SK keyfoundry推出新型多層厚金屬間電介質工藝

2025-09-23 13:02

MEDNAX, Inc.(MD) 0
NFT Limited Class A Ordinary Share(MI) 0
多倫多道明銀行(TD) 0

SK keyfoundry宣佈推出具備業界領先高擊穿電壓特性的多層厚金屬間電介質 (Thick IMD)電容工藝。該工藝支持堆疊最多三層IMD，每層最大厚度達6微米，從而在金屬-絕緣體-金屬(MIM)結構中，總厚度最高可達到18微米。該工藝可提供高達19,000V的擊穿電壓特性及優異電容性能，預計將用於製造數字隔離用電容器，以及電子電路中抑制電容耦合的電容器。採用此工藝製造的電容已成功通過主要客户的經時介電層擊穿(TDDB)評估，並符合AEC-Q100國際汽車半導體質量標準。（美通社）

SK keyfoundry推出新型多層厚金屬間電介質工藝

推薦文章

美股機會日報 | 凌晨00:35！鮑威爾將發表重要講話；阿里Qwen團隊今晚將發佈6個「新東西」

華盛早報 | 美聯儲理事米蘭「首秀」，呼籲激進降息；英偉達漲近4%市值突破4.5萬億美元

美股機會日報 | 華爾街樂觀押注：利率降幅將遠超美聯儲預測！以太坊跳水重挫超5%，加密貨幣概念股BitMine盤前一度跌近10%

一圖看懂 | 兩隻易方達ETF開啟認購！入場門檻為1500港元

新股申購 | 博泰車聯今起招股！一手入場費2065.23港元

美股「新寵」驟變：「昔日冷門」硬盤與內存站上AI風口 老牌存儲廠商業績股價齊飛

美聯儲政策路徑不確定性仍存 中期美債備受交易員青睞

特朗普的H-1B簽證10萬美元新規引發科技公司混亂

美股「新寵」驟變：「昔日冷門」硬盤與內存站上AI風口老牌存儲廠商業績股價齊飛

美聯儲政策路徑不確定性仍存中期美債備受交易員青睞