AI相關資本開支佔比已超60%，且未出現明確的邊際放緩信號，直接拉動上游硬件需求持續增長。

業績驗證力度強：光模塊、PCB等細分領域的龍頭企業，2025年中報營收與淨利潤均保持高雙位數增長，部分企業因高端產品（如1.6T光模塊、24層以上PCB）出貨佔比提升，毛利率較去年同期提升5-8個百分點。隨着三季報披露臨近，這類企業的業績超預期概率顯著高於其他板塊，成為當前市場的「業績避風港」。

估值切換空間明確：以光模塊板塊為例，當前板塊估值已回落至歷史低位，而2026年行業仍有望保持高景氣——一方面，1.6T光模塊進入批量交付階段，產品結構升級將推動企業盈利進一步改善；另一方面，海外雲廠商的算力集羣擴建計劃已排期至2027年，長期訂單能見度高。從估值切換角度看，若2026年行業增速維持高水平，當前估值對應的潛在收益空間顯著。

風險提示：需關注海外雲廠商資本開支的邊際變化，但從最新產業調研看，頭部廠商已明確上調2025年AI基建投資目標，短期需求韌性仍在，無需過度擔憂「需求斷檔」風險。

國內算力

中長期確定性最高的賽道國內算力產業鏈正處於「政策驅動+技術突破+需求爆發」的三重紅利期，儘管短期受GPU供給、技術迭代節奏等因素影響，業績釋放速度可能慢於海外算力鏈，但中長期成長邏輯最為清晰。

需求端空間廣闊：國內大模型訓練、行業AI應用（如智能製造、智慧醫療）對算力的需求缺口持續擴大，為實現與國際領先水平的算力對等，國內智能算力規模需在現有基礎上實現數倍增長。同時，「東數西算」工程全面落地，八大樞紐節點的算力基礎設施建設持續推進，新增裝機容量保持快速增長，為國內算力產業鏈提供了穩定的需求支撐。

技術突破持續兑現：國內AI芯片企業在先進製程、算力性能上持續突破，部分產品已具備與國際主流產品競爭的能力，且在特定場景（如邊緣計算、工業控制）形成差異化優勢。製造端龍頭企業的產能利用率長期維持在高位，2025年擴產計劃聚焦高需求的成熟製程與特色工藝，進一步鞏固市場競爭力。

投資邏輯建議：

國內算力板塊適合長期配置，短期可重點關注兩類標的：一是製造端龍頭企業，受益於產能利用率提升與技術突破；二是設備、材料領域的國產替代龍頭，隨着國內晶圓廠擴產落地，訂單有望持續放量。儘管這類企業的三季報業績可能平淡，但中長期估值與業績的匹配度更高。

端側AI

消費電子新增長極，業績釋放偏后期端側AI正從「技術概念」邁向「規模化應用」，核心驅動力來自消費電子巨頭的產品創新——頭部手機廠商計劃在年底前發佈新一代AI手機，支持端側運行百億參數級大模型，推動NPU算力、傳感器精度等硬件配置持續升級。

產業潛力逐步顯現：端側AI將重構消費電子的產品邏輯，從「硬件參數競爭」轉向「AI體驗競爭」，帶動AI芯片、智能傳感器、先進封裝等環節需求增長。國內企業在端側AI相關領域的技術儲備充足，部分企業已實現AI模組量產，並進入頭部消費電子廠商的供應鏈體系。

業績釋放節奏偏慢：儘管端側AI的產業趨勢明確，但短期業績釋放仍面臨挑戰——新一代AI手機的量產規模、消費者換機需求的兑現節奏，均需時間驗證。因此，端側AI板塊的業績可能在2026年纔會顯著體現，當前階段適合逢低佈局具備技術壁壘的龍頭企業，而非短期博弈。

半導體自主可控

政策催化下的結構性機會半導體自主可控是長期戰略方向，近期產業端利好信號頻出：國內存儲龍頭啟動新一輪全閃存存儲產品集中採購，招標規模較上一輪顯著擴大；設備、材料領域的國產替代進程加速，部分企業的產品已通過主流晶圓廠驗證並實現批量供貨。

核心投資邏輯：

存儲產業鏈：存儲芯片價格自2025年二季度起逐步回升，國內企業的SSD自研主控芯片技術突破，有望進一步提升產品競爭力，疊加存儲龍頭IPO進程推進，產業鏈情緒將持續升溫。

設備與材料：國內設備廠商在刻蝕機、薄膜沉積設備等關鍵領域的市佔率持續提升，材料企業在電子特氣、光刻膠等品類的國產化率實現關鍵突破，隨着國內晶圓廠擴產落地，相關企業的訂單將進入加速釋放期。

投資策略：半導體自主可控板塊適合長期關注，短期可重點關注存儲招標、設備驗證等產業催化事件，選擇技術壁壘高、客户綁定緊密的龍頭企業，規避缺乏業績支撐的概念炒作標的。

每周關注

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存儲漲價潮全面啟動——

周期與成長共振的產業拐點

核心驅動：供需格局根本性逆轉

本次漲價並非傳統周期復甦，而是供需雙向強化的結果，持續性更強：

供給端收縮：全球存儲三巨頭自2024年起聯合減產，NAND產能削減10%-15%，同時將產能轉向HBM、DDR5等高端產品，導致DDR4、低容量NAND等成熟品產能缺口擴大。截至2025年二季度，全球存儲晶圓產能利用率從90%以上降至75%，行業庫存水位跌破14天，為漲價奠定基礎。

需求端爆發：AI成為核心驅動力，單台AI服務器的DRAM需求是普通服務器的8倍、NAND需求是3倍，疊加消費電子進入補庫周期，AI手機/PC存儲配置從128GB向512GB升級，形成需求共振。

產業鏈影響：從上游到終端的全面傳導

漲價紅利沿產業鏈分層釋放，同時推動終端市場結構調整：

上游設計與製造：存儲設計企業直接受益於價格上漲，淨利潤彈性顯著；晶圓代工企業的存儲相關產能利用率持續回升，訂單排期已至2026年。

中游封測與模組：具備高端封測能力的企業訂單飽滿，模組企業因低成本庫存與車規級產品拓展，利潤彈性釋放（低端產能仍存過剩壓力）。

下游終端：存儲成本上升倒逼產品升級，智能手機512GB版本成旗艦機標配，PC廠商以「1TBSSD+配置優化」對衝成本壓力。

投資策略：聚焦「漲價彈性+國產替代」雙主線

當前存儲漲價已進入「超級周期」早期，預計繁榮期延續至2027年，建議關注三類方向：

漲價彈性主線：優先佈局直接受益於價格上漲、業績確定性強的領域，如DRAM核心配套、存儲模組等。

國產替代主線：關注國內企業在存儲製造、封測、設備材料領域的技術突破機會，尤其是適配HBM、DDR5的企業。

產業鏈配套主線：存儲產能擴張與技術升級帶動設備需求，重點關注高端封測設備、存儲製造材料等領域的國產替代機會。

每周一圖

北美AI算力軍備競賽已引發電力供給危機：OpenAI規劃2033年實現250GW算力規模，接近2023年美國電力系統484GW平均負荷的一半，疊加雲廠商擴張，老舊電網難以承載。由於新建電網周期長達10年，通過SST（固態變壓器）提升電力效率成為中短期唯一可行方案，其作為800V高壓直流架構的核心組件，正從技術驗證邁向規模化應用，催生明確投資機遇。

1、核心價值：效率與空間的雙重革命

SST通過半導體器件替代傳統鐵芯繞組，解決了AI數據中心「高功耗、高密部署」的核心痛點，其投資價值源於三大剛性優勢：

極致能效：採用SiC/GaN寬禁帶半導體，轉換效率超98.5%，較傳統方案提升3-5個百分點，單100MW數據中心年節電超1200萬度，對應電費節省近千萬元；

空間優化：高頻工作模式使體積縮減50%以上，1.25MW裝置佔地不足8平方米，適配數據中心高密機櫃需求；

成本傳導：SiC器件佔SST總成本40%，但8英寸SiC襯底量產已實現成本降低30%，國產替代加速推動設備性價比提升。

2、產業鏈投資機會：抓「材料-器件-整機」核心環節

SST產業鏈價值集中於技術壁壘高、需求確定性強的環節，頭部企業已顯現訂單催化信號：

上游核心材料/器件（高壁壘，先受益）

SiC/GaN半導體：寬禁帶材料是效率核心，國產8英寸SiC襯底產能釋放推動器件成本年均降8%-10%，適配英偉達800V架構的模塊廠商優先受益；

高頻磁性材料：高頻變壓器佔SST成本20%，納米晶磁芯、高頻覆銅板（CCL）需求激增，全球市佔率前三的國產廠商已進入頭部供應鏈。

中游整機集成（訂單催化，彈性大）

聚焦兩類企業：

一是與英偉達、維諦等巨頭合作開發800V方案的廠商，2025年樣機量產節點將觸發估值修復；

二是具備國網背景、已在「東數西算」落地2.4MW級產品的企業，政策訂單確定性強。

下游需求場景（需求錨點，定方向）AI數據中心是短期核心增量（佔比超60%），英偉達明確2027年全面部署「800VDC+SST」方案；長期看智能電網、新能源快充需求同步爆發，全球市場規模預計2030年突破千億元。

3、投資策略：錨定「技術驗證+訂單催化」雙主線

當前SST處於「樣機向量產過渡」的關鍵期，建議按以下優先級佈局：

上游材料先行：優先配置SiC襯底/模塊、高頻覆銅板企業，受益於成本下降與需求放量的雙重紅利，如8英寸SiC技術突破的廠商、進入納微半導體供應鏈的磁性器件企業；

中游整機跟漲：跟蹤對接測試的樣機企業，2025-2026年試點訂單落地將成為股價催化點，重點關注模塊化量產能力強的廠商。

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