臺積電、三星邁入2nm爭奪

（來源：廣東省半導體行業協會）

半導體行業正邁入2納米（nm）工藝製程的全新紀元。臺積電、三星兩大芯片代工巨頭的的競爭亦將更加激烈。

近期，據外媒報道稱，臺積電已將其2nm工藝的生產價格定為3萬美元，並制定了無「折扣」供貨的政策。

作為行業領導者，臺積電（TSMC）的2nm工藝（N2）已進入量產前的最后衝刺階段，其每片晶圓高達3萬美元的報價和約60%的初始良率，引發了市場的高度關注。而對於SRAM來説，良率據說可以達到90%以上，這一水平對於量產來説沒有任何困難。

臺積電初始產能為每月3萬至3.5萬片晶圓，並計劃在2026年在四個工廠建立每月可生產6萬片晶圓的系統。

臺積電的N2工藝是其首個採用 全環繞柵極（Gate-All-Around, GAA）納米片晶體管（Nanosheet Transistor） 架構的製程節點 。這一從FinFET到GAA的結構性轉變，旨在解決7nm以來日益嚴重的電流泄漏問題，從而實現更佳的性能與能效。

與前代N3E工藝相比，N2工藝在同等功耗下，性能可提升10%至15%；或在同等速度下，功耗可降低25%至30% 。

在密度方面，N2工藝的整體晶體管密度相較於N3E提升了約15% 。更具指標性意義的是，根據第三方機構TechInsights的分析，臺積電N2工藝的高密度（HD）標準單元晶體管密度達到了驚人的 每平方毫米3.13億個（313 MTr/mm²）。這一數據顯著領先於競爭對手，是其技術實力的重要體現。

臺積電為N2工藝設定的成熟良率目標為75%至80% 。預計在2026年進入大規模生產后，良率將持續優化並逼近這一目標。

在市場策略方面，臺積電主要針對高端AI和高性能計算（HPC）市場，其最先進的2納米制程晶圓價格定為每片3萬美元，並對所有客户實施統一高價政策，較當前的3納米工藝售價高出約50%至66%。

在臺積電穩步推進的同時，三星作為全球唯一能在最先進製程上與之抗衡的對手，正傾盡全力推進其2nm GAA工藝，意圖實現「彎道超車」。

在2nm這一芯片工藝節點上，臺積電將以更高的良率再佔市場先機，但三星則以更低的價格獲取客户。目前臺積電藉助技術和產能優勢，推動高端市場「高價聯盟」戰略，目標客户鎖定蘋果、英偉達、AMD 等 AI 和高性能計算領域的行業龍頭。而三星最近也拿下165億美元特斯拉AI芯片大單。

不過，三星2nm節點仍然是一個大問題。據韓國媒體報道，三星2nm工藝的試產良率接近40%，仍未達到大規模量產要求。

對三星而言，2nm節點是一場不容有失的戰役。如果不能在未來1-2年內迅速解決良率問題，並拿出有足夠競爭力的產品，其與臺積電在技術上的差距將被進一步拉大，可能導致其在高端晶圓代工市場被徹底邊緣化。

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