淨利潤預計10億左右！功率半導體龍頭企業發佈前三季度預增公告

（來源：大D談芯）

近日，揚州揚傑電子科技股份有限公司發佈2025 年前三季度業績預告，前三季度預計實現

• 歸屬於上市公司股東的淨利潤為盈利：9.368億-10.037億元，較上年同期增長40%-50%；

• 扣除非經常性損益后的淨利潤為盈利：8.657億-9.326億元，較上年同期增長32.41%-42.64%。

其中第三季度預計實現

• 歸屬於上市公司股東的淨利潤為盈利：3.354億-4.023億元，較上年同期增長37.31%-64.71% ；

• 扣除非經常性損益后的淨利潤為盈利：3.067億-3.736元，較上年同期增長32.55%-61.47%。

業績變動的主要原因：

• 1）行業回暖，營收增長

  半導體行業景氣度持續攀升，汽車電子、人工智能、消費類電子等領域呈現強勁增長態勢，帶動公司主營業務實現顯著增長。

• 2）加大高附加值投入

  公司始終堅持產品領先的技術引領戰略，持續加大高附加值新產品的研發投入力度，報告期內產品結構持續優化。

• 3）全方位提升運營效率

  公司將精益生產理念深度融入功率半導體生產全流程，通過生產流程優化、質量管控強化及成本精細化管理等舉措，全方位提升運營效率。

揚州揚傑電子科技股份有限公司成立於2000年，2014年成功上市。公司是國內少數集半導體分立器件芯片設計製造、器件封裝測試、終端銷售與服務等產業鏈垂直一體化（IDM）的傑出廠商。產品廣泛應用於汽車電子、人工智能、清潔能源、5G 通訊、智能安防、工業、消費類電子等諸多領域，為客户提供一站式產品、技術、服務解決方案。

公司產品已在多個新興細分市場具有領先的市場地位及較高的市場佔有率，整流橋、光伏二極管產品市場全球領先。根據企業銷售情況、技術水平及半導體市場份額等綜合情況，2025年公司再度蟬聯由中國半導體行業協會評選的「中國半導體功率器件十強企業」前三強，OMDIA全球功率半導體discrete榜單排名第八，位列國內外多個半導體企業榜單中前二十強，併入選了汽車芯片50強，工信部汽車白名單等。

截至2025年上半年，公司累計獲知識產權696件，其中國內發明專利120件，實用新型485件，集成電路布圖設計70件，軟件著作8件，外觀設計13件。作為功率半導體領域標準的主要起草單位之一，參與了國標《半導體分立器件第1部分：分規範》（計劃號：20233151-T-339）和《半導體分立器件第 2 部分：分立器件整流二極管》（計劃號：20232773-T-339）及團標《半導體芯片封裝用導電膠性能要求及測試方法》《光伏組件接線盒用模塊二極管》《半導體封裝用 UV 減黏保護膜性能要求及測試》。

02 主要產品

分立器件

晶圓

 集成電路

另外，根據2025年半年度報告，揚傑科技公司投資的SiC芯片工廠通過IDM技術實現650V/1200V/1700V的SiC MOS產品從第二代升級到第三代，所有SiC MOS型號實現覆蓋650V/1200V/1700V 13mΩ-500mΩ，其中第三代SiC MOS平臺的比導通電阻（RSP）已做到3.33mΩ.cm2以下，FOM值達到 3060mΩ.nC 以下，可對標國際水平SiC模塊方面，增加FJ、62mm、Easy Pack 等系列Si 模塊產品。

車載模塊方面，針對新能源汽車控制器應用，建設了全自動化車規功率模塊產線，可年產三相橋HPD模塊16.8萬隻，重點攻克了芯片銀燒結、Pin針超聲焊接、銅線互連等先進工藝技術難題；同時針對車規功率模塊高功率密度、低熱阻的特點，研究了低寄生電感、多並聯芯片均流、直接水冷等關鍵技術。研製了三相橋功率模塊（750V/950A IGBT 模塊、1200V/2.0mΩ SiC模塊）、半橋功率模塊（1200V 600A IGBT 模塊、1200V 1.6mΩ SiC 模塊、1200V 2.0mΩ SiC 模塊）。 

IGBT產品方面。基於Fabless模式，在8吋、12吋平臺完成了1.6/2.2µm pitch 微溝槽650V 30A-160A，1200V 15A-200A IGBT芯片全系列的開發和優化迭代，並在客户端已實現全系列批量出貨。1700V 400A和600A C2和E3半橋產品已經上架，已經實現小批量出貨。新能源的光儲充應用方面，通過採用高密度器件結構設計以及先進的背面加工工藝，顯著降低了器件飽和壓降和關斷損耗，已經有6個型號（其中新增N3，N4兩個型號）應用於60KW-320KW功率段，涵蓋電壓 650/1000/1200V、電流19 160-600A 的I型和T型三電平拓撲結構模塊產品已完成上架。車規單管方面，公司利用自身具備的車規級功率器件封裝線，在OBC應用領域，大批量交付車企及tier 1客户；車規模塊方面，公司完成建立一條年產「25萬」模塊的HPD和ED3的車規產線，已經完成建設通線。

MOSFET產品方面。 基於Fabless模式的8吋、12吋平臺，在汽車EPS、BCM、油泵、水泵等電機驅動類應用，N40V車規諸多產品(0.4-10mohm)已經通過終端汽車電子客户測試，已經進入批量量產階段，其中PDFN5060產品最小RDSON已達到0.4mohm；進一步向大功率車載電機類應用做型號擴展，特別針對車載DC-DC、無線充電、車燈、負載開關等應用，N60V/N100V/N150V持續完善系列化型號擴充，也逐步通過個別大客户測試並進入批量段P40V/P60V/P80V 也已經完成了車規級芯片開發，主要針對電池防反，負載開關等應用，多款產品可靠性已經通過車規級驗證，逐步推向市場。 全年公司在SGT MOSFET方向加大研發投入，除現有平臺加速迭代之外，不斷完善 SGT MOSFET 新電壓平臺研發，新開發的P40V/P150V/N80V/N100V/N150V/N200V SGT工藝平臺，FOM（RDS(ON)*QG）領先市面主流水平 20%以上。

03 公司發展關鍵事件

2000

• 成立江蘇揚傑電子有限公司

2006

• 設立橋堆二極管產線

2009

• 設立4寸芯片產線

2012

• 設立功率模塊產線

• 獲得ISO9001認證

• 獲得ISO14001認證

• 獲得TS16949認證

2013

• 設立4寸芯片第二條產線

• 大規模自動化設備取代手工

• 通過Philips認證 

2014

• 300373"成功登陸深所

• 臺灣辦事處成立

• 通過Delta認證

• 通過QC080000認證

2015

• 收購美國MCC

• 韓國辦事處成立

• 設立DFN、QFN產線

2016

• 設立6寸SKY芯片產線成立

• 成立低壓MOS研發中心

2017

• 設立小信號產線

2018

• 設立汽車電子產線

• 收購宜興傑芯高壓MOS產線，持有51%股份

2019

• 日本辦事處成立

• 獲得SONY綠色認證

2020

• 設立5號揚州工廠

• 設立IGBT產線

• 收購潤奧電子

2021

• 無錫MOS分公司成立

• 收購雅吉芯

2022

• 收購楚微8寸晶圓FAB

• 設立臺灣/日本研發中心

• 6號廠投入使用

2024

• 越南封裝廠量產

• SiC FAB量產