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2025-07-23 10:49
(來源:華哥話理財)
蝕刻技術要取代光刻?阿斯麥焦慮業績,中國機會來了?$科創半導體ETF(588170)$半導體材料ETF(562590)$中微公司(688012)
最近半導體行業爆出兩條消息,似乎預示着全球芯片行業的風向似乎正在悄然轉向。
先是,一位英特爾董事聲稱蝕刻技術或將取代光刻技術成為芯片製造核心,該董事指出「未來的重點可能從單純依賴光刻機縮小特徵尺寸,轉向更復雜、更關鍵的刻蝕工藝。」而素有芯片產業「皇冠明珠」光刻機產品的ASML稱受國際環境影響,公司可能無法在2026年實現增長。
如今,英特爾將登神長階緩緩推至蝕刻技術面前,而國際形勢的陰雲卻籠罩在阿斯麥的頭頂。
在這種背景下,中國半導體產業又會受到什麼影響?又能否給中國半導體產業開啟新的風口?我們普通人是否在其中能夠捕捉到投資機會?
今天我們一起來聊聊這件事兒。
光刻與蝕刻:芯片製造的"畫師"與"雕刻家"
我們首先需要明白光刻和蝕刻在芯片製造工藝中扮演的不同角色。光刻技術的作用,是把設計好的電路圖案"投影"到硅片上。而蝕刻技術則是根據光刻提供的圖案,用化學溶液或等離子體等"雕刻"出晶體管和電路。
類比來講,如果把芯片製造比作製作一件精美的雕塑,那麼光刻就是畫出設計圖的"畫師",而蝕刻則是按照圖紙進行雕刻的"雕刻家"。也就是説,光刻技術是蝕刻技術的前置步驟。
蝕刻技術的未來前瞻:英特爾有何依據?
英特爾董事的這番言論在業內引發了廣泛討論和爭議,乍一聽不免有點博人眼球,但是其言論也並不是毫無依據的。
過去幾十年來看,芯片製造的核心邏輯是,通過光刻技術不斷縮小晶體管的尺寸,讓芯片在單位面積內塞進更多晶體管。因為一般而言,芯片能塞進的晶體管越多,算力越強、功耗越低。但進入5nm以下製程后,平面晶體管逐漸逼近物理極限。
爲了繼續提升芯片性能,工程師們開始向第三個維度拓展,設計出3D晶體管,讓晶體管從「平房」變成「摩天大樓」,這樣在相同芯片面積下,3D結構能塞進更多晶體管。值得注意的是,3D結構就需要更加關注垂直堆疊的層間對準(依賴蝕刻/沉積技術),而非單層圖案的極限縮小(依賴光刻)。這樣就從技術上顯示出一個趨勢:隨着晶體管結構從平面走向3D,芯片技術的發展將更多依賴蝕刻技術的進步。
(先進的HBM技術將一個個DRAM堆疊起來,就像砌高樓)
資料來源:AMD、東方證券研究所
蝕刻技術的未來與中國半導體的機遇
如果半導體產業按照所預期的那樣發展,蝕刻技術在未來產業鏈中和光刻技術分庭抗禮,甚至佔據更高級的權重地位的話,半導體產業的競爭格局將會發生重大的變化。這種由技術路徑變革而引起的潛在競爭格局變化的情況,或許會把新能源汽車的故事在中國再次復刻一遍。
中國半導體的新機遇或許就在於此。資料顯示,中國的蝕刻技術已經在世界佔有一席之地。近日,作為全球刻蝕設備供應商的領軍企業中微公司發佈中報業績預告,其營收與利潤大幅增加,背后推動力就是刻蝕設備和薄膜設備。在政策和產業趨勢的推動下,我們有理由相信中國會跑出越來越多像中微公司一樣的半導體設備龍頭,而個人投資者也可以根據此邏輯進行投資佈局。
投資視角:科創半導體ETF(5888170)全市場半導體設備含量最高的ETF
那麼在這場半導體產業的變革中,投資者該如何把握機會呢?
對於普通投資者而言,半導體設備,尤其是刻蝕設備這樣的細分領域,雖然具備較高的技術壁壘和行業景氣度,但個股選擇難度大、研究門檻高。通過ETF來佈局,是一個兼具專業性、分散風險和操作便利性的好方式。而在全市場主流的半導體芯片指數中,科創半導體ETF(588170)跟蹤的科創半導體材料設備指數,其半導體設備權重高達59%,可以説是全市場含量最高的指數。#消費電子震盪走強,板塊內多股漲停#
證券代碼
證券簡稱
半導體設備
950125.CSI
科創半導體材料設備
59.40%
931743.CSI
半導體材料設備
58.60%
990001.CSI
中華半導體芯片
16.80%
000685.SH
科創芯片
16.70%
H30184.CSI
中證全指半導體
16.00%
數據來源:Wind,截至2027.7.22。
同時,指數十大權重股中不乏中微公司、拓荊科技、華海清科等半導體龍頭。因此,看好國產替代機會的投資者可以考慮將其作為首選。
科創半導體ETF(588170)的標的指數為上證科創板半導體材料設備主題指數,其2020-2024年完整會計年度業績為:67.41%,-5.14%,-25.65%,14.99%、-0.13%。
科創板特別風險提示:本基金的基金資產可投資於科創板,會面臨因投資標的、市場制度以及交易規則等差異帶來的特有風險,包括但不限於如下特殊風險:流動性風險、退市風險、股價波動風險。
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