閃迪、美光超預期漲價：存儲模組供應格局梳理

（來源：伏白的交易筆記）

前言：繼閃迪宣佈將NAND產品價格上調10%之后，美光近日向渠道通知，存儲產品即將上漲20%-30%，所有產品暫停報價。

一. 存儲概覽

半導體存儲器是用來存儲和讀取數據的記憶部件，按斷電后數據是否保存，分為易失性存儲（RAM）、非易失性存儲（ROM）兩大類。

1.1 易失性存儲（RAM）

特點：依賴持續供電，斷電數據丟失，核心優勢是讀寫速度快，適配臨時數據存儲與高速計算支持。

（1）SRAM（靜態隨機存儲器）：無需周期性刷新、密度低、讀寫速度極快，主要用於CPU高速緩存。

（2）DRAM （動態隨機存儲器）：需周期性刷新、密度高、速度中等，主要用於PC/服務器/手機主內存。

1.2 非易失性存儲（ROM）

特點：斷電后數據保留，讀寫速度較慢，適配長期數據存儲場景

（1）NAND Flash（NAND閃存）：存儲密度高，主要用於固態硬盤、嵌入式等大容量存儲。

（2）NOR Flash（NOR閃存）：隨機讀取速度快，適合代碼執行，常用於存儲代碼。

二. 存儲兩大細分產品

DRAM、NAND Flash是存儲領域主要產品，市場合計佔比97%。

2.1 DRAM分類

（1）標準DDR：高帶寬、中等功耗；作為計算機主存，用於PC、服務器；

（2）移動DDR（LPDDR）：低功耗、小尺寸；用於手機、平板。

（3）圖形DDR（GDDR/HBM）：極高帶寬、高功耗；GDDR用於顯卡顯存，HBM（高帶寬內存）用於AI訓練/推理。

2.2 NAND Flash分類

（1）固態硬盤（SSD）：容量大，讀寫速度快，主要用於PC、服務器。

（2）嵌入式存儲：體積小、功耗低，主要用於汽車電子、物聯網設備、手機、平板。

（3）移動存儲：便攜可插拔，主要用於U盤、移動硬盤、 SD卡。

三. 產業各環節梳理

3.1 存儲芯片設計

（1）內存（DRAM）：兆易創新、北京君正、瀾起科技。

（2）閃存（NAND/NOR Flash）：東芯股份、普冉股份、聚辰股份。

3.2 存儲模組

存儲模組是整合存儲芯片、主控芯片、PCB及接口部件的功能單元，並通過標準化接口被設備識別和使用，滿足相應存儲場景。

接口標準及產品：DDR（DRAM內存）、PCle（固態硬盤）、USB（移動存儲）、eMMC（嵌入式存儲）。

（1）海外：三星、鎧俠、SK海力士、西部數據、金士頓、閃迪。

（2）國內：江波龍、佰維存儲、香農芯創、德明利、協創數據、開普雲（金泰克）。