高盛報告稱中國光刻機技術落后國際20年，7nm芯片依賴舊設備

9月2日消息，據外資投行高盛最新發布的研究報告稱，雖然中國近年來在半導體領域發展迅速，但是在半導體制造關鍵環節的光刻機研發上仍存在瓶頸，而中國國產光刻機目前仍停留在65納米，至少落后國際大廠20年的時間。

目前製造5nm及以下更先進製程的芯片需要依靠極紫外光（EUV）光刻機，而埃米級製程則需要用到更先進的高數值孔徑（High NA）EUV光刻機，目前這些最先進的光刻機只有荷蘭公司 ASML能夠製造。但由於ASML的這些光刻機仍依賴於美國原產的關鍵零部件，這也使得美國政府能夠限制它們對中國的銷售。

美國和荷蘭政府的禁令對中國科技產業造成了深遠影響，這也使得中國本土的晶圓製造商難以獲取先進的光刻機，先進製程的芯片製造水平目前仍停留在7nm級別。

高盛在報告中指出，即便中芯國際能生產出7nm製程的芯片，但是這些7nm芯片極有可能還是通過ASML較舊的深紫外光（DUV）光刻機來生產製造，因為中國目前尚不具備製造這類先進光刻機的能力，因為這些設備的核心零組件主要來自全球供應商，尤其是美國和歐洲的供應商。

光刻技術是在晶圓上構建精細電路的關鍵，這也使其成為芯片製造流程中的決定性瓶頸。 目前，全球領先的芯片製造商如臺積電正利用ASML的光刻機大規模生產3nm芯片，並即將量產2nm芯片。 而中國國產的光刻機的技術水平仍停留在相對陳舊的65nm製程。

高盛的報告還引述了公開數據強調，ASML爲了從65nm技術躍升至低於3nm的光刻能力，經過了二十年的時間，並投入了高達400億美元的研發與資本支出。 綜合考量中國當前技術水平與所需龐大投入，以及全球供應鏈的複雜依賴性，高盛認為中國光刻機廠商在短期內趕上西方先進技術的可能性較小。 這無疑為中國在高端芯片領域達成自給自足的願望，設下了巨大的障礙。

編輯：芯智訊-浪客劍