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2025-09-22 15:03
據報道,三星電子公司(OTC:SSNLF)的最新高帶寬內存(HBM 3 E)產品已獲得英偉達公司(NASDAQ:NVDA)的批准,標誌着人工智能硬件芯片供應競賽取得重大突破。
據KED Global周五報道,據知情人士透露,三星第五代12層HBM 3 E產品已通過Nvidia的資格測試。這一批准是經過一年半的開發和幾次未能滿足Nvidia嚴格的性能標準的嘗試之后獲得的。
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此次批准對三星來説是一個重要的里程碑,象徵着其在半導體行業競爭激烈的領域技術信譽的恢復。HBM 3 E芯片計劃用於Nvidia的旗艦B300 AI加速器和AMD Inc.的MI 350。(AMD)。
周一,韓國股市三星股價上漲近5%。
Nvidia的批准對三星來説是一個重大勝利,因為它標誌着競爭激烈的半導體行業的迴歸。鑑於人工智能硬件的重要性日益增加,這一發展尤其值得注意,這推動了對高容量存儲芯片的需求。
儘管三星已獲得批准,但其向英偉達提供的HBM 3 E芯片預計仍將受到限制,因為它是繼SK Hynix Inc.之后第三家獲得批准的公司。和美光科技公司(納斯達克股票代碼:MU)。
競爭正在轉向HBM 4,該芯片將於明年推出英偉達的下一代Vera Rubin芯片,英偉達推動供應商將速度從當前的8 Gbps標準提高到10 Gbps以上。
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英偉達對三星HBM 3 E芯片的驗證正值該公司擴大客户羣和合作夥伴關係之際,特別是在其最近在中國實施芯片禁令之后。
英偉達和英特爾公司(納斯達克股票代碼:INTC)之間的半導體合作伙伴關係可能會使兩家公司受益,但英偉達被視為此次合作中的明顯贏家。這一驗證可能會進一步加強英偉達在市場上的地位。
Beninga的邊緣排名將Nvidia的質量排名排在第93百分位,增長率排在第98百分位,反映出其在這兩個領域的強勁表現。請在此處查看詳細報告。
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