ACM Research推出升級的Ultra C編程工具，採用正在申請專利的N2鼓泡技術，用於先進節點半導體制造

ACN研究公司為半導體和先進封裝應用提供晶圓和麪板加工解決方案的領先供應商ACM（「ACM」）（納斯達克股票代碼：ACMR）今天宣佈對其Ultra C ®清洗工具進行重大升級。這些新的增強功能旨在滿足先進節點製造工藝的苛刻技術要求。

升級后的Ultra C Inbox採用正在申請專利的氮氣（N2）鼓泡技術，可解決濕蝕刻均勻性差和副產物再生問題。這些問題經常出現在先進節點工藝中的高長寬比溝道和通孔結構中的磷酸的傳統濕台工藝中。ACN正在申請專利的N2鼓泡技術提高了磷酸的傳輸效率，並促進了濕蝕刻浴中温度、濃度和流速的均勻性。濕蝕刻工藝提高的質量傳遞效率避免了副產物在芯片微結構中的積累，以防止再生長。該技術在製造3D RAM、3D邏輯和500+層3D與非器件的濕蝕刻工藝中具有巨大的應用潛力。