搭上英偉達 英諾賽科站上資本「風口」？

8 月1日，英諾賽科（02577.HK）突然放量拉昇，股價一路飆升至57.6港元/股，單日漲幅高達30.91%，成交42.38億港元。隨后五個交易日，市場情緒持續發酵。截至8月7日收盤，英諾賽科報66.3港元/股，總市值592.99億港元，五個交易日累計漲幅高達50.68%，成為近期港股半導體板塊最熱門的標的。

二級市場火爆的背后與英偉達不無關係。近期，在AI數據中心800 VDC供電架構合作名單中，英諾賽科成為唯一入選的中國芯片公司，與英飛凌、納微半導體等國際巨頭並列。

英諾賽科公告稱，將用第三代GaN（氮化鎵）器件為英偉達新一代800 VDC供電架構提供全鏈路電源解決方案，從而推動AI數據中心從千瓦級躍升到兆瓦級。而在股價飆漲前一周，英諾賽科剛剛完成5.4億港元配售以支持產品迭代。多重消息疊加，讓資金蜂擁而至。

在第三代半導體賽道，GaN被視作繼硅、碳化硅之后的新戰場。國內數據中心相關人士告訴筆者，從技術來看，800 VDC+GaN是目前國內最好的水平。隨着大模型參數規模指數級增長，AI算力需求激增，傳統數據中心供電架構已無法滿足需求。800 VDC即800伏直流電壓，GaN作為第三代半導體材料，具備高電子遷移率、高耐壓、低導通損耗的特性，特別適合高頻、高壓應用。二者組合能夠降低數據中心的電能損耗、散熱需求等。

具體到英諾賽科，其主要佈局8英寸GaN晶圓。目前，全球主流產線仍為6英寸，英諾賽科是唯一一家可量產8英寸GaN晶圓的企業，且具備從設計、製造，到封測一體化的能力。根據此前招股書披露，截至2024年6月30日，蘇州英諾賽科半導體生產基地已成為全球最大的8英寸硅基氮化鎵晶圓製造廠。另據公開報道，英諾賽科仍在擴產。英諾賽科曾計劃將當前每月13000片的產能提升至2025年底的20000片，長遠目標是未來五年內將月產能進一步擴大至70000片。

從市場需求來看，英諾賽科的產品不僅能夠應用在數據中心，還可用於消費電子、新能源車等領域。結合招股書及2024年財報數據，目前，英諾賽科呈營收連年增長，虧損逐步收窄的趨勢。

數據顯示，2022年、2023年、2024年，英諾賽科總營收分別為1.36億、5.93億、8.28億元，同期淨虧損為22.05億、11.02億、10.46億元。其中，2024年，英諾賽科車規芯片交付量同比增長986.7%，AI及數據中心芯片交付量同比增長669.8%。

然而，市場潛力逐步顯現的同時，專利戰卻愈演愈烈。從英偉達名單來看，同樣佈局800VDC GaN領域的還有英飛凌和納微半導體。其中，英飛凌曾在美國、德國向英諾賽科發起侵權訴訟。

根據英諾賽科招股書顯示，英飛凌分別於2024年3月、6月、7月，在美國加州北區地方法院、慕尼黑第一地區法院及美國加州北區地方法院起訴英諾賽科，指控其侵犯四項氮化鎵專利。彼時，英諾賽科認為勝訴概率高，且潛在經濟損失極小。

8月1日，德國慕尼黑地方法院就英飛凌科控告英諾賽科關於GaN技術專利侵權的一審判決中判定英飛凌勝訴。這意味着，英諾賽科將被禁止在德國製造、銷售相關產品，並需支付賠償。不過，這一市場格局正在發生變化。公開報道顯示，2025年二季度，英諾賽科被新授予的GaN專利數量佔比達3%，與西安電子科技大學並列全球第一，而英飛凌同期有大量專利到期失效。

對於由專利戰的影響以及未來佈局，筆者聯繫英飛賽科方面，截至發稿時，對方尚未迴應。

值得一提的是，除了專利，臺積電的關廠消息也直接利好英諾賽科。富瑞發佈最新報告顯示，臺積電2026年關閉氮化鎵代工產能會把同爲英偉達供貨商的納微推向缺貨風險，而擁有自建8英寸晶圓廠的英諾賽科反而因此受益。

據富瑞估算，AI服務器氮化鎵市場2027年起每年至少15-25億美元，若英諾賽科拿下50%份額，上周五股價大漲只折算了5倍PE的潛在利潤，未來還有巨大上漲空間，但短期也可能繼續獲利回吐。