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2025-09-22 17:54
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(來源:研報虎)
核心觀點
NAND存儲儲漲價情緒持續升溫。此前閃迪宣佈漲價,上游漲價消息帶動行業和渠道市場迅速升溫,根據CFM閃存市場數據,上周不同規格Flash wafer價格上漲1.82%-6.25%不等;SSD渠道市場和行業市場價格均全面上漲,其中SSD 256GB(行業市場)價格周漲幅最高,達8.62%。我們認為供應端對部分NAND資源實施漲價策略,顯著提升了行業客户的提貨緊迫性,考慮到下半年服務器NAND市場備貨需求升溫,預計Q4企業級存儲價格將繼續呈現上漲趨勢。
DRAM市場或迎來全面漲價行情。近日美光決定暫停對DDR4、DDR5、LPDDR4X、LPDDR5X的報價,業界傳美光或對渠道存儲產品大幅度調漲20%-30%。隨着供需天平逐漸向賣方市場傾斜,DDR4、LPDDR4X價格自二季度起開啟漲價潮,並有望延續到明年上半年。與此同時,受HBM產能擠佔疊加新舊制程切換影響,下半年DDR5、LPDDR5X供應趨於緊張,DRAM市場迎來全面漲價行情。市場普遍擔心DRAM漲價行情持續性問題,我們認為,AI帶動的需求持續性一直是本輪DRAM漲價行情的關鍵支撐,疊加供應端原廠產能切換的不可逆趨勢,本輪DRAM漲價行情具有較強持續性。
三星12層堆疊HBM3E通過英偉達認證,展望HBM4原廠競爭或加劇。據韓國媒體本周報道,三星12層堆疊HBM3E產品已成功通過英偉達認證,正式躋身其HBM供應鏈體系。三星核心目標已瞄準下一代HBM4技術,據官方披露,依託1cDRAM技術,結合4nm邏輯芯片工藝,公司已成功研發出數據傳輸速率達11Gbps的HBM4產品,成為全球首個實現這一指標的廠商。TrendForce預計SK海力士仍然會在HBM4供應初始量產階段保持其最大供應商的位置。據TrendForce報道,考慮到Instinct MI450及「Helios」帶來的威脅,英偉達最近向Vera Rubin零部件供應商提出新的要求,希望儘快將HBM4的速度從8Gb/s提高到10Gb/s。我們認為,HBM4時代,三星有望與SK海力士、美光實現「同步佈局」,原廠競爭或進一步加劇。隨着原廠加大投入到HBM競爭並減少利基DRAM產能,國內利基DRAMTier2供應商有望獲得更大市場空間。
投資建議與投資標的
存儲行情景氣度持續,國內先進存儲產能持續擴充,AI服務器和AI終端有望持續帶動存儲需求增長,同時疊加國產替代機遇,存儲產業鏈相關標的:兆易創新(603986,買入)、普冉股份(688766,未評級)、德明利(001309,未評級)、佰維存儲(688525,未評級)、北京君正(300223,買入)、朗科科技(300042,未評級)、東芯股份(688110,未評級)、江波龍(301308,未評級)、恆爍股份(688416,未評級)、萬潤科技(002654,未評級)、深科技(000021,未評級)、同有科技(300302,未評級)、聚辰股份(688123,未評級)、聯芸科技(688449,未評級)等。
風險提示
下游需求增長不及預期;原廠退出進展不及預期。