股價暴漲！英諾賽科成英偉達800V架構唯一中國供應商

（來源：第三代半導體產業）

8月1日，英偉達官網更新800V直流電源架構合作商名錄，中國氮化鎵龍頭企業英諾賽科上榜，將為英偉達Kyber機架系統提供全鏈路氮化鎵電源解決方案，這也是名單中唯一的中國供應商。該消息直接推動英諾賽科8月1日港股股價一度暴漲近64%！

據悉，英偉達與英諾賽科 此次合作將推動800V直流（800 VDC）電源架構在AI數據中心的規模化應用，並將單機房算力密度將提升10倍以上，助力單機櫃功率密度突破300kW，推動全球AI數據中心正式邁入兆瓦級供電時代。

業界認為，英偉達選擇英諾賽科作為其核心合作伙伴，主要看中后者具備的從襯底、外延、芯片設計到封裝測試的IDM全鏈優勢，擁有「技術+產能+服務」綜合實力。

資料顯示，英諾賽科專注於氮化鎵研發與製造，擁有全球最大的氮化鎵功率半導體生產基地，產品覆蓋氮化鎵晶圓、氮化鎵分立器件、合封芯片、模組等，可廣泛應用於消費與家電、數據中心、汽車電子、新能源與工業等領域。

英諾賽科堅定推行IDM（設計-製造-封測一體化）模式，戰略重心聚焦8英寸GaN產線的工程化成熟度。資料顯示，英諾賽科自主研發的8英寸GaN-on-Si量產線，良率達95%以上，推動成本下降40%，是目前業界最先進的生產線之一，產能居行業首位。

今年7月，媒體報道英諾賽科正加速其8英寸氮化鎵晶圓 產能的擴張。公司計劃將當前每月13000片的產能提升至2025年底的20000片。長遠目標是未來五年內將月產能進一步擴大至70000片。

技術方面，英諾賽科第三代GaN器件高頻效率達98.5%，支持15V-1200V全電壓場景。此外，英諾賽科還提供高壓/中壓/低壓三級DC-DC轉換架構，系統性提升整體轉換效率，實現從電網到GPU的端到端的高效傳輸。

值得一提的是，在今年5月21日臺北電腦展期間，英偉達就宣佈成立一個供應商聯盟，為數據中心提供 800V 高壓直流供電（HVDC） 。這被認為是從 2027 年開始支持 1 MW 功率服務器機架的關鍵步驟。

目前該供應商聯盟包括：英飛凌（Infineon）、MPS、Navitas、羅姆（Rohm）、意法半導體（STMicroelectronics）和德州儀器（Texas Instruments）等芯片廠商，Delta、Flex Power、Lead Wealth、LiteOn 和 Megmeet  功率模塊廠商，以及 Eaton、Schneider Electric 和 Vertiv 等電源系統廠商。

同日，美國功率器件大廠納微半導體（Navitas Semiconductor）宣佈，與英偉達就其下一代 800V 高壓直流供電架構展開合作，以支持為其 GPU（例如 Rubin Ultra）供電的「Kyber」機架級系統，該系統將由Navitas的GaNFast™ 和 GeneSiC™ 功率技術支持。當時，受該消息影響，Navitas美股股價也一度暴漲164%。

目前，AI 數據中心的配電涉及多次電壓轉換，隨着 AI 的計算需求導致功率需求增加，這會導致效率低下和複雜性增加。

今天的 54Vdc 機架已達到 200kW 的功率極限。Nvidia GB200 NVL72 和 GB300 NVL72 機架具有多達 8 個電源架，可為計算和交換機架供電。使用相同的 54 V DC 配電意味着一個 MW 機架的電源架將佔用高達 64 U 的機架空間。另一種方法是為每個計算機機架使用專用的電源機架，這會佔用數據中心的寶貴空間。

NVIDIA 800 V HVDC 架構通過使用工業級整流器在數據中心周邊將 13.8 kV 高壓交流電網電力直接轉換為 800 V HVDC，這消除了大多數中間轉換步驟，以及許多 AC/DC 和 DC/DC 轉換過程中的相關能量損失，端到端電源效率提高了5%。

HVDC 架構還顯著減少了電源鏈中所需的帶風扇的電源單元（PSU）數量，從而提高了系統可靠性、降低了散熱、減少了組件數量並提高了能源效率。由於冷卻是 AI 數據中心能源預算的重要組成部分，因此減少散熱會對設備和能源成本產生重大影響。由於電源裝置故障的減少，維護成本也可以降低高達 70%。

在配電中使用 800 V 母線槽並從 415 V AC 切換到 800 V DC，可以通過相同尺寸的導體傳輸 85% 的功率，因為更高的電壓降低了電流需求並降低了電阻損耗。電流較低時，較細的導體可以處理相同的負載。這減少了 45% 的銅需求，並消除了交流電特定的低效率，包括集膚效應和無功功率損失。

「英偉達不僅在構建更快的 GPU，而且還重新設計了整個電源堆棧，以釋放 AI 的全部潛力，」英偉達核心技術傑出工程師 Mathias Blake 説。

來源：芯智訊、集邦化合物半導體等