臺積電2納米技術外泄日企 3人被羈押

中新社臺北8月6日電 日媒《日經亞洲》5日報道，臺積電內部爆出核心技術外泄事件，臺積電前員工涉嫌違規取得2納米制程技術機密，泄露給東京威力科創員工。臺灣「高檢署」證實，相關涉案人員涉嫌非法取得營業祕密，已向法院聲押禁見臺積電前員工陳姓男子等3人獲准。

綜合《工商時報》《經濟日報》等臺媒報道，此次事件涉案人數高達9人，橫跨臺積電研發與生產線部門。其中一名臺積電跳槽至日本東京威力科創的工程師聯合2名臺積電在職工程師，疑似利用遠端連線進入研發內網，使用個人手機或電子裝置拍攝上千張照片，竊取技術機密。

據悉，東京威力科創為臺積電重要的設備供應商之一。截至目前，該公司未就此事做任何評論。其母公司TOKYO ELECTRON股價受到衝擊，一度下跌逾4%。

臺積電5日迴應稱，近期在常規的監控情況下偵測到違規行為，經內部調查發現涉及營業祕密泄露情況。由於公司建立全面及完備的監控機制，得以及早發現，已對涉事違規人員進行嚴厲懲處，並已採取相關法律行動，此案現已進入司法程序。

島內半導體業者指出，2納米制程開發難度、投入成本極高，是現階段全球最先進的晶片製造工藝，一旦外泄，或將改變全球晶片製程競爭格局。目前全球僅有臺積電、三星、英特爾與日本Rapidus等少數企業仍持續研發，臺積電預計最快將於2025年底前量產2納米晶片。

專家分析，先進製程採取高度分工與模組化設計，單一站點資料難以複製整體制程，但若涉案者具備研發背景，並掌握2納米良率調校的關鍵參數與製程條件，就可能大幅縮短競爭對手的追趕時程，尤其對韓國三星、日本Rapidus等正積極發展2納米的廠商而言，將成為重大突破口。

臺積電2納米技術泄密疑雲爆發之際，恰逢美國將宣佈依《1962年貿易擴展法》第232條款，對進口半導體啟動國家安全調查。美國總統特朗普5日接受CNBC專訪時表示，臺積電將投資美國3000億美元。臺灣有專家指出，泄密案發生時間點敏感，潛藏政治與經濟層面的多重風險。(完)