盛美上海宣佈對其用於先進芯片製造領域的Ultra C wb濕法清洗設備進行重大升...

盛美上海

用於先進芯片製造領域的

Ultra C wb濕法清洗設備

重大升級

專利申請中的氮氣鼓泡技術，

顯著提升了濕法刻蝕均勻性以及清洗性能。

盛美半導體設備（上海）股份有限公司（以下簡稱「盛美上海」）（科創板股票代碼：688082），作為一家為半導體前道和先進晶圓級封裝應用提供晶圓工藝解決方案的卓越供應商，今日宣佈對其Ultra C wb濕法清洗設備進行了重大升級。此次全新升級旨在滿足先進節點製造工藝的苛刻技術要求。

升級后的Ultra C wb採用了專利申請中的氮氣（N2）鼓泡技術，有效解決了濕法刻蝕均勻性差和副產物二次沉積問題。在先進節點製造工藝中，這些問題常見於高深寬比溝槽和通孔結構的傳統磷酸濕法清洗工藝。氮氣鼓泡技術不但提升了磷酸傳輸效率，而且提高了濕法刻蝕槽內温度、濃度和流速的均勻性。濕法刻蝕過程中質量傳遞效率的提高可防止副產物在晶圓微結構內積聚，從而避免二次沉積。這項技術在500層以上的3D NAND，3D DRAM，3D 邏輯器件中有巨大的應用前景。

盛美上海總經理王堅表示：  

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性能提升始終是首要的追求，通過專利申請中的集成氮氣鼓泡技術，盛美提升了Ultra C wb設備的工藝性能。批式處理工藝始終是濕法加工領域的關鍵環節，與單晶圓濕法清洗相比，其在成本效益、生產效率及化學品消耗方面具有顯著優勢。

升級后的Ultra C wb設備具有以下全新特性與優勢：

▲ 提升蝕刻均勻性：相較於傳統的槽式濕法清洗設備，Ultra C wb平臺配備了氮氣鼓泡技術，將晶圓內以及晶圓間的濕法刻蝕均勻性提高了50%以上。

▲ 提高顆粒去除性能：在先進節點工藝中，Ultra C wb平臺的卓越清洗能力已被證明能夠高效去除特殊磷酸添加劑的有機殘留物。

▲ 擴展工藝能力：升級后的清洗台模塊已通過三道先進節點工藝驗證，包括：疊層氮化硅蝕刻、溝道孔多晶硅蝕刻以及柵極線鎢蝕刻，可搭配多種化學藥液使用，如磷酸、H4刻蝕液（一種常用於金屬薄膜蝕刻的混合酸溶液）、四甲基氫氧化銨（TMAH）、標準清洗液1（SC1 ）以及硅鍺（SiGe）刻蝕液等。此外，更多道工藝及應用方案正在客户工廠進行開發。

▲ 自主知識產權設計：專利申請中的氮氣鼓泡設計可生成均勻分佈的大尺寸氣泡，且氣泡密度精準可控。該專利申請的氮氣鼓泡核心技術可以應用在盛美上海的Ultra C Tahoe（單片槽式組合清洗設備）平臺上，更好地解決客户未來的工藝需求。

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(盛美上海)