【新品發佈】聖邦微電子推出 40V 耐壓、低導通電阻、高性能的 N 溝道 MOS...

聖邦微電子推出 SGMNQ12340，一款 40V 耐壓、低導通電阻、輸入電容低、切換速度快、高性能的 N 溝道 MOSFET。該器件可應用於 VBUS 過壓保護開關、AMOLED 顯示控制器、電池充放電開關及 DC/DC 轉換器。

SGMNQ12340 具有低導通電阻的顯著特點，其典型值僅為 13mΩ（V_GS = 10V），最大值不超過 18mΩ（V_GS = 10V），能有效降低導通損耗。同時，它擁有低柵極電荷與電容，總柵極電荷（Q_G）典型值為 8.5nC（V_GS = 10V），輸入電容低、開關速度快，非常適合高頻應用。其小巧的 TDFN 封裝尺寸僅為 2mm×2mm，為高密度 PCB 佈局提供了理想選擇，並且產品符合 RoHS 標準，無鹵素，滿足環保要求。

在主要參數方面，SGMNQ12340 的漏源電壓（V_DS）為 40V，在 +25°C 環境温度下的連續漏極電流（I_D）可達 9A，柵源閾值電壓（V_{GS_TH}）範圍在 1.2V 至 2.2V 之間，總功耗（P_D）在 +25°C 環境温度下為 2W，其廣泛的工作溫度範圍覆蓋 -55°C 至 +150°C，確保了其在各種嚴苛環境下的可靠性。

圖 1 SGMNQ12340 等效電路

關於聖邦微電子

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(聖邦股份)