SK海力士稱已準備好HBM4芯片生產，力求保持對競爭對手的領先優勢

　　SK 海力士於周五表示，其下一代高帶寬內存 4（HBM4）芯片已完成內部認證流程，併爲客户搭建了生產體系，力求保持對競爭對手的領先優勢。

　　這家韓國芯片製造商是人工智能巨頭英偉達的核心供應商。今年 3 月，SK 海力士曾透露已向客户交付 12 層堆疊的 HBM4 芯片樣品，並表示計劃在今年下半年完成 12 層 HBM4 產品的量產準備工作。

　　HBM（高帶寬內存）是 2013 年首次推出的一種動態隨機存取存儲器（DRAM）標準，通過芯片垂直堆疊的方式節省空間、降低功耗，助力處理複雜人工智能應用產生的海量數據。

　　美利證券（Meritz Securities）高級分析師金宣宇（Kim Sunwoo）預測，得益於向核心客户提前供應 HBM4 芯片並由此獲得先發優勢，2026 年 SK 海力士在 HBM 市場的份額將維持在 60% 出頭的水平（今年其市場份額為 66%）。

　　目前，SK 海力士是英偉達的主要 HBM 供應商，三星電子（Samsung Electronics）和美光科技（Micron）也為英偉達供應 HBM 芯片，但供應量相對較少。

　　受 SK 海力士 HBM4 芯片生產計劃的利好影響，該公司股價收盤創歷史新高，上漲 7%，收於 32.85 萬韓元（約合 236.71 美元），漲幅遠超韓國綜合股價指數（KOSPI）1.5% 的漲幅；三星電子股價收盤上漲 2.7%。

　　NH 投資證券（NH Investment & Securities）高級分析師柳英浩（Ryu Young-ho）表示：「目前在 HBM 領域的競爭中，三星電子一直處於落后地位，但該公司正試圖縮小差距 ——SK 海力士的 HBM4 芯片採用 1b 納米制程，而三星計劃採用更先進的 1c 納米制程。」

　　柳英浩補充稱，三星在 HBM 領域的過往表現相對遜色，此次轉向更先進的製程，表明其正加大力度追趕競爭對手。

　　三星電子曾在 7 月表示，已向客户提供 HBM4 芯片樣品，並計劃於明年開始供貨。

　　SK 海力士一位高管上月在接受路透社採訪時透露，由於 SK 海力士與美光、三星等競爭對手在下一代 HBM4 芯片的製造技術上發生了變化，他們的產品中均包含一個 「客户定製化邏輯芯片」（又稱 「基底芯片」），該芯片用於管理內存。

　　這意味着，如今已無法用一款幾乎相同的芯片或產品輕易替代競爭對手的內存產品。

　　今年以來，SK 海力士股價累計上漲 88.9%，遠超韓國綜合股價指數 41.5% 的漲幅；同期三星電子股價上漲 41.7%，在納斯達克上市的美光科技股價上漲 78.9%。