HBM成為印鈔機

一個屬於存儲的超級周期要到來。

來源丨半導體行業觀察

日前，存儲廠商美光交出了一份漂亮業績。

財報顯示，該公司本季度營收為113.2億美元，而上一季度為93.0億美元；全年營收則從251.1億美元增長至373.8億美元。當中，美光HBM、高容量DIMM和LP服務器DRAM的總收入達到100億美元，較2024財年增長了五倍。人工智能對HBM的需求支撐了美光本財年近50%的收入增長，管理層也上調了2025年服務器的增長預期，這表明美光的高兩位數增長並非終點。

自上次公佈財報以來，美光股價已上漲約 31%，並從季度內每股 104 美元的低點回升了約 58%，今年迄今上漲了 90%，財報也證實，HBM 還具有更大的上漲空間。

從美光、三星和SK海力士的表現看來，HBM儼然成爲了印鈔機。

美光HBM的后來先上？

美光公司進入 HBM 領域較晚，於 2021 年 6 月推出了 HBM2E 內存，而當時三星和 SK 海力士已經向 Nvidia、AMD、英特爾等公司交付了兩代堆疊 DRAM 內存（HBM 和 HBM2），這些公司構建的計算引擎需要比在普通 DDR 內存總線上工作的常規 DRAM 主內存更大的帶寬。美光公司可能因其與英特爾的 3D XPoint 內存合作伙伴關係而分心，這場合作以兩家公司的失敗告終。

但隨着人工智能的興起，對 HBM 的需求猛增，因此美光公司積極推進其 HBM 設計，完全跳過了 HBM3 代，專注於推出最好的 HBM3E（意味着最高的時鍾速度和最高的堆棧）。去年，美光公司成為唯一一家為 Nvidia 升級版 H200 GPU 供應 HBM3E 內存的內存製造商，使其 HBM 內存業務一飛沖天。

財務數據顯示，美光來自HBM的營收增長至近 20 億美元，這意味着年化運營率接近 80 億美元，這得益於 HBM3E 產品的增長。美光表示：「我們與幾乎所有客户都已就 2026 年 HBM3E 的絕大部分供應達成了定價協議。我們正與客户就 HBM4 的規格和供應量進行積極磋商，並預計將在未來幾個月內達成協議，售出 2026 年 HBM 剩余的供應量。」

在昨天的財報會議上，美光公司宣佈，已向客户交付HBM4樣品，並實現了業界領先的11Gbps速度。

美光公司總裁兼首席執行官Sanjay Mehrotra表示：

「我們欣喜地注意到，我們的HBM份額有望再次增長，並在今年第三季度與我們整體DRAM份額保持一致，實現了我們幾個季度以來一直討論的目標。即使HBM4帶寬和引腳速度的性能要求不斷提高，美光科技的HBM4 12-hi仍能持續支持客户平臺的升級。

我們近期已向客户交付了 HBM4 樣品，其業界領先的帶寬超過 2.8 TB/s，引腳速度超過 11 Gbps。我們相信，美光科技的 HBM4 性能超越所有競品 HBM4 產品，不僅擁有業界領先的性能，還擁有一流的能效。我們久經考驗的  1-gamma DRAM、創新高效的 HBM4 設計、自主研發的先進 CMOS 基礎芯片以及先進的封裝創新，是這款一流產品的關鍵優勢所在。」

除了 HBM4，美光還談到了下一代 HBM4E 內存。與完全基於自主研發的先進 CMOS 基礎芯片的 HBM 不同，美光將與臺積電合作生產 HBM4E 內存的基礎邏輯芯片。標準版和定製版均將採用此方案。美光還強調，他們預計 HBM4E 將於 2027 年上市。

據透露，美光公司有六家 HBM 客户，公司對HBM 前景看好：「我們的 HBM 份額有望再次增長，並將與今年第三季度的整體 DRAM 份額保持一致，實現我們幾個季度以來一直討論的目標。」美光強調。數據顯示，美光DRAM 市場份額約為 22.5%。

預計到 2026 年，HBM 市場規模將達到 500 億至 600 億美元，美光公司希望獲得的 22.5% 份額將達到 125.8 億美元，即每季度 31 億美元。展望未來，美光公司曾表示，到 2030 年，預計 HBM 的潛在市場總額將達到 1000 億美元。

三星依靠HBM王者歸來

翻看另一個存儲巨頭三星，過去很長一段時間他們正努力在不斷增長的HBM市場中站穩腳跟，但卻持續遭遇挫折。這在其2025年第二季度的業績中得到了清晰的體現，市場份額已跌至僅17%。然而，業內分析師預計，在進入英偉達供應鏈並推出下一代HBM芯片后，該公司的業績可能會反彈。

周三公佈的數據顯示，第二季度，三星電子在全球高帶寬內存（HBM）芯片市場的排名下滑至第三位，而美國美光科技公司則升至第二位。根據行業追蹤機構Counterpoint Research的數據，三星電子在4月至6月期間佔據了全球HBM芯片市場的17%，低於美光科技的21%。

雖然這兩家韓國公司佔據了近80%的出貨量，但三星較低的市場份額表明其難以追趕SK海力士。主要原因是其12層HBM3E產品在此期間尚未通過英偉達的質量測試。不過，目前已有多家媒體證實，三星已獲得這家GPU製造商的認證，可以開始出貨，這無疑將推動三星繼續前進。

據報道，三星的HBM3內存預計將很快應用於Nvidia DGX B300顯卡，彭博社的業內人士預計這些芯片將很快獲得Nvidia的最終認證。至於AMD，三星和美光公司已經為Instinct MI350顯卡銷售HBM3E芯片。HBM3是目前市面上最高端的內存芯片，包含12層，高於標準HBM3的8層。這種配置可實現每層1.2 TB/s的驚人傳輸速率。

雖然HBM3E問世還不到一年，但人工智能這趟列車已不等人。所有目光都已投向HBM4，該規範將芯片總線寬度翻倍，使每個堆棧的帶寬達到約2 TB/s。值得注意的是，雖然JEDEC HBM4規範要求每針8 Gbps的傳輸速率，但據報道，由於受到Nvidia的壓力，三大內存製造商都力爭在量產芯片上實現每針10至11 GB/s的傳輸速率。由於採用3-4納米工藝（低於10納米）製造，HBM4預計將提供顯著更高的容量，從每芯片48 GB提升至64 GB，同時功耗降低20%至30%。

三星一直在與幾乎所有AI芯片製造商洽談，爭取其即將推出的HBM4產品的早期認證，並計劃最早在2026年上半年實現量產。

今年八月有報道指出，三星此前向人工智能 (AI) 半導體領域無可爭議的領導者 NVIDIA 發送的三星電子第六代高帶寬存儲器 (HBM4) 樣品已通過可靠性測試，並將於本月底進入最后的預生產階段。如果最終測試進展順利，據《首爾經濟日報》報道，三星HBM4 最早可能在年底開始量產。

三星電子的HBM4樣品已於上個月交付給NVIDIA。據報道，該樣品已通過初步原型測試和質量測試，並將於本月底進入「預生產（PP）」階段。一位業內人士表示：「據我瞭解，該樣品在良率等質量方面獲得了積極評價，目前已進入PP階段。」他補充道：「如果通過PP階段，預計將於11月或12月實現量產。」據業內人士9月23日透露，三星電子近日完成了HBM4（第6代）量產系統的搭建，預計最早將於今年年底開始生產並交付客户。

Counterpoint 預測，儘管三星電子第二季度的市場份額低於預期，但明年其在 HBM 市場的份額將超過 30%。這歸功於該公司即將為主要客户進行 HBM3E 產品認證，並且明年能夠通過 HBM4 出口擴大市場份額。

三星電子推出了其10納米級第六代（1c）DRAM工藝，該工藝比HBM4領先一步，同時還推出了4納米代工工藝。今年7月，該公司完成了採用1c納米工藝的HBM4的開發，並向主要客户發送了樣品，預計將於年底實現量產。據悉，三星電子正在開發的HBM4通過提高單元集成密度，與上一代產品相比，其能效提高了40%，數據處理速度據稱可達11Gbps。開發完成后，該公司近期重啟了此前因實施「規模經濟」戰略而暫停的平澤五號工廠（P5）的建設。

數據統計顯示，三星電子預計今年第三季度營業利潤將在一年左右的時間里首次突破10萬億韓元，此前對其業績造成負面影響的高帶寬內存（HBM）和晶圓代工（半導體代工）業務正在好轉。

SK海力士的遙遙領先

在這三個HBM廠商中，SK海力士是遙遙領先的絕對王者。

從上圖可以看到，SK海力士的HBM市佔已經高達62%，也正是在HBM的幫助下，他們反超三星，成爲了全球領先的DRAM龍頭。

據韓國科技網站 ET News 報道，SK 海力士計劃到 2027 年再購置約 20 台 EUV 光刻機。此舉實際上將使這家內存製造商的現有設備（包括研發部門）數量翻一番。新增設備將部署在其清州 M15X 和利川 M16 晶圓廠，以支持其進軍下一代 DRAM 和高帶寬內存 (HBM) 的生產。

SK海力士擴充EUV設備旨在提升下一代DRAM和高帶寬存儲器（HBM）的產能。使用EUV技術製造半導體可以實現更精細的電路，提高每片晶圓的芯片良率，並提升功率效率和性能。

預計此舉將提升公司用於HBM4的10納米級第五代DRAM（1b）和第六代DRAM（1c）的製造競爭力。前者計劃於今年年底實現量產，后者目前正在準備量產。這些產品是SK海力士明年的主力產品。此外，該公司計劃將EUV技術應用於第七代DRAM（1d）和10納米級及以下的DRAM。這些產品是尚未商業化的下一代存儲器產品。

作為保持存儲器市場領先地位的一項戰略，業界預計SK海力士的1d產品最早將於明年轉入量產。

在九月中，SK海力士表示，已準備好量產其下一代高帶寬內存芯片，從而保持領先於競爭對手，並推動公司股價飆升。

根據當時的公告，該公司已完成 HBM4 的內部驗證和質量保證流程，並準備大規模生產。SK海力士HBM開發負責人Joohwan Cho表示：「HBM4開發的完成將成為行業的一個新的里程碑。」

SK海力士總裁兼AI基礎設施負責人 Justin Kim表示：「我們正式宣佈建立全球首個HBM4量產系統。HBM4是突破AI基礎設施限制的標誌性轉折點，將成為攻克技術難題的核心產品。」 他補充道：「我們將及時提供AI時代所需的最佳品質和多樣化性能的內存產品，成長為一家全棧式AI內存供應商。」

HBM4 的標準 JEDEC（聯合電子設備工程委員會）接口寬度為 2048 位，每個引腳的吞吐量為 8Gbps。SK 海力士表示，他們正在實現每個引腳「超過 10Gbps」的吞吐量，速度至少提高了 25%。

該公司還採用了其10納米至10納米工藝和大規模迴流模塑底部填充技術，以幫助最大限度地降低生產風險。MR-MUF技術使用液體注入芯片之間，而不是在芯片之間使用薄膜層。SK海力士表示，這種工藝組合有助於使這些新芯片達到可以量產的水平。

SK海力士的公告部分內容是，其產品已完成開發並準備出貨。這一點也很重要，因為美光科技表示將開始出貨HBM4，但宣傳的JEDEC規格為2TB/s。

專注於半導體的亞洲私人投資公司 TriOrient 副總裁 Dan Nystedt 表示。他説：「SK海力士是Nvidia的關鍵供應商，這一聲明表明它仍然遠遠領先於競爭對手。」

寫在最后

在市場分析機構TrendForce看來，由於供應緊張，主要供應商將生產能力分配給利潤更高的服務器 DRAM 和 HBM，PC 內存價格將上漲。

他們指出，內存價格將在 2025 年第四季度上漲，並將矛頭指向三大 DRAM 製造商——三星、SK 海力士和美光科技。據稱，這些供應商主要將先進工藝產能分配給高端服務器 DRAM 和 HBM，這限制了其 PC、移動和消費芯片的產能。

TrendForce 警告稱，總體而言，傳統 DRAM 價格預計將比上一季度上漲 8% 至 13%，如果算上 HBM，漲幅可能高達 13% 至 18%。

近日，摩根大通在一份報告中將全球存儲器半導體總可尋址市場（TAM）的預期較此前預估上調高達24%。

摩根大通預計，到 2027 年，AI 芯片的關鍵組件高帶寬內存 (HBM) 將佔據 DRAM 內存市場的 43%。摩根大通表示，這將降低價格波動，並有助於抵禦下行風險，從而提高盈利能力。

摩根大通還表示，過去兩年來一直缺乏投資的 NAND 閃存，隨着 eSSD（企業固態硬盤）的普及，產品價格可能會呈上漲趨勢。

總而言之，一個屬於存儲的超級周期要到來。

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