全球最快HBM4交付！

（來源：半導體前沿）

美光確認向客户交付業界最快 11 Gbps HBM4 DRAM 並與臺積電合作研發下一代 HBM4E

在最新的 2025 財年第四季度及全年財報電話會議上，美光科技披露了 DRAM 與 NAND 閃存業務的關鍵進展。財報數據顯示，公司該季度營收達 113.2 億美元（較上季度的 93 億美元增長顯著），全年營收從 251.1 億美元提升至 373.8 億美元。目前，美光正通過下一代技術方案持續拓展性能邊界。

在高帶寬內存（HBM）領域，美光表示其 12 層堆疊的 HBM4 DRAM 方案按計劃推進。為響應近期激增的性能需求，公司已完成業界最快 HBM4 解決方案的首批樣片交付，該方案實現超 11 Gbps 引腳傳輸速率與 2.8 TB/s 帶寬。美光強調，新款 HBM4 產品在性能與能效比上全面超越競品。

「我們欣喜地看到，HBM 市場份額在本公曆第三季度將再度增長，並與整體 DRAM 份額保持同步，兑現了我們連續多個季度的目標承諾。儘管 HBM4 對帶寬和引腳速率的要求不斷提升，美光科技的 12 層 HBM4 仍按計劃支持客户平臺的規模化量產。

近期我們已向客户交付 HBM4 樣片，其 2.8 TB/s 以上的帶寬與 11 Gbps 以上的引腳速率均達行業領先水平。我們堅信，美光 HBM4 憑藉業界頂尖的性能表現與能效比，全面優於所有競品。成熟的 1-γ DRAM 工藝、創新低功耗的 HBM4 架構、自研先進 CMOS 基底芯片及前沿封裝技術，構成了這款標杆產品的核心競爭力。」

—— 桑傑・梅赫羅特拉（Sanjay Mehrotra），美光總裁兼首席執行官

除 HBM4 外，美光還披露了下一代 HBM4E 內存規劃。與完全基於自研先進 CMOS 基底芯片的 HBM 不同，HBM4E 的基底邏輯芯片將與臺積電合作製造，涵蓋標準品與定製化產品。美光預計 HBM4E 將於 2027 年正式推出。

「針對 HBM4E，美光科技將提供標準產品及基底邏輯芯片定製服務。我們正與臺積電合作，為標準品與定製化產品同步開發 HBM4E 基底邏輯芯片。定製化方案需與客户深度協同，預計搭載定製基底邏輯芯片的 HBM4E 將較標準品實現更高毛利率。目前美光 HBM 客户羣已擴展至 6 家。

我們已與幾乎所有客户達成 2026 年 HBM3E 主力供應的定價協議，正與客户積極磋商 HBM4 的規格與供貨量，預計未來數月內將達成協議，售罄 2026 年剩余的全部 HBM 產能。」

—— 桑傑・梅赫羅特拉（Sanjay Mehrotra），美光總裁兼首席執行官

在其他技術領域，美光透露已與英偉達深度合作推進服務器用 LPDDR 內存部署，成為數據中心領域 LPDDR DRAM 的獨家供應商。針對 AI 與客户端產品的 GDDR7 內存，美光表示該技術未來迭代產品的引腳速率將突破 40 Gbps。目前英偉達是唯一在 GPU 中採用 GDDR7 的廠商 —— 美光最初發布的 GDDR7 產品引腳速率為 32 Gbps，40 Gbps 規格將實現 25% 的性能提升。

「通過與英偉達的緊密協作，美光率先推動 LPDRAM（低功耗 DRAM）在服務器領域的應用。自英偉達在 GB 產品系列中引入 LPDRAM 以來，美光始終是數據中心 LPDRAM 的獨家供應商。除在 HBM 與 LP5（低功耗 DDR5）領域保持領先外，美光 GDDR7 產品亦佔據優勢地位 —— 其設計旨在通過超 40 Gbps 引腳速率實現極致性能，同時以頂尖能效比滿足未來 AI 系統的特定需求。」

—— 桑傑・梅赫羅特拉（Sanjay Mehrotra），美光總裁兼首席執行官

製程工藝方面，1-γ DRAM 節點實現創紀錄的良率爬坡速度，較上一代工藝提升 50%。G9 NAND 技術量產進展順利，將同步推進 TLC 與 QLC NAND 閃存方案的規模化應用。作為業界首個推出數據中心級 PCIe Gen6 SSD 的廠商，美光將持續基於 16Gb 1-γ DRAM 拓展解決方案矩陣。

來源：官方媒體/網絡新聞