Navitas Sem導體公佈了先進中高800 V電壓的Gap和Sic功率器件的開發進展，以支持Nvidia宣佈的用於下一代人工智能工廠計算平臺的800 V電源架構

加利福尼亞州託倫斯2025年10月13日（環球新聞網）--下一代GaNFast™氮化鎵（GaN）和GeneSic™碳化硅（Sic）功率半導體領域的行業領導者Navitas Sem導體（NASDAQ：NVTS）宣佈其在開發先進的中高800 V電壓Gap和Sic功率器件方面取得進展，以支持英偉達宣佈的用於下一代人工智能工廠計算平臺的800 V電源架構。

隨着「人工智能工廠」的出現，這是一種專門為大規模、同步人工智能和高性能計算（IPC）工作負載而構建的新型數據中心，它帶來了一系列電源挑戰。傳統的企業和雲數據中心依賴於傳統的54 V架內配電，無法更長時間地滿足當今加速計算平臺所需的多兆瓦機架密度。這些挑戰需要根本性的架構轉變。

800 V直流配電提供：

800 V DC架構可在數據中心電源室或周邊內從13.8 kV公用電源直接轉換為800 V DC。通過利用固態變壓器（STS）和工業級整流器，這種方法消除了多個傳統的AC/DC和DC/DC轉換級，從而最大限度地提高能源效率、減少損耗並提高整體系統可靠性。

800 V直流配電直接為IT機架供電，無需額外的AC-DC轉換級，並通過兩個高效率DC-DC級（800 V至54 V/12 V，然后至負載點圖形處理器電壓）逐步下降，以驅動先進的基礎設施，例如NVIDIA Rubin Ultra平臺。

這些最先進的人工智能工廠需要前所未有的功率密度、效率和可擴展性，而Navitas的高性能GaNFast和GeneSic技術可以實現這一目標。