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2025-09-21 19:58
(來源:德邦證券研究)
核心觀點:
存儲行業市場空間大,周期屬性強。存儲芯片是半導體行業中是僅次於邏輯芯片的第二大細分領域。存儲芯片相比其他半導體品種周期性較強,以 2023-2024 年為例,2023 年存儲芯片市場規模為 923 億元,同比下滑 29%,2024 年市場規模為1655 億元,同比增長 79%。我們認為其周期性較強的主要原因分別是:1)技術段:產品標準化程度高,存儲器的代際標準一般以 JEDEC 固態技術協會標準為主,各家同代產品性能相差不大;2)供給端:存儲行業為寡頭市場,全球市場基本被3-5 家大廠壟斷。其中 DRAM 市場被三星、海力士、美光三家壟斷,25Q2 CR3 份額超過 90%;Nand Flash 市場主要供應商有三星、海力士、凱俠、美光、閃迪,25Q2 CR5 份額超過 90%;3)需求端:存儲的主要下游是手機、PC 等消費電子,這些行業本身就具有周期屬性。
存儲行業本輪受 AI 驅動,持續性可能更強。從 2016 年開始,存儲行業經歷了三輪周期。
1)2016-2019 年周期核心受益 DDR4 換代帶來的價格快速上漲,儘管手機、PC等消費電子產品銷量並無明顯增長,但手機遊戲等應用的火爆對硬件內的存儲性能提出了更高的要求,下游應用的需求推動 DDR4 滲透率大幅提升。原廠方面,2016 年存儲廠轉向 3D Nand Flash 擴產,加深了市場對於 DDR4 供給緊張的預期。同時 2016 年三星西安工廠停電等廠務因素也進一步推高存儲器價格。
2)2020-2023 年周期核心受益筆記本電腦/手機等消費電子產品需求。2020-2021年,隨着全球受到疫情影響,遠程辦公、線上網課等形式逐漸普遍,帶動筆記本電腦,手機銷量大幅增長,其中筆記本電腦出貨量在 2020 年大幅增長 27%。另外全球數據中心建設對服務器需求也有所提升,2020/2021 全球服務器出貨量分別增長 3.9%和 6.9%。2022-2023 年消費電子銷量有所下滑,存儲景氣度開始下行。
3)2024 年開啟的新周期核心受益 AI 基建帶來的需求增長。我們認為本輪存儲行業的上行周期,和 2016-2019 年、2020-2023 年有所不同,前兩輪周期本質更多依託消費端發力,而本輪存儲芯片的需求更多源自大型科技公司在 AI 時代的算力基建,持續性可能更強。
下游 AI 需求持續,大廠 Q3 指引積極。根據 TrendForce,25Q2 DRAM 產業整體營收為 316.3 億美元,季增 17.1%;Nand Flash 前五大品牌廠合計營收季增 22.0%,達 146.7 億美元,表現良好。綜合存儲大廠 Q2 營收情況,我們認為隨着 AI 服務器、數據中心等需求持續旺盛,存儲行業 Q3 仍將保持高景氣,其中 DRAM 的景氣度將高於 Nand Flash。另一方面,我們認為存儲行業后續也存在一些利空需要持續關注,例如各家對於 Q3 的價格指引並不積極,這可能對行業的毛利率造成一定影響。
風險提示:市場競爭風險;宏觀經濟風險;研發進度不及預期風險。
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01
行業特徵
市場空間大,周期屬性明顯
存儲芯片是半導體行業中第二大細分市場,根據半導體權威機構 WSTS 的數據,2024 年全球半導體市場為 6305 億美元,其中存儲芯片市場為 1655 億美元,佔整個半導體市場的 26%,是僅次於邏輯芯片的第二大細分領域。
存儲芯片相比其他半導體品種周期性較強,一般以 3-4 年為一個周期。以2023-2024 年為例,2023 年存儲芯片市場規模為 923 億元,同比下滑 29%,2024年市場規模為 1655 億元,同比增長 79%;相比之下 2023-2024 年半導體總體市場規模增速為-8%/20%。
同時,存儲廠商自身毛利率變動也非常明顯,以存儲大廠美光、海力士為例,兩家廠商 23Q1、23Q2 毛利均為負數,而 2025 年海力士毛利率修復到 50%以上,美光毛利率則接近 40%。
我們認為,存儲行業的強周期性主要有以下幾個原因:
1) 技術端:產品標準化程度高。存儲器的代際標準一般以 JEDEC 固態技術協會標準為主,核心指標包括電壓、傳輸頻率、存儲容量等。以 JEDEC最近發佈的 LPDDR6 標準為例,LPDDR6 採用雙子通道架構,可實現靈活的操作,同時保持 32 字節的小訪問粒度,同時採用比 LPDDR5 更低電壓、低功耗的 VDD2 電源供電。因此,各家存儲廠商同代產品性能差距不會特別大,使得存儲芯片具有一定大宗商品屬性。
2) 存儲行業為寡頭市場,全球市場基本被 3-5 家大廠壟斷。根據 TrendForce, DRAM 市場被三星、海力士、美光三家壟斷,25Q2 CR3 份額超過 90%;Nand Flash 市場主要供應商有三星、海力士、凱俠、美光、閃迪,25Q2 CR5 份額超過 90%。大廠的擴產或減產對整體行業影響較大。
3) 存儲的主要下游是手機、PC 等消費電子,這些行業本身就具有周期屬性,例如 2020-2021 年手機,筆記本電腦等銷量增長明顯,而 2022-2023 年間銷量有所下滑。
02
歷史覆盤
本輪受 AI 驅動,持續性可能更強
從 2016 年開始,存儲行業經歷了三輪周期。總體來看,我們認為 2016-2019年周期核心受益 DDR4 換代帶來的價格快速上漲;2020-2023 年周期核心受益筆記本電腦/手機等消費電子產品需求增長;2024 年開啟的新周期核心受益 AI 基建帶來的需求增長。
1)2016-2017 年,儘管手機、PC 等消費電子產品銷量並無明顯增長,但手機遊戲等應用的火爆對硬件內的存儲性能提出了更高的要求。以手機遊戲為例,根 據 CINNIC , 2016/2017 年 中 國 手 機 網 絡遊戲 用 户 分 別 增 長 26%/16% 至3.52/4.07 億人,手機遊戲對手機的處理器芯片和內存芯片提出更高的要求。同時,內存正在從 DDR3 時代過度到 DDR4 時代,下游應用的需求推動 DDR4 滲透率大幅提升。原廠方面,2016 年存儲廠轉向 3D Nand Flash 擴產,加深了市場對於DDR4 供給緊張的預期。同時 2016 年三星西安工廠停電等廠務因素也進一步推高存儲器價格。
2)2020-2021 年,隨着全球受到疫情影響,遠程辦公、線上網課等形式逐漸普遍,帶動筆記本電腦、手機銷量大幅增長,其中筆記本電腦出貨量在 2020 年大幅增長 27%。另外全球數據中心建設對服務器需求也有所提升,根據 IDC,2020/2021 全球服務器出貨量分別增長 3.9%和 6.9%。2022-2023 年消費電子銷量有所下滑,存儲景氣度開始下行。
3)2024 年開始,海內外大廠對 AI 服務器的需求增加了存儲芯片的出貨,同時高性能的 AI 服務器又需要 DDR5、HBM 等新一代內存芯片來釋放算力芯片的性能。根據弗若斯特沙利文的數據,DDR5 在服務器上的滲透率預計在 2025 年超過 85%;同時,根據 TrendForce,HBM 單價相較 DDR5 高大約 5 倍,HBM 芯片的大規模應用進一步打開了市場空間。WSTS 預計 25/26 年存儲芯片市場規模將繼續增長至 1848/2148 億美元,同比增長 12%/16%。
總體來看,我們認為本輪存儲行業的上行周期,和 2016-2019 年、2020-2023年有所不同,前兩輪周期本質更多依託消費端發力,而本輪存儲芯片的需求更多源自大型科技公司在 AI 時代的算力基建,持續性可能更強。后續應繼續關注原廠價格策略、產能利用率情況、市場現貨價格情況、HBM 芯片進展等。
另外,值得注意的是本輪周期中,國產玩家或已進入行業的「核心圈」。例如長江存儲第五代 3D TLC NAND 閃存的堆疊層數已達到 294 層,達到國際領先水平。隨着技術實現突破,國內存儲製造商正積極擴產,國產設備、材料等細分環節也有望充分受益。
03
展望后市
AI 需求持續,大廠 Q3 指引積極
根據 TrendForce,2025Q2 DRAM 產業因一般型 DRAM (Conventional DRAM)合約價上漲、出貨量顯著增長,加上 HBM 出貨規模擴張,整體營收為 316.3億美元,環比增長 17.1%。ASP 隨着 PC OEM、智能手機、CSP 業者的採購動能增温,加速 DRAM 原廠庫存去化,多數產品的合約價也因此止跌翻漲。
Nand Flash 方面,TrendForce 最新調查顯示 2025Q2 NAND Flash 產業雖面臨 ASP 小幅下滑,所幸原廠減產策略緩解供需失衡,疊加中、美兩大市場政策推動,整體出貨位元大幅成長,前五大品牌廠合計營收環比增長 22.0%,達 146.7億美元。
從頭部廠商情況來看,SK 海力士 25Q2 營收 22.2 萬億韓元,同比增長 35.4%,環比增長 26.0%,其中 1)DRAM 業務營收 17.1 萬億韓元,同比增長 57.9%,海力士表示 Q2 DRAM 業務的出貨位元環比增速在 15%~20%左右,ASP 低個位數增長,預計 Q3 DRAM 業務將保持中低個位數的環比增長,同時保持 HBM 全年銷量翻倍的預期;2)Nand Flash 業務營收 4.7 萬億韓元,同比下滑 9.8%,出貨位元環比增速超過 70%,ASP 有高個位數的下滑,預計 Q3 Nand Flash 業務環比增長比較有限。
綜合來看,海力士認為 25H1 需求增長強勁,定價條件也比較有利。鑑於穩定的客户庫存水位和需求增長,以及新產品發佈推動需求增長,25H2 需求大幅回調的可能性較低。
三星電子 25Q2 營收 74.6 萬億韓元,同比增長 0.7%,環比下滑 5.8%,其中存儲業務營收 21.2 萬億韓元,同比下滑 2.5%,環比增長 11.0%。三星表示 Q2 HBM3E 和 DDR5 產品出貨繼續增加以滿足服務器的需求,同時延迟的數據中心項目恢復導致服務器 SSD 銷售迅速增加。展望 25H2,三星表示受 AI 服務器需求增加,128G DDR5 以及 24G GDDR7 銷售會繼續增長。
美光 25Q2(25Q3 財年)營收 93 億美元,同比增長 36.6%,環比增長 15.5%,其中 1)DRAM 業務營收 71 億美元,同比增長 51%,環比增長 15%,出貨位元環比增長超過 20%,ASP 有中低個位數的環比下滑;2)Nand Flash 業務營收 22億美元,同比增長 4%,環比增長 16%,出貨位元環比增長 15%~20%,ASP 有高個位數的環比下滑。數據中心領域,美光預計 2025 年服務器市場出貨量將實現中個位數增長,這主要由人工智能服務器的顯著增長推動,同時自身 HBM3E 12H 產品的良率和產能提升進展極為順利,預計將在 25Q4(財年)實現出貨量的大幅增長。
展望后市,美光認為 2025 年 DRAM 行業位元需求增長將達到高 15%-20%,NAND 行業位元需求增長為 10%~15%區間。公司預計 25Q3 營收 104~110 億美元,中值同比增長 38.1%,中值環比增長 15.0%。
綜合以上大廠營收情況,我們認為隨着 AI 服務器、數據中心等需求持續旺盛,存儲行業 Q3 仍將保持高景氣,其中 DRAM 的景氣度將高於 Nand Flash,主要原因在於 DRAM 和 AI 產業鏈綁定更加緊密,DDR5 以及 HBM 需求量大同時單價更高。另一方面,我們認為存儲行業后續也存在一些利空需要持續關注,例如存儲位元需求預計仍將保持增長,但是各家對於 Q3 的價格指引並不積極,這可能對行業的毛利率造成一定影響。
市場競爭風險;宏觀經濟風險;研發進度不及預期風險
外發研報:《存儲芯片:周期屬性凸顯,AI 基建打開新空間》
外發時間:20250919
分析師:
程強S0120524010005
陳夢潔S0120524030002