HBM 4，三星孤注一擲

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來源：內容編譯自chosun。

據報道，三星電子正在加速建設位於平澤的第五家工廠。

據業界7日消息，三星電子平澤第五工廠的施工準備工作已啟動，工人們正在現場搬運鋼結構並接受安全培訓。據悉，該工廠計劃最早於下個月全面開工。

三星電子原本計劃去年啟動第五工廠的建設，但由於半導體業績不佳、內存訂單不足，該公司調整了設備投資時機，放慢了建設步伐。

三星電子平澤工廠佔地289萬平方米，是全球最大的半導體生產基地。工廠共有六處廠房。自2017年第一家工廠投入運營以來，第四家工廠的部分廠房目前已投入運營。

去年隨第五工廠一起延期的第四工廠剩余生產線也正在準備復工，預計下個月開始垂直鋼結構安裝。

第五工廠將配備一條10納米第六代（1c）DRAM生產線。三星電子計劃採用1c工藝批量生產用於第六代產品HBM4的DRAM。

三星電子近期已通過HBM4的內部量產審批，並正在準備進行樣品生產，以便與客户進行供貨談判。

三星HBM戰略轉變

三星電子正積極推進高帶寬存儲器（HBM）市場的重大轉型。他們似乎正在發起大規模生產攻勢，以便及時完成下一代產品的質量認證（資質測試）。在董事長李在鎔的支持下，三星電子副董事長全永鉉正為這一舉措投入全部精力。所有人的目光都集中在三星電子能否重奪其存儲器霸主地位上。

據業內人士3日透露，三星電子正在量產其第六代HBM （HBM4）樣品，據報道產量約為 10,000片晶圓。對於樣品生產量而言，這是一個異常高的產量。

據信，產量過高是由於良品率（成品中良品率）尚未達到高水平。三星電子的 HBM4 核心芯片（單片 DRAM）採用了 10nm級第六代（1c） DRAM。 SK海力士和美光與其第五代HBM（HBM3E）一樣，採用10nm級第五代（1b） DRAM。

雖然1b DRAM已經實現商業化，但1cDRAM尚未完全成熟。因此，基於1c DRAM生產HBM4的三星電子與競爭對手相比處於劣勢。儘管如此，三星電子還是利用其卓越的極紫外（EUV）工藝和壓倒性的產能，搶先採用了下一代DRAM。

最終，三星電子正在生產HBM4樣品，即使這意味着要過分努力，以彌補其成熟度的不足。這是在與SK海力士和美光相比不可避免的初始產量較低的情況下制定的戰略舉措。誠然，三星電子在HBM市場仍然落后，其未能通過HBM3E質量測試就是明證。幸運的是，HBM3E被視為HBM4之前的墊腳石。普遍的觀點是，真正的遊戲將在 HBM4上展開。

三星電子計劃儘可能多地獲取高質量HBM4芯片，以便與競爭對手同步進入NVIDIA的供應鏈。SK海力士已於3月向NVIDIA交付了HBM4樣品，美光則於6月交付。三星電子預計將於7月左右出貨，如果能瞄準第一季度，則有望取得幾乎相同的開局。

除了積極爭取樣品外，三星電子還宣佈了一項突破性的定價政策。即使不計核心芯片，HBM4的生產成本也會顯著增加，這是因為HBM4需要外包基礎芯片（邏輯芯片）、減少淨芯片數量（每片晶圓的生產量）以及增加輸入/輸出（1/0）端子。

業內人士估計，12層HBM4的價格將比12層HBM3E高出60-70%。據報道，領頭羊SK海力士正在尋求至少30-40%的單價溢價。

問題在於NVIDIA想要更低的價格。雖然NVIDIA下一代人工智能 （AI）半導體Rubin的開發延迟起了一定作用，但與SK海力士就HBM4進行談判的真正原因是價格分歧。這是NVIDIA爲了奪取談判主導權而採取的舉措，NVIDIA正在考慮美光和三星電子等替代方案。

三星電子更注重的是站穩腳跟，而不是盈利。據瞭解，三星電子正在考慮低於20%的溢價，幾乎沒有留下任何利潤空間。

一位半導體業內人士解釋説：「前任負責半導體部門的副會長現在兼任內存業務負責人，這使得快速而大膽的決策成為可能。據我瞭解，李健熙會長也會敦促‘（HBM業務）不要在手段上挑剔’。這就是三星電子能夠容忍極端單價的原因。」

此外，李健熙會長最近在美國出差期間會見了NVIDIA CEO黃仁勛。兩人擁抱的場景引起了全球關注。李健熙會長當時的積極態度被認為體現了他對HBM合作的決心。

一些人認為，三星電子的激進舉動令人想起了過去的「膽小鬼博弈」。在內存市場低迷時期，三星電子曾通過激烈競爭來捍衞其在內存市場的地位，並擊敗了來自日本和臺灣的競爭對手。如今，所有人都在關注着擁有雄厚財力和產能優勢的三星電子是否會重演這場「膽小鬼博弈」。

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