SK海力士引入High NA EUV設備

SK海力士公司（SK hynix Inc.）宣佈，已將業界首款量產型高數值孔徑極紫外光刻機（High NA EUV）引進韓國利川M16工廠。自2021年首次將極紫外光刻技術應用於第四代10納米工藝（1anm）以來，SK海力士持續擴大該技術在尖端DRAM量產中的應用範圍。作為阿斯麥（ASML）高數值孔徑EUV產品線的首款量產機型，TWINSCAN EXE:5200B可實現比現有EUV系統小1.7倍的晶體管刻蝕，並使晶體管密度提升2.9倍。其數值孔徑從0.33提升至0.55，性能提升達40%。（美通社）