Vertical Semiconductor為人工智能供電芯片技術融資1100萬美元

　　由麻省理工學院（MIT）分拆成立的初創企業 Vertical Semiconductor 於周三宣佈，已籌集 1100 萬美元資金，用於將一款芯片技術商業化。該技術可更高效地為人工智能服務器供電。

　　Vertical 採用氮化鎵（gallium nitride）材料製造芯片。氮化鎵是硅材料的替代選擇，目前正成為芯片設計商英偉達主導的一項計劃的核心 —— 該計劃旨在重新設計人工智能數據中心內的輔助芯片，以實現電力傳輸，並將電力轉換為英偉達芯片所需的形式。

　　當前，部分人工智能數據中心的耗電量已堪比一些城市。然而，在將發電站輸送的高壓電轉換為微芯片所需的低壓電時，大量電力會直接轉化為熱能。這一問題引發了一輪投資熱潮，市場對 「降低電力損耗」 的技術關注度大幅提升。

　　牽頭此次融資的風險投資公司 Playground Global 合夥人馬特・赫森松（Matt Hersenson）在採訪中表示：「這些電力沒有被用於（計算任務），而是直接轉化成了熱能。」

　　瑞薩電子（Renesas）、英飛凌（Infineon）、功率集成公司（Power Integrations）等老牌芯片製造商，均在與英偉達合作，為人工智能數據中心開發基於氮化鎵的供電芯片（氮化鎵在芯片行業通常簡稱 「GaN」）。

　　而 Vertical 計劃於今年推出芯片原型、明年實現芯片量產，該公司採用了一種與衆不同的技術路線，有望使其芯片體積更小、發熱更低。

　　在目前多數氮化鎵芯片中，作為芯片基礎構成單元的晶體管採用水平佈局。正如其公司名稱 「Vertical」（意為 「垂直的」）所示，該公司將晶體管的各個部件垂直堆疊，從而實現芯片的更高集成度（更緊湊）。

　　這一技術路線源自麻省理工學院的一項研究，由該校教授、Vertical 聯合創始人托馬斯・帕拉西奧斯（Tomas Palacios）主導，約書亞・佩羅澤克（Joshua Perozek）進一步開發 —— 后者的博士研究方向正是該技術。

　　從麻省理工學院斯隆管理學院加入 Vertical 並擔任首席執行官的廖 Cynthia（Cynthia Liao）表示，這家初創企業希望憑藉一項優勢與老牌企業競爭：隨着時間推移，相比現有成熟技術，其方案能為數據中心所有者節省更多成本。

　　廖在採訪中稱：「我們堅信，我們提供的下一代解決方案極具競爭力 —— 它帶來的並非零星幾個百分點的提升，而是真正的階段性變革。」