臺積電150億美元加碼2nm/1.4nm製程，中科二廠加速擴產鞏固領先地位

（來源：電子創新網）

臺積電逾150億美元押注GAA技術 中科二廠成先進製程關鍵佈局

全球半導體先進製程競賽持續升溫。臺積電近日在2nm及1.4nm技術研發與產能建設上連續取得重要進展，進一步鞏固了其在晶圓製造領域的領先優勢。

2nm製程：150億美元的技術躍遷

在2nm（N2）製程技術上，臺積電投入研發資金超過150億美元，成功完成了從FinFET向GAA（全環繞柵極）架構的技術轉型。通過採用納米片堆疊結構，新架構顯著增強了柵極控制能力，使驅動電流密度提升18%，在相同性能表現下可實現更低的功耗水平。

工藝性能方面，N2製程的晶體管密度達到每平方毫米1.1億個，相較於3nm製程提升37.5%。同時，混合鍵合技術的引入使得芯片間數據傳輸速率提升至112Gbps，延迟降低50%，更好地滿足了AI訓練芯片和高端GPU對高速互聯的需求。

在產能規劃上，臺積電計劃於今年第四季度在新竹和高雄的四座晶圓廠啟動2nm製程量產。據悉，蘋果、AMD和高通等六家客户已確認採用該工藝，預計到2027年，採用該製程的客户數量將超過十家。

1.4nm佈局：中科二廠加速推進

在更先進的1.4nm（A14）節點佈局上，臺積電正通過中科二廠（Fab 25）加速推進。該廠區建設預計9月底完成水土工程，10月進入正式建設階段，總投資額約1.2-1.5兆新臺幣（約286-358億美元）。按照規劃，首座晶圓廠將於2027年進行風險試產，2028年下半年實現量產，初期月產能規劃爲5萬片晶圓。

A14工藝相較於2nm製程將進一步優化性能功耗比：在相同功耗下性能提升15%，相同性能下功耗降低30%，邏輯密度增加20%。這些技術提升將為下一代移動設備和數據中心提供更強大的算力支持。

競爭格局：臺積電優勢持續擴大

從行業競爭態勢來看，臺積電在先進製程領域的領先優勢持續擴大。三星雖然同樣採用GAA架構，但其2nm製程良率據稱為60%左右，且已將1.4nm量產時間推迟至2029年。英特爾則可能將1.4nm製程轉向客户定製模式，具體量產時間尚未明確。

臺積電通過提前佈局2nm和1.4nm產線，正在構建更加穩固的產能體系。中科二廠區還規劃了設備商和IC設計企業入駐空間，預計將形成產業集羣效應，進一步增強其產業生態優勢。

隨着人工智能、自動駕駛等新興技術對算力需求的持續增長，先進製程技術已成為全球半導體產業競爭的核心領域。臺積電在技術研發和產能建設上的持續投入，正在深刻影響全球芯片製造產業的格局演變。