晶盛機電碳化硅全鏈突破，AI算力激活材料新機遇

（來源：金融小博士）

9月26日午后，晶盛機電（300316）股價大幅拉昇，盤中一度漲超15%，股價創年內新高。

消息面上，今日午間，公司官微發佈消息稱，9月26日，首條12英寸碳化硅襯底加工中試線在晶盛機電子公司浙江晶瑞SuperSiC正式通線，至此，浙江晶瑞SuperSiC真正實現了從晶體生長、加工到檢測環節的全線設備自主研發，100%國產化，標誌着晶盛在全球SiC襯底技術從並跑向領跑邁進，邁入高效智造新階段。

在碳化硅概念龍頭帶動下，其他相關股票也有異動情況，如晶升股份、天岳先進、露笑科技等。

碳化硅技術領跑+AI算力新風口驅動

一、核心事件催化：12英寸碳化硅襯底國產化突破

2025年9月26日午間，晶盛機電宣佈其子公司浙江晶瑞SuperSiC首條12英寸碳化硅襯底加工中試線正式通線，實現從晶體生長到檢測全流程設備100%國產化。這一突破標誌着公司在全球碳化硅（SiC）襯底技術領域從"並跑"邁入"領跑"階段，技術自主性顯著提升，產能擴張和成本控制能力大幅增強。

二、碳化硅產業革命：AI算力時代的核心材料

隨着AI服務器GPU芯片功率突破1400W（如英偉達B300），傳統陶瓷基板（熱導率200-230W/mK）已無法滿足散熱需求。碳化硅憑藉400-500W/mK的導熱性能（接近鑽石），成為AI芯片封裝載板的理想材料。臺積電CoWoS封裝方案已計劃採用碳化硅替代傳統基板，預計2027年相關市場規模將突破12億美元。

三、核心標的競爭優勢與亮點

1. 晶盛機電（300316）

• 全產業鏈技術壁壘覆蓋晶體生長→切割→研磨→拋光→檢測全流程設備國產化，12英寸設備自主化率超90%。獨家研發"磁控直拉法"，單晶生長周期縮短至180小時（行業平均240小時）。

• 產能佈局全球領先上虞基地年產30萬片6-8英寸襯底（2025年Q4滿產），馬來西亞基地8英寸襯底產線（2026年產能10萬片/年），銀川基地6英寸配套晶體項目（支撐全球客户交付）。

• 客户驗證突破已獲英飛凌、安森美等頭部企業認證，國內新能源汽車電驅系統市佔率超30%，光伏逆變器配套率超60%。

2. 天岳先進（688234）

• 全球領先的8英寸量產能力國內唯一實現8英寸碳化硅襯底批量供貨企業，2023年導電型襯底市佔率全球第二，半絕緣型連續五年全球前三。

• 技術迭代優勢液相法制備低缺陷6英寸晶體，厚度突破60mm，8英寸晶圓研發進度領先行業。

• 客户資源優質覆蓋全球前十大功率半導體企業半數以上，包括英飛凌、博世、安森美，產品應用於特斯拉、小米SU7等車型。

3. 三安光電（600703）

• 全產業鏈垂直整合（IDM模式）覆蓋襯底→外延→芯片→模塊封裝全鏈條，湖南三安半導體實現6英寸SiC月產能1.6萬片，8英寸產線建設中。

• 多元化場景佈局新能源汽車SiC MOSFET已向十余家Tier1客户送樣，數據中心/AI服務器電源領域向維諦技術、臺達量產供貨。

• 國際合作深化與意法半導體合資建設8英寸車規級SiC產線（2025年Q4量產），與理想汽車合資蘇州斯科半導體佈局電動車平臺。

4. 露笑科技（002617）

• 高速銅纜技術協同參股萬德溙光電（持股16.67%），切入800G高速銅纜領域，適配AI算力設備及AR/VR需求，客户覆蓋Google、Meta。

• 碳化硅產能推進合肥露笑半導體已安裝280臺長晶爐（224台調試完成），2025年底前形成5000片/月6英寸襯底產能。

• 降本增效突破自主研發PVT晶體生長設備熱場均勻性達1℃，單爐產出量較行業高15%，8英寸晶圓中試線2025年完成驗證。

1. 設備-材料閉環晶盛機電自研設備使襯底成本較外購降低35%，支撐毛利率維持在50%以上；三安光電IDM模式實現從材料到器件的成本優化。

2. 技術外溢優勢晶盛機電碳化硅加工設備供貨天岳先進、露笑科技，形成"賣鏟人"角色溢價；三安光電射頻濾波器技術反哺光通信業務。

3. 新興場景拓展

• AR眼鏡光波導：碳化硅高折射率特性支撐70°視場角突破

• 800V高壓架構：固態變壓器市場2030年規模或達50億美元。