小摩展望存儲：27年前供應持續緊張 未來6-12個月風險收益仍偏多

財聯社9月26日訊（編輯 史正丞）隨着「AI的風」9月再度猛吹存儲芯片概念，包括「HBM三雄」SK海力士、三星、美光，以及閃迪、西數等產業鏈公司都迎來了新一輪斜率陡峭的上漲勢頭。

（來源：TradingView）

近幾個月的快速上漲，背后是資本市場對半導體內存供需前景的重新定價。HBM芯片的強勁需求自然不必多言，近期隨着eSSD（企業級固態存儲）遭到超大規模雲廠商集中加單的傳聞，近兩年投資不足的NAND市場也開始進入「量價齊升」的熱炒狀態。

知名投行摩根大通此前曾預期，全球存儲芯片市場將在2027年前持續處於結構性增長周期，屆時全球內存半導體可尋址市場（TAM）將達到3000億美元。伴隨公司盈利能力出現的結構性改善，投資者不應再拿過往的估值水平進行比較。

包括資深科技產業分析師Jay Kwon在內的摩根大通分析師也在近期的趨勢展望中指出，近期大漲后，未來6-12個月存儲行業風險收益結構依舊偏多。考慮到AI需求的強勁趨勢，供需緊張將在2027年新建產能釋放之前持續存在。

Jay Kwon等分析師的主要研判包括：

定製化HBM重塑存儲角色

報告指出，定製化HBM（cHBM）正重塑存儲的角色，從過去的被動元件演變為具備邏輯計算能力的主動部件。在數百顆芯片無縫連接的環境下，存儲在AI基礎設施中的TCO（總擁有成本）不斷上升。

目前多家存儲廠商已經與客户開展定製化HBM的合作。定製化HBM將集成不同功能、運算能力及邏輯die設計，例如LPDDR與HBM並行工作，在HBM堆棧中加入計算邏輯，成為性能差異化的關鍵。存儲廠商已開始提供覆蓋HBM、邏輯die、LPDDR、PIM等的全棧解決方案。

同時隨着AI能耗的增加，存儲廠商也開始強調HBM在節能上的價值。SK海力士預測稱，HBM能效每改善10%，可帶來單機架2%的節能效果，對系統級節能有重大意義。

SK海力士領跑HBM4 對手明年才能追上

摩根大通團隊指出，SK海力士9月中旬宣佈完成HBM4開發，並支持10Gb/s+的帶寬速度，準備進入量產。該公告意味着客户樣品開發已完成，預計很快將出貨用於CoWoS封裝與系統級測試，最終結果有望在11月出爐。

相比之下，其他競爭對手的進度可能要等到2026年一季度才能追上。

對於HBM4定價談判而言，關鍵因素是SK海力士的對手們能否達到其設定的10Gb/s+標準，這一點與HBM3/3E周期類似。

分析師們指出，延后的HBM4認證周期對后端投資節奏有一定壓力。但隨着HBM晶圓投片增加，傳統DRAM產出將被壓縮。

面向未來：混合鍵合與邊緣AI

由於芯片堆疊高度限制和能效比要求，摩根大通認為現在存儲廠商正展現出更高的意願，準備在20層HBM，甚至16層HBM4E中嘗試混合鍵合（Hybrid Bonding）。雖然有無縫鍵合、良率低等技術挑戰，但廠商的研發投入正在持續增長。

據三星管理層介紹稱，相較傳統的熱壓鍵合，混合鍵合能將層數堆疊能力提升33%，同時改善散熱性能20%。

不過小摩特別點出，SK海力士似乎有信心使用熱壓鍵合推出16層HBM4E。

同時隨着AI產業的焦點逐漸從訓練轉向推理應用，邊緣AI也將成為存儲市場的重要增量。

華邦電子的管理層預測，邊緣AI硬件市場到2030年達到500億美元，AI需求將逐漸下沉，帶來對低延迟、低功耗、高帶寬存儲的需求，以便在智能手機、汽車、家電等終端設備上實現AI推理功能。