DB HiTek專屬氮化鎵多項目晶圓項目計劃10月底推出

8英寸特色晶圓代工廠DB HiTek宣佈，其下一代功率半導體平臺--650V增強型氮化鎵高電子遷移率晶體管(GaN HEMT)工藝開發已進入最終階段。該公司還將於10月底推出專屬氮化鎵多項目晶圓(MPW)項目。此后，DB HiTek計劃在2026年底前推出200V氮化鎵工藝及針對集成電路優化的650V氮化鎵工藝。為支持這些舉措，DB HiTek正在擴建位於韓國忠清北道的Fab2潔淨室設施。此次擴建預計每月新增約3.5萬片8英寸晶圓產能。（美通社）