英諾賽科迴應與英偉達合作細節 股價一度漲超60%后大幅收窄

財聯社8月1日訊（編輯 馮軼）受被納入英偉達800V架構合作名單利好刺激，今日在港上市的國內氮化鎵龍頭企業英諾賽科(02577.HK)盤中一度拉漲逾60%，股價刷新上市以來新高，引發市場關注。

不過，據媒體最新報道，英諾賽科對合作細節迴應稱，與英偉達的合作已有一段時間，公司主要憑藉大功率氮化鎵技術入圍。不過，目前合作尚處於測試階段，暫未產生實質性訂單。因公司正處於半年報發佈階段，不便對此次合作前景與影響作出迴應。

截至發稿，英諾賽科漲幅已收窄至35%左右，全天振幅達65%，總成交近40億港元。

此外，需要指出的是，英諾賽科與英偉達的合作已早在今年5月就有所披露。

據英偉達官網，一篇2025年5月20日發佈的與800V架構相關的技術博客中，提到了該方案的半導體供應商。除英諾賽科外，還包括英飛凌、德州儀器、瑞薩電子等行業領軍企業。

來源：英偉達官網

但有意的是，該博客的中文版本在供應商名單中並未提到英諾賽科，也或與雙方合作尚處於測試階段有關。

實際上，早在今年5月20該博客發佈后，就引發了資本市場對氮化鎵概念的關注。

其中所披露另一家半導體供應商，納微半導體(Navitas)當時主動官宣了與英偉達合作開發下一代800V高壓直流(HVDC)架構，為包括Rubin Ultra在內的GPU提供支持的"Kyber"機架級系統供電，而英諾賽科方面則並未披露相關信息。

消息公佈后，納微半導體股價曾一度單日大漲近200%，截至目前已較合作信息披露前上漲超過3倍。此外，另一家被英偉達披露的供應商安森美股價此后也走出了接近翻倍行情。

行業層面，目前氮化鎵功率半導體市場受AI算力、新能源汽車等下游需求帶動，正處於高速擴容期。

2023年全球GaN功率半導體市場規模約18億元，僅佔功率半導體整體市場的0.5%。據弗若斯特沙利文預測，2024-2028年GaN功率半導體市場規模年複合增速將達98%，2028年全球規模或突破500億元，佔功率半導體份額躍升至10.1%，十年內市場實現超二十倍擴容。

據弗若斯特沙利文數據，2023年前五大氮化鎵半導體廠商合計佔據全球92.8%的市場份額。儘管歐美廠商具有技術先發優勢，但英諾賽科后來居上。

華創證券研究顯示，英諾賽科是全球首家實現8英寸氮化鎵晶圓量產的IDM廠商，專注於GaN功率器件研發、製造與銷售。公司聚焦15V-900V全電壓產品線，覆蓋消費電子、數據中心、新能源車及工業電源等核心場景，2023年以42.4%市佔率位居全球GaN分立器件出貨量第一。