美光財報會拆解半導體供需：DRAM/NAND庫存下降 HBM成增長核心

財聯社9月24日訊（編輯 劉蕊）周二美股盤后，在AI熱潮的推動下，全球存儲芯片大廠美光科技公佈了好於預期的2025年第四財季（截至8月28日的三個月）營收和利潤，並對當前季度（26財年第一財季）業績給出了強勁的指引。

美光在財報會上特別強調，當前半導體芯片（尤其是HBM芯片）的供需不平衡預計將加劇。

美光科技第四季度經調整營收為113.2億美元，同比增長46%，預估為111.5億美元；調整后每股收益為3.03美元，上年同期為1.18美元，預估為2.84美元。

前景展望方面，美光預計2026財年第一財季營收為122億至128億美元，高於LSEG分析師平均預估的119.4億美元；預計第一財季調整后毛利率為50.5%-52.5%，遠高於預期的45.9%。

美光CEO Sanjay Mehrotra提到，當前半導體存儲領域，DRAM庫存已低於目標水平，NAND庫存持續下降，此外，HBM的產能已經被鎖定，需求增長顯著，預計2026年HBM出貨量增速將超過整體DRAM，成為半導體存儲板塊核心增長驅動力。

Sanjay Mehrotra強調了公司在 AI 內存市場的戰略定位，他表示：" 未來幾年，我們預計將有數萬億美元投資於AI，其中很大一部分將用於內存領域。"

美光科技 2025 年第四季度財報電話會議Q&A實錄

參會人員：

美光科技董事長、總裁兼首席執行官 Sanjay Mehrotra

美光科技首席財務官 Mark Murphy

美光科技投資者關係部負責人 Satya Kumar

會議主持人：我們的第一個問題來自瑞銀（UBS）的 Timothy Arcuri。請發言，Timothy。

Timothy Arcuri：非常感謝。Mark，我想請你在指引方面提供一些幫助。我知道你不想涉及太多細節，但對於這12億美元的環比收入增長，你能否幫助我們瞭解這部分增長在DRAM和NAND之間是如何分配的？另外，如果能提供一些關於毛利率的利好和不利因素分析，也會非常有幫助。

美光科技首席財務官 Mark Murphy：是的，Tim，你最后面的部分有點斷斷續續，但我想我明白了。

在第一財季，我們的增長將主要來自 DRAM，其產品結構佔比將高於 NAND。

正如你所提到的，我們不會具體披露位元出貨量（bits）和平均售價（ASP），但我們確實在指引中提到，毛利率將環比提升580個基點。這一提升將來自於產品結構優化、價格上漲，以及我們在成本削減方面的強勁執行力。

我們正處於一個非常有利的定價環境中。DRAM 供應緊張，而 NAND 的狀況也在顯著改善。正如你在我們今天的準備發言中聽到的那樣，我們確實正受到強勁的需求和供應兩方面因素的共同推動。

在需求端，數據中心的支出依然強勁，並預計將持續增長。傳統服務器的支出正在改善，並且預計也將增長。來自設備更新和推理工作負載的需求是主要驅動力。同時，PC、智能手機和汽車領域的存儲容量需求也都在增長，這一點正變得越來越清晰。

在供應端，我們會在接下來的問答環節中深入討論，但由於一些結構性因素，供應同樣也處於緊張狀態。我們正專注於自身的執行。再次強調，預計本季度的價格、產品結構和強勁的執行力，將共同推動 580個基點的毛利率增長。

Timothy Arcuri：非常感謝，Mark。Sanjay，我記得你之前曾指引我們，到 2028 年 HBM 的市場總規模（TAM）將達到 1000 億美元。

但自從你給出這個數字后，市場上出現了一些非常誇張的傳聞，包括英偉達提到的一些TAM數字，以及 OpenAI 等公司正在進行的一些投資。很明顯，計算領域的整體規模比你當時可能假設的要大得多。你是否有這個數字的最新更新？我想它可能會比那個數字更大。也許你可以評論一下你對明年的看法？

我知道今年你看到的是 30% 多一點的增長。我在想，你是否能給我們一些關於從明年開始的、哪怕是些微的樂觀預期，以及對 2028 年達到 1000 億美元這個目標的最新看法。

美光科技董事長、總裁兼首席執行官 Sanjay Mehrotra：Tim，你的信號不太好，有很多地方斷斷續續，但我想我明白了你問題的要點。

關於我們之前提到的 HBM 長期市場總規模（TAM），我們曾表示，到 2030 年，我們預計 HBM 的 TAM 將達到 1000 億美元。我們還曾説過，HBM 的位元（bit）複合年增長率（CAGR）將超過整體 DRAM 的位元複合年增長率。

我們認為，在 2026 年，HBM 的出貨量增長也將超過整體 DRAM 的出貨量增長。

當然，展望未來，HBM 的價值主張持續提升。正如我們所討論的，HBM 在 2026 年正從 HBM3E 向 HBM4 過渡。美光當然處於非常有利的位置。

市場開始要求更高的性能，而我們今天也指出，美光的 HBM4 產品將擁有最高的性能，引腳速度超過每秒 11 吉比特（Gbps），當然，也具備最高的能效。

HBM 的規格要求正變得越來越苛刻，這對我們來説非常令人振奮，因為我們在這些產品上的定位非常有利。這意味着 HBM 的價值主張將持續增長。

我們無疑將繼續看到強勁的長期增長，並對所有這些關於大規模數據中心基礎設施支出的各種公告感到非常興奮。我們已經討論過，未來幾年將有上萬億美元的支出，而存儲正是這場 AI 革命的核心所在。

這為整個存儲行業，也為 HBM 帶來了巨大的機遇。我們對HBM 的長期機遇感到非常樂觀，對2026 年的 HBM 機遇也感到樂觀，並且對美光憑藉其強大的產品組合、強勁的執行記錄，以及我們在滿足客户質量和產能需求方面與客户建立的信任而所處的有利位置，感到非常樂觀。

未來充滿機遇，我們當然也會繼續與客户保持密切合作。

會議主持人：謝謝。我們的下一個問題來自美國銀行的 Vivek Arya。請發言，Vivek。

Vivek Arya：謝謝你們接受我的提問。我很好奇，你們如何看待從 HBM3E 到 HBM4 的過渡？你們預計明年什麼時候會出現（市場份額的）交叉點？

我想，作為其中的一部分，你們提到 HBM3E 在 2026 年的定價已經確定。我很好奇，與你們現在獲得的價格相比，這一定價的方向是什麼？是更高還是更低？你們預計你們的 HBM3E 市場份額在明年會保持不變還是會有所變化？

美光科技董事長、總裁兼首席執行官 Sanjay Mehrotra：

關於 HBM4，我們當然會處於這次產能爬坡的最前沿，與客户的時間表保持高度一致。正如我們所提到的，我們擁有業內最好的產品，其性能最高（超過每秒11吉比特），功耗也更低。這是一款行業領先的產品。

我們將根據客户需求進行產能爬坡，首批量產產品預計將在2026 年第二季度出貨，生產將在 2026 年全年（包括下半年）持續爬坡，這一切都將與客户需求保持同步。

總體而言，與 2025 年相比，我們預計在2026年的市場份額將會增長，我們的產品定位非常有利。

我們不對 HBM3E 的定價發表評論。我們已經告知大家，關於 HBM3E，我們已與幾乎所有客户就我們 2026 年絕大部分的 HBM3E 產能達成了定價協議。

我們正在與客户就 HBM4 進行討論。我可以告訴大家的是，供應非常緊張。

我們預計，2026年整體 DRAM的供需環境將保持健康，這對於 DRAM 的盈利能力、HBM 的盈利能力，當然還有同樣面臨供應緊張的非 HBM 業務的盈利能力，都是好兆頭。

Vivek Arya（跟進提問）：明白了。作為我的跟進問題，也許可以請 Mark 談一下毛利率方面。從概念上講，這是一個怎樣的水平？在今年剩余的時間里，你如何看待毛利率的推動因素和阻力，以及這個 51.5% 的水平？這算是一個基準線嗎？只要銷售額增長，你們是否就能在這個水平上繼續擴張？

與此相關的是，當我查看你們雲數據中心業務時，其毛利率為 59%，運營利潤率為 48%。請問，從這些已經非常強勁的水平上，未來還有多少進一步擴張的空間？謝謝。

美光科技首席財務官 Mark Murphy：是的，Vivek，我們不會提供季度之外的財務指引，但我們可以説的是，我們相信並預計毛利率將從第一財季到第二財季實現環比改善。

這基於以下幾點：DRAM 供應緊張及其帶來的相關定價優勢。NAND 業務的持續改善。產品結構優化，我們繼續將產能導向高價值市場。我們的成本控制表現持續良好。

正如我在準備好的發言中提到的，我們認為這些供需因素在需求端是可持續的。數據中心支出持續增長。我之前也提到了傳統服務器支出，以及邊緣計算和汽車領域的存儲容量需求增加。

在供應端，客户庫存水平健康。我們自身的供應也保持精簡。我們的 DRAM 庫存低於目標。NAND 的狀況也在持續改善。

我們正致力於以最高效的方式來響應市場供應需求。我們正在進行技術節點的遷移，但由於行業延長了對 DDR4 的支持，這在一定程度上限制了節點遷移的速度。最后，新增潔淨室空間需要很長時間且成本高昂。我們都知道HBM的硅片製造強度，這使得其產能需求尤為迫切。

這為我們進入2026年奠定了良好的基礎。我們為第一季度提供了強勁的毛利率指引，並且我們預計第二季度的毛利率將繼續上升。

我還想重申 Sanjay 提到的一點：我們預計在 2026 年，無論是 HBM 還是非 HBM 業務，都將實現健康的利潤率。關於季度外的指引，我就説這些。

會議主持人：謝謝。下一個問題來自 Cantor Fitzgerald 的 CJ Muse。請發言，CJ。

CJ Muse：下午好。感謝你們接受我的提問。

我的第一個問題是，在過去的一兩個月里，感覺由進行推理工作的超大規模客户引領，DRAM 需求出現了一個拐點。我很好奇，您能否談談您所觀察到的情況，包括需求的廣度，以及這種需求的可持續性？我很想聽聽您的看法。

您之前提到，預計到2026財年，供應都會保持緊張。我想了解的是，考慮到通常在2月份所在的季度（譯註：指美光的第二財季）是季節性需求放緩的時期，您對此有何看法？我們應該會看到正常的季節性放緩，還是説供應端的限制如此之嚴，以至於市場狀況會比正常的季節性表現要好得多？

美光科技董事長、總裁兼首席執行官 Sanjay Mehrotra：當然，我們目前不會提供第二財季的指引，但可以肯定的是，AI 趨勢非常強勁。

正如你所指出的，這不僅體現在訓練端，在推理端也是如此。隨着 AI 應用的不斷拓寬、創新的不斷增加，以及各種不同架構的發展，所有這些都在持續擴大數據中心以及智能手機等邊緣設備對 AI 的需求。

在數據中心，AI 服務器已經驅動了強勁的需求，這一點衆所周知。特別是對各種 DRAM 的需求都在增長，不僅僅是 HBM，還包括 LPDRAM 和高密度 DRAM 模組。

正如我們在發言中提到的，我們也看到傳統服務器的需求同樣在增長。這確實在推動整個行業形成一個強勁的增長趨勢。

需求向量正在拓寬，特別是在智能手機領域。你已經看到，一些支持 AI 的智能手機已經發布並開始出貨，與上一代手機相比，它們內置了更高容量的 DRAM。

PC 是另一個推動力，包括 AI PC 的興起以及 Windows 10 的生命周期結束。AI PC 同樣會推動 DRAM 容量需求的增長。

總的來説，AI 趨勢非常強勁，並且跨越了數據中心、AI 智能手機和 AI PC 等多個領域。這正是我們預計在2026年全年都將看到強勁需求的原因。

我們也談到了供應緊張的問題。Mark 剛剛闡述了導致供應緊張的因素，這些我們在準備發言中也有討論。總體而言，我們對2026年的健康供需環境充滿期待。客户庫存，無論是客户還是供應商的庫存，都處於良好狀態。實際上，供應商的庫存運行得非常精簡。美光的DRAM供應非常緊張。

CJ Muse（跟進提問）：謝謝。作為一個快速的跟進問題，關於資本支出（CapEx），Mark，這似乎意味着淨資本支出將達到180億美元，而去年為138億美元。我記得你談到了前端設備、潔淨室空間以及 DRAM。有沒有辦法將其分解，説明一下設備和潔淨室分別佔多少？你能否與我們分享一下 2026 財年的總資本支出（gross CapEx）是多少？非常感謝。

美光科技首席財務官 Mark Murphy：

是的，我們沒有詳細列出具體的數字。只是我們在 2026 年的支出，絕大部分都將用於 DRAM。其中包括與之相關的廠房建設和設施投入，以及一些用於技術節點遷移的設備，並且我們也開始為新的綠地項目（greenfield，指新建工廠）安裝設備。

關於你提到的資本支出框架，你説得對，我們確實給出了一個大約 180 億美元的指引。我們通常會在 「淨資本支出」（net CapEx）的語境下討論資本支出，即總資本支出（gross CapEx）減去來自政府激勵的資金。

我們不會具體討論 2026 年的總資本支出和淨資本支出，但你可以從我們的公開文件中看到相關的構成部分，從而推算出來。你可以查看我們在 2025 年的總支出，以及政府激勵的金額。

我們在 2025 年的淨資本支出最終為 138 億美元，其中總資本支出為 158 億美元，獲得了 20 億美元的政府激勵。

你未來也會看到類似的情況。2025 年的政府激勵主要來自美國、新加坡和日本。我們未來可以就這些激勵措施進行更多討論。謝謝。

會議主持人：謝謝。下一個問題來自摩根大通的 Harlan Sur。請發言，Harlan。

Harlan Sur：下午好。感謝你們接受我的提問。庫存天數現在已經達到了你們此前預期的目標水平，並且其中 DRAM 的庫存實際上低於你們的目標，對嗎？

考慮到強勁的 HBM3E 和 12-high 產品，以及對非 AI DRAM 持續強勁的需求拉動，你們如何看待本季度結束時的總體庫存和 DRAM 庫存狀況？庫存天數會繼續下降嗎？考慮到整體供應緊張，你們的交貨周期是否在延長，客户是否在更早地下訂單？這是否意味着更好的可見性？是什麼給了你們團隊信心，認為供應緊張的局面會持續到 2026 年？

美光科技首席財務官 Mark Murphy：是的，Harlan，我來回答這個問題。我們確實預計庫存天數（DIO）將保持在第四季度的水平，甚至更好。正如我們全年所討論的那樣，DRAM 供應將持續非常緊張，所以我們預計庫存將繼續低於目標。

對於 NAND，我們採取非常有紀律的管理方式，而該市場也在持續改善，因此我們預計NAND 的庫存天數也將下降。

美光科技董事長、總裁兼首席執行官 Sanjay Mehrotra：我們與客户保持密切合作，客户也充分理解當前需求環境強勁、供應非常緊張的狀況，以及 DRAM 及其供應前景的緊張態勢。

我們與客户緊密合作。我想指出的是，展望未來供應，我們正計劃通過 1-gamma 技術的產能爬坡來支持非 HBM 產品的需求。

對於 HBM 產品，我們將通過 1-beta 技術來支持。我們將繼續專注於實現最高的生產效率，並充分利用現有的潔淨室空間來實施技術遷移，同時推動實現最高的生產效率。

Harlan Sur：Sanjay，隨着你們的客户不斷地在其 GPU 和 XPU 平臺上進行差異化，內存似乎正成為他們差異化的一個關鍵焦點領域。正如你所提到的，你們的一些 HBM4 客户正在尋求比普通的 JEDEC 標準高出多達 25% 的帶寬。看起來美光團隊交付的解決方案比 JEDEC 規格高出了 40% 的性能，對嗎？這遠遠超出了你們客户的要求。

爲了實現這些令人印象深刻的成果，團隊是否必須重新設計基礎邏輯芯片（base die）？我只是想知道，這種更高性能的 HBM4 SKU 是否可能推迟了客户的電話會議，或者説，會議日程是否仍然按照你們最初的計劃保持在正軌上？更重要的是，即使在更高的速度下，你們的功耗是否仍然優於你們的競爭解決方案？

美光科技董事長、總裁兼首席執行官 Sanjay Mehrotra：非常好的問題，Harlan，感謝你提出這些問題。

我們對團隊的執行力感到非常自豪，對我們團隊在 DRAM 芯片和其中所使用的先進 CMOS 技術方面的設計感到自豪，同時也對我們的基礎芯片（base die）感到自豪，它同樣採用了先進的 CMOS 技術。

所有這些因素的結合 —— 我們的創新設計、我們的內存架構、我們在 DRAM 中使用的先進 CMOS 技術，以及在基礎芯片中使用的先進 CMOS 技術 —— 當然，這種先進的 CMOS 基礎芯片是由美光公司內部製造的，這為我們提供了競爭優勢。

所有這些實際上使我們能夠滿足客户日益提高的要求，實現每秒2.8千兆字節（GB/s）的帶寬，以及每秒超過11吉比特（Gbps）的速度。

這確實使我們處於非常有利的位置，為我們以這些規格進行 HBM4 產品的量產爬坡做好了準備。

正如我所説，憑藉這些規格，我們將處於 HBM 出貨量爬坡的最前沿，並使其與客户需求保持一致。謝謝。

我只是想澄清一下，我想我説的帶寬是每秒 2.8 太字節（TB/s）。我希望這一點能表達清楚。帶寬是每秒2.8太字節，速度是每秒11吉比特。

會議主持人：謝謝。下一個問題來自 TD Cowen 的 Krish Sankar。請發言，Krish。

Krish Sankar：嗨，感謝你們接受我的提問。

Sanjay，你之前提到，HBM的供應希望能在未來幾個月內售罄。如果假設你們在 2026 年全年都能售罄，有沒有辦法量化一下這一年的供應機會？如果 HBM 的需求比預期更好，而你們又在未來幾個月內售罄，那麼在 2026 年你們還能增加供應嗎？我還有一個簡短的跟進問題。

美光科技董事長、總裁兼首席執行官 Sanjay Mehrotra：是的，我們不會分解具體的供應數量等細節。

是的，關於 HBM3E，正如我們所提到的，我們已經與絕大多數客户就我們絕大部分的 HBM3E 供應達成了定價協議。對於 HBM3E 的供貨量，我們與大多數客户也已經確定。

隨着我們的客户敲定他們的 HBM4 計劃，特別是針對更高規格的計劃以及他們在下一代平臺上的部署，我們預計將在未來幾個月內，也就是在2026 年，完成我們關於 HBM4 供應以及 2026 年全年 HBM 供應的協議。

我們對我們行業領先的 HBM4 產品規格感到非常滿意，其性能絕對優於其他所有產品。我們在這方面處於非常有利的位置。

關於你的問題，我們當然會管理我們的產品組合結構。我們已經在第三季度（CQ3）實現了我們的 HBM 市場份額，使其與我們在整體行業 DRAM 中的份額保持一致。

我們會進行管理，並且考慮到非 HBM 業務也擁有健康的利潤率，我們現在會管理我們的產品組合結構，當然，這會同時考慮我們整個產品組合的投資回報率（ROI），並在總投資方面保持紀律性。

你們可以理解，我們在 HBM 的市場份額方面當然有靈活性，可以把握機會進行管理。因為在前端製造環節，HBM 使用的 1-beta 晶圓與我們其他一些產品是相同的。這為我們在前端的供應管理以及封裝測試環節提供了一定的可替代性和靈活性。

憑藉我們在過去幾個季度所做的投資，我們在封裝測試產能方面也處於非常有利的位置。

我們的投資以及我們團隊在產能爬坡方面的強勁執行力，給了我們充分的信心，也讓我們現在有了靈活性，可以在考慮投資回報率的前提下，管理整個 HBM 和非 HBM 產品組合的結構，並在投資方面保持紀律性。

Krish Sankar：明白了。謝謝，Sanjay。關於 HBM4 我還有一個簡短的問題。很高興看到每秒 11 吉比特的引腳速度。你們還提到，你們既提供自研的基礎邏輯芯片（base die），也提供定製化的臺積電（TSMC）邏輯芯片。有沒有辦法瞭解你們預期這兩種產品的佔比會是多少？你們預計會有更多客户選擇自研芯片還是臺積電的芯片？從美光的角度來看，根據客户需求在這兩者之間切換的難易程度如何？

美光科技董事長、總裁兼首席執行官 Sanjay Mehrotra：

HBM4 產品採用的是我們自研的基礎邏輯芯片（base die）。而對於 HBM4E，正如我們在發言中提到的，我們將同時提供標準產品和定製化產品。HBM4E 是我們與臺積電（TSMC）合作的項目。

HBM4E 目前業界尚未推出，它不是一個 2026 年的產品，而將是一個面向 2027 年的產品。我們將在未來分享更多細節，屆時我們將在 HBM4E 產品線中同時提供標準和定製化產品。

在業界，HBM4 採用的是我們自己的基礎邏輯芯片。HBM4 將是我們正在進行量產爬坡的產品。

正如你所提到的，HBM 的價值主張持續提升，而 HBM4E 的價值主張將進一步增強。我們當然期望定製化產品能帶來更高的毛利率，這一點我在準備好的發言中也有提及。

我想再次強調，我們的 HBM 使用的是我們自己的邏輯芯片。這意味着採用的是美光自研的 CMOS 技術，這為我們提供了獨特的優勢，並且當然，這與我們的 DRAM 設計、DRAM 架構，以及嵌入在 DRAM 內部的 CMOS 技術一起，都是我們實現行業領先性能的關鍵因素。所有這些都為我們帶來了獨特的優勢。

會議主持人：謝謝。由於今天的問答環節時間已到，本次會議的問答部分以及今天的電話會議到此結束。感謝大家的參與。現在您可以掛斷電話了。

（以上會議記錄內容使用AI協助）